當(dāng)臺(tái)積電和Intel都在爭(zhēng)奪先進(jìn)工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)之時(shí),全球業(yè)界卻在撕開(kāi)芯片工藝的遮羞布,指出芯片業(yè)界玩弄數(shù)字游戲其實(shí)從28納米以下就已開(kāi)始了,之后的芯片工藝都可以說(shuō)是項(xiàng)目名稱(chēng)罷了,包括當(dāng)下廣受贊譽(yù)的3納米工藝。
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在350納米及之前,芯片制造工藝是嚴(yán)格按照芯片工藝的物理尺寸來(lái)定義芯片制造工藝的,那時(shí)候的芯片工藝標(biāo)準(zhǔn)金屬半節(jié)距、柵極間距都是一樣的,350納米工藝的金屬標(biāo)準(zhǔn)半節(jié)距和柵極間距都350納米。
從350納米之后,芯片工藝的命名方式開(kāi)始發(fā)生改變,標(biāo)準(zhǔn)金屬半節(jié)距仍然與芯片工藝一樣,而柵極間距的縮減則在加速,到32納米的時(shí)候,標(biāo)準(zhǔn)金屬半節(jié)距是32納米,而柵極間距已縮減到13納米,此時(shí)其實(shí)就已經(jīng)達(dá)到芯片工藝的物理極限了。
28納米工藝引入了HKMG技術(shù),即是采用了新的器件結(jié)構(gòu)、材料填充和設(shè)計(jì)優(yōu)化提升性能,而它的金屬標(biāo)準(zhǔn)半節(jié)距和柵極間距都比32納米增大了,28納米的標(biāo)準(zhǔn)金屬半節(jié)距是45納米,柵極間距則是26納米,其實(shí)從28納米開(kāi)始芯片工藝的命名方式變成項(xiàng)目名稱(chēng)了。
Intel則是從22納米開(kāi)始進(jìn)一步改變了芯片工藝,28納米及之前都是平面工藝,而Intel從22納米引入FinFET工藝之后將芯片工藝變成3D立體工藝了,而Intel此后一直保持芯片工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)到臺(tái)積電的10納米工藝,Intel的14納米++工藝領(lǐng)先于臺(tái)積電的10納米工藝。
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臺(tái)積電則是直到16納米工藝才引入FinFET立體技術(shù),不過(guò)臺(tái)積電也從16納米之后開(kāi)始更猛烈地改變芯片工藝命名,10納米工藝不過(guò)是16納米FINFEI工藝的改良,屬于過(guò)渡工藝罷了。
值得注意的是FinFET技術(shù)此后一直都在改良當(dāng)中,臺(tái)積電真正將FinFET技術(shù)用到爐火純青的是在7納米工藝,一直到如今的3納米工藝都是對(duì)FinFET技術(shù)的改良,而柵極間距、金屬半節(jié)距縮減已極為緩慢,3納米的柵極間距、金屬半節(jié)距分別是23納米、45納米,可以看出從28納米到3納米功竟然金屬半節(jié)距都沒(méi)有縮減,只有柵極間距輕微縮減到23納米罷了。
不過(guò)幫助芯片制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步躍升的則是在7納米工藝引入ASML的先進(jìn)EUV光刻機(jī),先進(jìn)的光刻機(jī)降低了曝光的次數(shù),用EUV光刻機(jī)只需要一次曝光,不僅提升了良率,還加速了晶體管密度的提升。
從3納米工藝之后則引入了GAA技術(shù),接下來(lái)各個(gè)企業(yè)又是對(duì)GAA技術(shù)不斷改良,提升晶體管密度罷了,只是到了這個(gè)時(shí)候又不僅僅是芯片制造企業(yè)自身技術(shù)的較量,還需要先進(jìn)的2納米光刻機(jī),變化與7納米工藝類(lèi)似。
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臺(tái)積電當(dāng)時(shí)用DUV光刻機(jī)制造的7納米工藝性能比用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)的7納米工藝性能落后30%;如今臺(tái)積電繼續(xù)用第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝加GAA技術(shù),為了實(shí)現(xiàn)性能的提升而不得不用多重曝光技術(shù),導(dǎo)致性能提升幅度有限;Intel則用第二代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)了18A工藝,估計(jì)Intel的18A工藝性能比臺(tái)積電的2納米工藝高出不少。
從全球芯片業(yè)界在芯片工藝命名方式上可以看出芯片業(yè)界如今受困于硅基芯片的局限,早已無(wú)法對(duì)軌跡芯片的物理尺寸穩(wěn)步縮減,而只能通過(guò)立體堆疊等方式來(lái)增加晶體管密度的方式提升性能,凸顯出人力終究有極限,但是因?yàn)闋I(yíng)銷(xiāo)的需要,于是不斷更改芯片技術(shù)名稱(chēng)來(lái)凸顯技術(shù)的升級(jí)罷了。
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