“十年一劍”打破海外壟斷 長鑫科技IPO背后國產半導體產業的躍遷

7月16日，國內DRAM（動態隨機存取存儲器）一體化龍頭長鑫科技將開啟新股申購，發行價為8.66元/股。長鑫科技登陸科創板，不僅是單一企業的資本化里程碑，更是國產半導體產業鏈成熟度提升的重要信號。

長期以來，全球DRAM存儲芯片市場被海外巨頭壟斷，核心技術、量產能力和市場話語權牢牢掌握在境外企業手中。長鑫科技走了十年，在重資產、長周期、高迭代、強研發的存儲芯片領域用自己的節奏，一步步站上了中國第一、全球第四位置，打破了三星、SK海力士、美光三家海外企業的長期寡頭壟斷格局。

長鑫科技的上市，標志我國DRAM產業從技術驗證爬坡階段，正式進入規模化擴產、全產業鏈協同發展新階段，對上游設備材料、中游制造封測、下游算力終端形成全方位拉動效應。

十年磨一劍

差異化戰略實現“換道超車”

長鑫科技成立于2016年，總部位于安徽合肥，是中國規模第一、布局最全的動態隨機存取存儲器（DRAM）研發設計制造一體化企業，采用IDM（垂直整合制造）業務模式。

在技術上，長鑫科技采取差異化“跳代研發+換道超車”戰略，依托DUV深紫外光刻實現高密度存儲制造，繞開EUV光刻機管制壁壘。同時布局后HBM時代全新技術賽道，規避與韓企在傳統制程上的正面競爭。

招股書顯示，長鑫科技目前已商業化量產的DDR4、LPDDR4X和LPDDR5系列內存芯片及模組，已成功應用于小米、OPPO、vivo、傳音等國內主流智能手機品牌機型中，服務器DDR5批量供貨阿里云、騰訊云、浪潮信息，切入國內AI算力核心供應鏈。

公司已建成合肥、北京三座12英寸晶圓工廠，當前月產能28萬-30萬片，產能利用率常年穩定95%以上。據Omdia行業統計數據，目前長鑫科技的DRAM產能、出貨量、銷售額均位列中國第一、全球第四，打破了三星、SK海力士、美光三家海外企業的長期寡頭壟斷格局。長鑫科技的崛起，標志著中國在DRAM領域實現了從0到1的突破，有望逐步提升市場份額。

本次IPO，長鑫科技擬募資295億元。募資完成后，企業將加速擴產，2026年底產能提升至35萬片/月，2028年目標月產50萬片，持續縮小與海外三巨頭產能差距。

中信證券半導體行業分析師王博表示，長鑫本次IPO完成戰略閉環，此前持續虧損的核心約束是資本開支壓力，大規模募資將打通產能擴張、高端研發資金瓶頸，差異化技術路線讓國內存儲產業擺脫跟隨式研發，真正建立自主技術護城河。

新華社發

重構估值邏輯

或成科技股“價值錨點”

?科創板是上交所專門服務“硬科技”企業的獨立板塊?，主要支持符合國家戰略、突破關鍵核心技術的公司上市。長鑫科技本次IPO，不僅是2026年A股最大融資項目，也是科創板史上第二大IPO，僅次于中芯國際532億元的募資規模。市場分析認為，長鑫科技的上市將充當科技股的“價值錨點”，會讓AI的估值邏輯從“講故事”轉向“看業績”。

此前，A股半導體板塊估值分化明顯，設計企業普遍享受高估值溢價，晶圓制造、存儲周期類企業因行業周期性虧損，長期維持低市盈率估值，市場對存儲制造企業盈利持續性存在質疑。

過去十年中，長鑫科技也經歷了漫長的持續大額虧損，直到2025年，依托AI算力催生的存儲超級周期，長鑫科技業績終于迎來“V”字反轉，首度實現年度盈利。2026年一季度，其歸母凈利潤達247.62億元，上半年預計凈利潤區間500億-570億元，日均盈利接近3億元，徹底擺脫行業周期低谷。

從連年大額虧損到單日盈利3億元，長鑫科技的業績反轉將徹底重構存儲賽道估值邏輯。2026年一季度，長鑫科技營收508億元，同比增長719%；歸母凈利潤247.62億元，同比增長1688%，樹立了硬科技企業的業績標桿。

拉動全鏈國產替代

完善存儲產業安全底座

世界半導體貿易統計組織（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將增長逾25%，達到9750億美元，其中存儲芯片與邏輯芯片有望再次領跑市場，同比增幅均超30%。而中國集成電路產業自給率仍處于較低水平，2022年僅為18.3%，在存儲芯片等核心領域存在巨大的國產替代空間。

長鑫科技上市，標志我國DRAM產業從技術驗證爬坡階段，正式進入規模化擴產、全產業鏈協同發展新階段，對上游設備材料、中游制造封測、下游算力終端形成全方位拉動效應。

在上游設備與材料端，此前國產半導體設備普遍存在“單機驗證難、整線導入慢”痛點，長鑫大規模擴產，將提供長期穩定驗證場景，推動國產設備從“可用”向“好用”跨越，解決存儲制造設備卡脖子難題，持續提升國產設備導入比例，刻蝕、薄膜、清洗核心設備國產化率。在中游封測環節，本土封測企業依托長鑫訂單優化高端存儲封裝工藝，補齊國內算力存儲封裝短板。在下游產業鏈層面，AI服務器、消費電子、新能源汽車廠商大幅降低海外存儲采購依賴。

市場研究機構Counterpoint數據顯示，2026年一季度長鑫科技手機DRAM市場份額為19.1%，僅落后美光0.6個百分點；國內云廠商國產DRAM采購比例從2024年不足8%提升至2026年26%，供應鏈安全韌性顯著增強。

工信部電子信息司相關專家表示，存儲芯片是數字經濟、人工智能底層核心基礎元器件，此前國內DRAM完全依賴進口，長鑫規模化量產與資本化，補齊集成電路產業最大短板，與長江存儲形成“DRAM+NAND”國產存儲雙雄格局，落實“十五五”集成電路全產業鏈自主可控戰略目標。

最廣泛的造富

體現資本回報邏輯

本次長鑫科技IPO，創造了A股半導體史上規模最大的財富分配窗口，覆蓋地方國資、國家級產業基金、保險、券商和核心研發員工等主體，將誕生一批深耕硬科技賽道的科技新貴，印證國家長期布局半導體產業的資本回報邏輯。

其中，合肥國資作為最早戰略投資方，2016年首期出資144億元，穿透合計持股36.79%，按3萬億市值中樞測算，對應權益市值超1萬億元，浮盈規模接近合肥市2025年全年GDP一半，地方政府十年耐心資本投入獲得超額回報。

此外，研發人才成為核心受益群體。公司推出兩期員工持股計劃，累計覆蓋6760名員工，研發人員占比超三成，授予價格低至0.108元/注冊資本，上市后股權價值大幅提升，有望成為A股史上最廣泛的造富運動。

長鑫科技董事長朱一明公開承諾，上市36個月后將名下7.68億股股份無償分配給在職員工，構建長期綁定的人才激勵機制，打造國內半導體行業規模最大的科研人才造富平臺。

資本市場業內人士指出，長鑫的造富效應將形成正向示范，引導社會長期資本、高端人才持續流入集成電路硬科技賽道，改變此前資本扎堆互聯網、消費賽道的格局，完善國內硬科技投融資生態，為后續芯片制造、先進材料企業登陸資本市場打開估值與資金通道。

■新快報記者 涂波