上海
財(cái)聯(lián)社7月15日訊（編輯 周子意）據(jù)業(yè)內(nèi)人士向媒體爆料，三星電子計(jì)劃在其器興半導(dǎo)體園區(qū)建設(shè)一座新的DRAM制造工廠，規(guī)劃月產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片晶圓，項(xiàng)目總投資規(guī)模將達(dá)數(shù)十萬(wàn)億韓元。此舉旨在抓住人工智能存儲(chǔ)器需求激增的機(jī)遇窗口。
三星電子器興園區(qū)位于首爾南部，自1983年邊開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，是韓國(guó)運(yùn)營(yíng)時(shí)間最長(zhǎng)的半導(dǎo)體設(shè)施之一。1992年，該園區(qū)成為全球首個(gè)64Mb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的誕生之地，標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域主導(dǎo)地位的開(kāi)始。
近年來(lái)，該園區(qū)主要致力于成熟工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)，其能力已達(dá)到8納米工藝。
據(jù)稱(chēng)，該地塊原本規(guī)劃用于建設(shè)研發(fā)中心，此番調(diào)整為生產(chǎn)設(shè)施，市場(chǎng)普遍解讀為三星電子為應(yīng)對(duì)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資熱潮下持續(xù)攀升的存儲(chǔ)芯片需求所做出的產(chǎn)能布局調(diào)整。
這一擬建的DRAM晶圓廠規(guī)劃月產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片晶圓，項(xiàng)目總投資規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)數(shù)十萬(wàn)億韓元。據(jù)稱(chēng)，該項(xiàng)目最快可能于2026年第三季度正式動(dòng)工。
受此消息影響，三星電子周三（15日）股價(jià)大幅上漲了超6%。
據(jù)了解，2022年，三星在器興園區(qū)內(nèi)動(dòng)工興建了一個(gè)名為NRD-K的大型研發(fā)中心，該中心占地約10.9萬(wàn)平方米，投資約20萬(wàn)億韓元，預(yù)計(jì)在 2028 年至 2030 年間完全建成。
該研發(fā)中心的一條研發(fā)專(zhuān)用生產(chǎn)線已于 2025 年中期投入運(yùn)營(yíng)，專(zhuān)注于新一代存儲(chǔ)器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的研發(fā)。此次計(jì)劃新建的DRAM工廠，則是在這一研發(fā)中心之外，于園區(qū)內(nèi)另辟地塊建設(shè)的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施。
從更宏觀的視角來(lái)看，三星電子正同時(shí)在多個(gè)基地推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張。其平澤巨型園區(qū)目前是HBM生產(chǎn)的核心基地，三星也在全羅南道的光州推進(jìn)兩座先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠的建設(shè)，總投資達(dá)400萬(wàn)億韓元。此外，三星還計(jì)劃將京畿道龍仁半導(dǎo)體集群內(nèi)首座晶圓廠的投產(chǎn)時(shí)間提前至2029年。
在HBM領(lǐng)域，三星電子正試圖追趕目前在HBM領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì)的SK海力士。三星電子近期也在其平澤P4工廠部署了一條月產(chǎn)能10萬(wàn)片晶圓的新產(chǎn)線，可用于生產(chǎn)第六代HBM。
（財(cái)聯(lián)社 周子意）
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