存儲芯片通脹，風暴正在升級

當一種技術的進化速度超越資源分配機制的調節能力時，整個經濟系統都會變成它的緩沖區

文｜《財經》執行主編 謝麗容

一場席卷全球的存儲漲價風暴，正在從產業供需矛盾演變為跨司法、宏觀、產業層面的多重危機。

6月25日，三星、SK海力士、美光三大存儲寡頭在美國加州聯邦法院遭到集體訴訟，原告代表近年來購買過含有傳統DRAM產品的消費者和企業，指控三星、SK海力士和美光利用其在全球DRAM市場的寡頭壟斷地位，以向HBM過渡為借口，協調削減DDR3和DDR4等商用內存的產能，從而人為制造供應短缺，自2022年初以來，商用DRAM價格已經暴漲700%。

訴狀將蘋果公司近期對iPad和Mac產品線的全面提價援引為直接損害案例，控訴三家公司控制全球超過95%的DRAM市場，它們沒有選擇同步擴產來滿足需求，而是不約而同地將產能轉向利潤更高的HBM，形成了事實上的協同減產，人為制造“RAMpocalypse”（內存末日）式的供給短缺與價格暴漲。

訴狀還援引了三家公司2005年因操縱DRAM價格被美國司法部處以總計7.31億美元罰款的歷史，試圖證明存在“系統性、重復性串謀的行為模式”。

蘋果公司CEO蒂姆·庫克（Tim Cook）近期至少接受了兩次媒體采訪，6月17日的采訪中，庫克確認了蘋果將上調產品售價的決定：“很遺憾，漲價是不可避免的。我們正在盡最大努力緩解這些轉嫁給我們的巨大成本上漲，也一直在努力保護顧客免受價格上漲的影響，但目前情況已經變得不可持續。”

6月25日，庫克用更強烈的措辭來描述危機的嚴重性，蘋果也在同一天宣布了多款產品的漲價。庫克形容，這是“百年一遇的洪水（a hundred-year flood）”。他說，“40多年的時間里，我在任何領域都從未見過類似的情況”。

特斯拉CEO埃隆·馬斯克的隨即在社交平臺上聲援庫克：“庫克說這種成本激增是他40多年來在任何領域都從未見過的。我也是，這是我見過的最猛的價格跳漲。”

集體訴訟在美國十分常見，審理周期通常長達數年，但存儲芯片短缺引發的通脹真實存在。

6月20日，德意志銀行最新報告發出警告稱，人工智能催生的高帶寬內存（HBM）的結構性需求，正在擠占傳統DRAM與閃存（NAND）的生產產能，引發存儲芯片短缺危機。這場危機已從半導體行業向外擴散，成為推升通脹的關鍵變量。

漲價壓力已經傳導至終端市場，蘋果、高通等行業龍頭紛紛發出預警。PC與手機品牌正考慮將產品提價15%至20%；汽車行業則陷入兩難，不得不斟酌削減自動駕駛相關功能。

這份報告顯示，美國電子元器件生產者物價指數（PPI）同比暴漲26.9%，這一信號說明，存儲短缺已經演變為大范圍的物價上漲壓力。

被AI數據中心抽干的不僅是HBM產能，還有整個存儲芯片市場的定價邏輯。一顆手機用的移動DRAM，單季度漲幅高達78%；一塊筆記本里的SSD，一年價格翻倍；連汽車里的低容量內存芯片，都被迫接受了50%以上的提價。漲價不再是消費電子行業的孤立事件，而是正在向服務器、汽車、工業設備、安防系統，乃至每一塊需要存儲芯片的電路板上滲透。

一輛智能汽車需要大約16GB的DRAM和256GB的NAND閃存；一臺工業機器人需要實時處理大量數據，內存配置不亞于一臺服務器；一個5G基站、一臺醫療影像設備、一套安防監控系統，無一例外地依賴存儲芯片。這些都是現代經濟運轉的基礎設施。

如今，這些基礎設施正在被迫為AI讓路。

存儲三巨頭把超過30%的DRAM產能轉向HBM，而HBM僅服務全球屈指可數的幾家AI芯片客戶。剩下的傳統DRAM和NAND產能，面對的是汽車、工業、通信、消費電子構成的整個實體經濟。供給被壓縮，需求并未消失——結果是價格全面上漲。TrendForce數據顯示，2026年第二季度服務器DRAM合約價漲50%至55%，漲幅已超過HBM本身的年度定價漲幅。

需要明確一個關鍵專業定性：當下行情并非大眾認知中拉升日常物價的傳統CPI通脹，而是摩根士丹利、德意志銀行等機構定義的「Chipflation（芯片結構性通脹）」。它完全符合經濟學通脹的兩大核心標準：一是廣泛性，漲價覆蓋DRAM、NAND全品類，貫穿消費電子、汽車、工業、云端商用設備全產業鏈；二是持續性，并非短期季度波動，供需緊張格局將延續至2028年，是長達數年的產業級趨勢，深刻影響全球數字經濟與硬件產業鏈的運行節奏。

很多人追問，這場席卷全球的危機，究竟是誰的過錯？

答案殘酷卻真實：所有人都在做最理性的選擇，最終卻合力釀成了集體困境。

三星、SK海力士、美光等存儲巨頭，遵循最基礎的市場規則：將有限的晶圓產能，配置到回報率最高的賽道，為股東創造最大化價值。HBM芯片毛利率超70%，傳統DRAM毛利率僅40%出頭，同一片12英寸高端晶圓，生產HBM的利潤是普通DDR5的三倍。任何一家市場化企業，都會做出同樣的選擇。

沒有壟斷打壓，沒有惡意囤貨，沒有違規炒作，所有決策合法、理性、合規。但正是無數個體的理性抉擇，最終形成了產業合成謬誤：AI賽道瘋狂虹吸產能、資本、人才，傳統硬件與工業數字化產業被迫壓縮成本、承受漲價、被動失血。

通脹的根源

寡頭供給+ AI需求重構催生結構性錯配

芯片是現代經濟的“工業糧食”。存儲芯片又是其中最基礎、用量最大的一類。為了理解這場“存儲芯片通脹”的根源，首先需要認清它的基本構成。

存儲芯片從大類上分為易失性存儲器和非易失性存儲器。DRAM（動態隨機存取存儲器）是易失性存儲器的絕對主力，市場占比超過90%。NAND（閃存）是非易失性存儲器的絕對主力，市場占比也超過90%。二者合計占整個存儲芯片市場的95%以上。

DRAM是計算設備的“工作臺”，讀寫極快但斷電即失。HBM是DRAM的一種，通過垂直堆疊實現超高帶寬——這是SK海力士與三星在AI時代攫取超額利潤的技術護城河，也是本輪危機的技術源頭。NAND（閃存）則是數據“倉庫”，斷電后長期保存，構成了手機、固態硬盤的存儲空間。二者共同撐起了每一部手機、每一臺電腦，以及汽車、機器人、云數據中心的底層基礎。

供給端呈現寡頭格局——產能調配權集中在少數企業手中。

DRAM市場長期由三星、SK 海力士、美光三家壟斷；NAND 由五大原廠把控，格局相對分散。兩大品類全球可穩定規?；┴浀膹S商屈指可數，頭部企業手握先進產線的產能分配與投產節奏決定權，構成了本輪結構性漲價的供給底色。

需求端則在AI浪潮下發生顛覆性重構，原有需求基本盤被強行拆分。

2025年之前，智能手機、PC、傳統服務器共同構成DRAM、NAND 需求底盤；NAND 細分場景中，手機占需求35%、SSD30%、PC12%，企業級與消費級SSD需求增速差距有限。

進入2026年，結構徹底逆轉：DRAM 領域服務器需求占比突破50%躍居第一，全年行業需求增速26%，增量絕大部分來自AI服務器；NAND端企業級SSD需求持續爆發，2025年企業級位元需求同比增33.1%，消費級僅2%、手機15%，中金測算至2028年全球NAND出貨近2000EB，未來三年年均增速接近30%。

TrendForce數據進一步印證資源傾斜：2026年全球七成高端內存產能被數據中心吸納，汽車、PC、工業、醫療、大眾消費電子只能瓜分剩余存量產能。

一邊是巨頭手握產能、優先把先進產線投向高毛利AI賽道，一邊是海量實體產業爭搶被壓縮的通用存儲產能，供需錯位直接推升全品類存儲報價，本輪存儲通脹本質就是寡頭供給+AI爆發共同催生的結構性資源錯配。

成本承受能力的分化，又進一步放大實體行業壓力：云廠商可通過算力服務、API定價向上游轉嫁HBM大額采購成本，但車企、工業設備商、手機廠商不具備順暢的成本傳導能力—— 整車難以跟隨芯片漲價同步提價，工廠數字化預算剛性受限，手機內存成本年內暴漲近4倍，BOM占比從10%抬升至20%+，終端售價漲幅遠無法覆蓋元器件成本上行。

因此，DRAM和NAND的價格上漲，會通過至少三條路徑影響宏觀經濟增長：

第一，抬高企業IT成本，壓縮利潤空間，抑制投資意愿。尤其對于非科技行業，數字化預算被迫向硬件傾斜，意味著軟件、服務、人才上的投入減少。

第二，推高終端產品價格，抑制消費需求。PC和手機出貨量雙雙下滑已經證實了這一點。消費電子是全球半導體最大的下游市場，它的萎縮會反過來削弱對邏輯芯片、顯示驅動芯片等眾多半導體的需求，形成負反饋。

第三，加劇經濟結構失衡。資本、產能、人才都在向AI和數據中心集中，而汽車、工業、家電等廠商被迫承擔更高的成本，獲得更少的供給。這種失衡如果持續兩到三年，將拉大產業間的生產率差距，使整體經濟增長更加依賴少數幾個AI贏家。

服務器是企業數字化的基座。當服務器內存一年漲價超過一倍，所有依賴云計算的中小企業、所有運行SaaS服務的軟件公司、所有正在數字化轉型的傳統工廠，都將面臨運營成本的無差別沖擊。這不是某個行業的利空，而是整個經濟體的隱性稅負。

誰做錯了？

個體理性匯聚成集體非理性，復刻產業版荷蘭病特征

為了更深入地理解存儲芯片通脹的獨特性，我們需要把它放在更長的歷史光譜中考察。

最接近的參照系，來自存儲行業內部。

2005年前后，三星將部分12英寸DRAM產線轉向生產NAND閃存——后者主要用于手機存儲，利潤更高。這一“釜底抽薪”之舉導致全球DRAM市場供給量減少高達15%～20%，電腦內存價格應聲上漲，PC廠商生產成本飆升。幾乎同樣的劇本：一個新興的高利潤市場（手機）抽走產能，傳統市場（PC）承壓。

但這次歷史先例與今天的AI沖擊有兩個關鍵區別。

第一，當時智能手機的增速遠不及今天的AI。2005年全球智能手機出貨量僅約5000萬部，而今天的AI數據中心對HBM的需求每年翻倍增長。

第二，當時的影響范圍更小。手機搶走的是部分DRAM產能，而今天的HBM擠占的是最先進的12英寸晶圓產能，這種產能無法被舊產線替代。影響從DRAM蔓延到了NAND、從消費電子蔓延到了汽車和工業設備。

所以，2005年的案例證明了“產能轉移導致傳統市場短缺”的機制是存在的，但今天的沖擊烈度是歷史上前所未有的。

巨頭的決策模型非常簡單：HBM的毛利率超過70%，傳統DRAM只有40%出頭。同樣一片12英寸晶圓，做HBM的利潤是做DDR5的三倍。你是CEO，你會怎么選？答案不言自明。

這是市場經濟最基本的資源配置邏輯——資本永遠流向回報率最高的地方。

但面對“利潤最大化”的企業理性選擇，你能怎么辦？要求三星放棄高利潤的HBM去生產低利潤的DDR5？那等于要求一家公司主動放棄股東利益、違背資本市場的根本邏輯。沒有政府能這么干，沒有監管機構有這樣的權力。

芯片通脹無法靠譴責來解決，因為你無法指責一家公司“太理性”。

這是本輪危機中最諷刺的地方。

HBM是真正的技術創新——TSV硅通孔、多層堆疊、高速互連，每一項都是工程師多年努力的成果。技術越先進，利潤越高；利潤越高，產能轉移越快；轉移越快，傳統市場越缺貨。

技術進步的果實，在AI數據中心里被享用；而技術進步的代價——漲價、缺貨、成本壓力——由手機商、汽車廠、PC廠、普通消費者承擔。

這是一個由市場邏輯驅動的、技術進步附帶的、被大多數人忽略的分配機制。AI越強大，存儲芯片越先進，非AI行業的日子反而越難過。

“荷蘭病”（Dutch disease）是經濟學中一個經典概念。20世紀60年代，荷蘭因發現巨額天然氣田，出口激增、經濟一片繁榮。持續的貿易順差讓荷蘭盾大幅升值，工業制成品國際競爭力被嚴重削弱。制造業出口大幅下滑、失業率攀升，經濟陷入畸形——一個部門越賺錢，其他部門就越衰敗。

理解“荷蘭病”，有助于理解這一輪存儲芯片通脹的底層邏輯。雖然二者經濟學底層機理并不相同，但在局部要素虹吸的表層相似：一個行業異常繁榮，將大量資源——AI時代是資本、產能和技術人才，資源國是外匯、土地和政策——吸入自身，其他行業則在資源錯配中“失血”。

不同之處在于，荷蘭病的傳導機制是匯率（資源出口推高本幣匯率，削弱制造業競爭力），而存儲芯片通脹的傳導機制是成本（產能被抽走，價格上漲，傳統行業被迫支付更高價格）。前者是宏觀經濟的間接傳導，后者是產業鏈的直接傳導。

存儲芯片通脹的特殊性在于：每一個參與者的行為都是理性的、合法的。三巨頭通過技術創新實現了HBM的量產突破，為AI時代提供了關鍵基礎設施；它們優化產能配置，提高了資本效率；它們為股東創造了巨大價值。從任何角度看，這都是一個成功的故事。

但當三巨頭同時做出同樣的理性決策時，合成謬誤產生了——個體理性導致集體非理性。傳統市場被系統性壓縮，價格全面上漲，所有非AI行業集體承壓。

這就是芯片通脹最令人不安的地方：沒有壞人，但結果很糟糕。

為什么市場機制短期內無法糾正？一般來說，價格上漲會刺激供給增加，新產能進入市場，價格回落，周期回歸平衡。但這一機制在芯片通脹中遇到了兩個障礙。

障礙一：擴產周期太長。新建一座12英寸晶圓廠需要18到24個月。在此期間，價格上漲的壓力已經傳導到整個經濟體中。汽車廠、PC廠、手機廠不可能等兩年再生產。它們只能接受高價，或者減產、停產、退出市場。

障礙二：新產能大概率還是流向HBM。即使兩年后新產能上線，存儲巨頭會用它來生產傳統DRAM嗎？未必。因為AI需求仍在高速增長，HBM的利潤率仍然遠高于傳統DRAM。理性決策的結論依然是：把新產能優先給HBM。

這意味著，傳統市場可能永遠等不到“供給恢復”的那一天。HBM就像一個黑洞，持續吞噬先進制程產能，而傳統DRAM和NAND則被永久性地降級為“次級需求”。

制度的邊界

AI進步的節奏，正在超出現有經濟系統的吸收能力

集體訴訟在美國并不罕見。每年都有成千上萬起類似案件被提交至法院，涉及證券欺詐、產品缺陷、反壟斷等各個領域。它甚至可以被視為美國商業制度中一種常規的風險定價機制——通過允許私人主體提起訴訟，來彌補公共執法資源的不足。

但“常見”不意味著“不重要”。

在反壟斷領域，集體訴訟的核心價值在于兩點：倒逼與威懾。

集體訴訟打通了中小企業與普通消費者的維權通道。DRAM 市場高度集中，下游車企、工控廠商、普通終端用戶單獨議價、單獨起訴的成本極高，集體訴訟機制允許分散受損主體合并主張損失，統一舉證上游寡頭同步限產、抬價帶來的全鏈條成本損害，彌補單一市場主體維權能力不足的短板。

形成長效威懾，約束寡頭“默契協同” 行為。DRAM 行業無需書面協議，僅通過同步調整資本開支、產線轉產節奏就能形成事實上的供給收縮，這種“有意識平行行為” 認定難度極高。集體訴訟即便無法實現刑事處罰，巨額三倍賠償風險、長期司法負面預期，也會倒逼存儲廠商調整產能分配策略，不能無限制單向傾斜AI 高端芯片、完全無視通用硬件市場供給需求；2005 年三家企業因DRAM 價格操縱認罪、合計繳納7.31 億美元罰款的司法記錄，也會進一步放大本次訴訟的威懾效力。

觸發行政監管連鎖反應。民間集體訴訟往往是美國司法部、FTC 啟動官方反壟斷調查的重要線索。訴訟有可能推動監管機構介入專項核查，甚至出臺針對存儲產能投放、長協鎖價的約束規則，將民間維權訴求轉化為官方產業監管手段。

但也需要客觀認清集體訴訟的局限性：本次供需失衡根源存在特殊邊界，廠商傾斜HBM 本身屬于市場化逐利決策，原告舉證“主動協同減產抬價” 門檻極高；疊加新建晶圓廠18–24 個月長周期、AI 算力長期剛性需求，單靠司法訴訟無法短期修復存儲供需錯配，只能作為反壟斷監管的補充工具，無法替代戰略儲備、產能剛性底線、超額利潤調節等前置性產業治理政策。

集體訴訟的本質，不是解決方案，而是一個信號。

它能做到的，是向市場參與者傳遞一個信息：你們的“理性”決策正在被受害者以法律的方式重新審視。至于這個審視能否轉化為賠償或行為改變，需要數年甚至十年的時間才能見分曉。

換言之，集體訴訟的價值在于問責的開啟，而不在于問題的解決?！皼]有壞人”的危機，最需要的是制度層面的設計性回應。

有人提到，類似石油戰略儲備（SPR），可以在芯片價格飆升或供給中斷時釋放儲備，平抑市場。中國、美國、歐盟、日本、韓國可以建立多邊協調機制，共同采購和儲備基礎存儲芯片。這不僅能緩解短期沖擊，還能增強供應鏈韌性。這只是其中一種政策工具。

另外參考歷史，還有一些可能的政策工具包括：

對存儲芯片征收暴利稅：對存儲芯片征收暴利稅并非天方夜譚。美國在1970年代就曾對石油公司征收過“暴利稅”（Windfall Profit Tax）。如今，SK海力士的營業利潤率已高達72%，美光的毛利率更是突破了74%——這樣的盈利水平，已經超過了當年的石油巨頭。如果存儲廠商繼續維持這種暴利，要求它們“分享紅利”的聲音只會越來越大。

要求巨頭設立“基礎存儲產能”最低比例：類似公用事業的“普遍服務義務”，要求電力公司即使在不賺錢的地區也要供電。可以要求存儲巨頭保留一定比例的產能用于生產傳統DRAM和NAND，保障汽車、工業、醫療等關鍵行業的基礎供給。

動用反壟斷工具：反壟斷風險也在積聚。三大巨頭合計控制全球DRAM市場約90%份額，同時做出“向HBM轉產、壓縮通用DRAM供給”的相同決策，并因此獲得超額利潤。這種高度集中的市場結構和共同的市場行為本身就需要警惕。2018年，中國監管機構就對存儲行業的價格行為進行過一次全面、高規格的正式執法調查，這為當前的情況提供了重要的歷史參照。如果后續結構性失衡加劇，監管機構將保持長期警覺。

要討論針對存儲芯片通脹問題的政策干預，首先必須修正一個認知偏差。

將本輪存儲通脹完全歸咎于AI需求虹吸，是一種簡化但不夠準確的敘事。事實上，2025年至2026年的存儲漲價，是多股力量合流的結果：AI需求的爆發式增長是最大推力，但供給端同樣扮演了關鍵角色——2025年行業主動減產去庫存、老舊產線自然退出、以及三大巨頭即便有能力擴產，也選擇將資本開支優先配置到高毛利的HBM而非擴大通用存儲供給。這不是被動“被擠占”，而是主動“做選擇”。

這意味著，存儲芯片的結構性緊缺，是需求拉動與供給操控的混合體。如果將一切歸因于AI，既不符合產業事實，也為政策制定提供了錯誤的靶點。

承認這一復雜性之后，再來看制度工具的選擇，會發現一個令人沮喪的現實：大多數理想化的政策干預，在全球產業博弈的現實中無法落地。

對三星、SK海力士和美光征收“暴利稅”——需要跨國財政協調，在當前的地緣政治格局下幾乎不可能實現。要求存儲巨頭“強制留出”固定比例的通用存儲產能——這實質上是政府對企業的產權干涉，在自由市場邏輯下，恰恰構成了另一種行政破壞市場?！皯鹇詢錂C制”在理論上可以平抑價格波動，但存儲芯片有保質期、迭代速度快、儲備型號與市場需求易錯配，實操難度遠高于石油儲備。政策工具箱看似豐富，真正可用的卻極為有限。

但“能做的事情不多”不等于“追問沒有意義”。恰恰相反——當所有現成的制度工具都顯露出局限時，我們反而被逼著回到一個更根本的問題：這場危機究竟暴露了什么？

它暴露的不僅是一次產能錯配，而是一個更深層的矛盾：AI進步的節奏，正在超越現有經濟系統的吸收能力。當一種技術的進化速度超越了資源分配機制的調節能力時，整個經濟系統都會變成它的緩沖區。

庫克提到，這是“百年一遇的洪水”。如果AI持續進步，洪水的頻率可能會變成十年一遇、五年一遇。到那時，我們需要的就不再是一套應急工具，而是一種新的認知框架——一個能夠回答“當技術的進化速度持續超過制度的反應速度時，我們該怎么辦”的框架。

這個框架不會自動出現。它需要被追問、被爭論、被構建。每一次追問（無論最終能否找到答案本身）就是對現有規則的一次修正。

從這個層面來說，存儲芯片通脹不是一個終點，它是一個起點。

回到技術本質

真正能改寫規則的，是底層的技術路線

退回到市場和技術層面，最根本的解決方案仍然是技術創新。

存算一體、新型存儲器（如MRAM、ReRAM、PCRAM）、硅光互連等技術，有潛力在未來5-10年內部分替代傳統DRAM的功能，降低整個經濟對單一存儲芯片的依賴。政府可以通過研發資助和示范項目加速這些技術的成熟。

這也是以長鑫科技和長江存儲為代表的中國存儲芯片公司的機會。

當三巨頭把全部精力傾注于HBM時，長鑫科技與長江存儲不僅可以在中端市場快速填補產能空缺，更利用本輪積累的豐厚利潤反哺下一代技術研發。

得益于AI需求的結構性轉移為傳統DRAM市場留下了空間，中國廠商長鑫存儲正借此機會快速填補空白，成為這一壟斷格局首次出現的實質性松動。據Omdia數據，2025年第四季度長鑫存儲的全球市場份額已增至7.67%，位列全球第四，在主流智能手機供應鏈中站穩了腳跟。

NAND領域同樣由五大原廠主導，但競爭格局相對分散。長江存儲是新的入局者。2026年第一季度市場份額已達13%，與美光、閃迪并列全球第四，營收同比增長近445%，有望躋身全球前三。

同時，兩家公司正在啟動史上最大規模的擴產計劃。

這意味著，當三巨頭在HBM領域拼命內卷時，中國存儲企業正在同時鋪開兩條戰線：一條是抓住巨頭讓出的傳統市場真空，快速擴大市場份額、積累資金；另一條是用積累的資源向下一代技術發起沖擊，縮小與國際巨頭的代際差距。

長鑫與長江正在打通的正是一個中國半導體行業從未實現過的良性循環：周期紅利加速技術進步，技術進步又在新周期中占據更高生態位。

當然，更根本的長期解法，還是技術路線的底層革新。

存算一體、新型存儲器、硅光互連——這些技術正從實驗室走向產業前臺，有望在未來5-10年內部分替代傳統DRAM的功能，降低整個經濟對單一存儲芯片的依賴。

今年4月，安克創新展示了首款神經網絡存算一體AI音頻芯片Thus，用28nm制程實現了傳統7nm芯片的算力效果。產業界已有知存科技（已實現量產商用）、億鑄科技（布局數據中心大算力）、九天睿芯（B+輪融資推進量產落地）等多家企業取得商業化突破，兆易創新等上市公司正通過戰略投資加速布局，微納核芯完成B2輪融資，與兆易創新共筑三維存算一體LPU新生態。

在國家戰略層面，存算一體與三維集成、光電融合被一同列入“十五五”規劃綱要，作為下一代集成電路技術的前沿架構受到重點支持。

在新型存儲技術領域，MRAM、ReRAM、PCM等多條路線并行發展。ISSCC 2026上，清華大學、華為與字節跳動聯合團隊發布了一款基于RRAM介質的28nm混合存內計算芯片。該芯片擴展至多芯片系統后，QPS較傳統CPU方案提升66倍，能效比提升181倍，以新架構設計大幅提升了推薦系統核心運算的效率和能效。這些技術一旦成熟，將從底層顛覆今天的存儲架構。

存算一體等新技術不能直接繞開三巨頭，但它們可以和國產廠商的產能擴張形成合力——技術路線多元化降低了對傳統DRAM的單一依賴，而新廠商的崛起則打破了供給端的寡頭壟斷。兩者疊加，才能真正削弱三巨頭的定價權和分配權。

遠水無法解近渴，政府在加速這些技術成熟方面大有可為。

據美國半導體行業協會估算，全球各國在半導體領域的補貼總額預計將在2030年達到7300億美元。

美國的《芯片法案》持續向半導體制造和研究注資，2026年5月又簽署了九份總額超過20億美元的意向書，支持量子計算和下一代芯片技術；

歐盟方面，半導體行業協會SEMI呼吁將《芯片法案》投入規模擴大4倍至200億歐元，2026年6月歐盟委員會正式提出了《芯片法案2.0》立法提案，重點強化AI芯片設計制造能力；

日本累計向Rapidus注入超過2.6萬億日元（約170億美元），推動2nm及1.4nm先進邏輯制程的量產和研發；

中國的國家集成電路產業投資基金三期注冊資本高達3440億元，戰略方向從前兩期的產能擴張轉向攻堅設備、材料、先進封裝和AI存儲等核心環節。

這些努力處于不同的時間軸上，有的正在發生，有的需要五年，有的需要十年。但它們共同指向同一個方向：當一項基礎資源被少數企業壟斷時，打破壟斷的唯一方式，是讓這項資源本身變得不再那么不可替代。

責編 | 陳湘

題圖來源｜視覺中國