北京
BAE系統公司將利用1600萬美元聯邦資金，恢復可信的45納米抗輻射芯片生產能力。
美國戰爭部正投資1600萬美元給BAE系統公司，以恢復用于導彈、太空和戰略防御系統的抗輻射微電子器件的本土生產。這筆資金來自《國防生產法》第三章計劃，旨在加強美國的國防供應鏈。
這項投資將幫助BAE系統公司擴大抗輻射微電子器件（RHM）的制造能力。這類器件被設計用于在暴露于高輻射水平的環境中持續運行。此類芯片對于航天器、衛星、導彈系統以及其他必須在惡劣條件下可靠運行的軍事平臺至關重要。
該項目的關鍵部分是恢復BAE系統公司的“RH45店面”。這是一個基于抗輻射加固設計45納米絕緣體上硅技術的可信制造平臺。一旦投入運行，該店面將允許國防客戶使用經過認證的生產工藝，設計和制造他們自己的定制抗輻射芯片。
這筆資金支持了戰爭部在美國境內重建關鍵工業能力、同時減少對脆弱戰略技術供應鏈依賴的更廣泛努力。
“抗輻射微電子器件對戰爭部的導彈、太空和戰略系統至關重要，”戰爭部負責工業基礎政策的助理部長邁克爾·卡德納齊表示。“該項目確保戰爭部能夠獲得合格的產品。”
與傳統半導體不同，抗輻射芯片經過專門設計，能夠承受可能干擾或永久損壞電子元件的輻射。它們通常用于軍事衛星、戰略武器以及在地球保護性大氣層之外運行的航天器。
來自太空和其他高能環境的輻射可能會破壞數據或永久損壞傳統電子設備。抗輻射芯片旨在抵御這些影響，使其對于長期太空任務、軍事衛星以及可靠性至關重要的戰略防御系統來說不可或缺。
恢復后的RH45店面將作為一個集中制造中心，政府機構和國防承包商可以在此獲取標準工藝技術、開發資源和制造服務，用以構建專用集成電路和標準半導體產品。
戰爭部表示，這項投資將有助于創建、維持和擴大這些專用元件的國內生產能力，同時提升長期供應鏈的韌性。
“這項工作確保了45納米絕緣體上硅技術始終可用于戰爭部系統，”負責工業基礎韌性的戰爭部代理副助理部長杰弗里·弗蘭克斯頓說。“這實現了成本規避，使各項目不必被迫重新設計和重新認證它們的系統。”
保留現有的可信制造工藝，還使得國防項目能夠繼續使用經過驗證的芯片設計，而無需進行昂貴的重新設計或冗長的認證工作。這可以縮短部署時間，同時降低未來武器和太空系統的成本。
這筆1600萬美元的撥款，是戰爭部自2026財年開始以來宣布的五項《國防生產法》第三章投資之一。這些項目總計1.026億美元，重點在于加強美國國防工業基礎的關鍵環節。
這項最新的投資，反映出美國持續努力確保被認為對國家安全至關重要的先進半導體技術的本土生產，尤其是在國防和太空應用對高可靠性電子設備需求不斷增長的情況下。
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