存儲(chǔ)芯片行業(yè)或迎新一輪供需波動(dòng)

據(jù)英國《金融時(shí)報(bào)》7月20日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體板塊此前持續(xù)暴漲的行情已然止步，投資者開始警惕一個(gè)老生常談的風(fēng)險(xiǎn)：周期屬性極強(qiáng)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)或?qū)⒃俣认萑氘a(chǎn)能過剩。

盡管三星電子最新季度業(yè)績指引好于市場預(yù)期，但該股股價(jià)較6月高點(diǎn)已下跌1/3；SK海力士美股上市表現(xiàn)亮眼，但其韓國本土股價(jià)暴跌近40%；美光股價(jià)跌幅也超30%。

股價(jià)的劇烈波動(dòng)，折射出當(dāng)下一場高風(fēng)險(xiǎn)博弈：一邊是人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心催生海量存儲(chǔ)芯片需求，另一邊是各大廠商斥巨資大舉擴(kuò)產(chǎn)、供給持續(xù)放量。如今半導(dǎo)體企業(yè)市值躋身全球前列，這場供需博弈的最終走向，將影響數(shù)百萬投資者的收益。

首爾成均館大學(xué)教授權(quán)錫俊警告，若AI需求不及預(yù)期，幾大存儲(chǔ)巨頭的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃或?qū)⒃?028年推高行業(yè)庫存，引發(fā)供給過剩。

全球芯片巨頭加大投資

近年來，AI模型訓(xùn)練和推理需求快速增長，對(duì)服務(wù)器性能提出更高要求，存儲(chǔ)芯片成為AI基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分。尤其是?高帶寬內(nèi)存（HBM），由于能夠滿足人工智能計(jì)算過程中高速數(shù)據(jù)傳輸需求，已成為全球芯片企業(yè)爭相布局的重要領(lǐng)域。

SK海力士已公布規(guī)模達(dá)1100萬億韓元的投資計(jì)劃，即2033年前，在龍仁投資600萬億韓元建設(shè)四座動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?（DRAM）工廠、向清州閃存廠區(qū)投入100萬億韓元，并在韓國西南部投資400萬億韓元打造全新半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。該公司高管近期多次表態(tài)，擬未來5年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能翻倍，到2034年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能翻三倍。

三星電子也公布了大規(guī)模半導(dǎo)體投資計(jì)劃：2040年前，將在韓國本土半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投入2100萬億韓元，但未明示存儲(chǔ)代工與晶圓代工板塊各自的投資金額。

美國存儲(chǔ)芯片企業(yè)美光科技同樣加快了全球產(chǎn)能布局。該公司承諾，2035年前將在美國投資超2500億美元，在愛達(dá)荷、紐約、弗吉尼亞州新建晶圓廠，同時(shí)加碼日本廣島DRAM工廠與印度等全球生產(chǎn)基地。

與此同時(shí)，大型科技企業(yè)仍在持續(xù)建設(shè)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施。微軟、亞馬遜、谷歌母公司Alphabet以及元公司（Meta）等均計(jì)劃增加數(shù)據(jù)中心投資，對(duì)高性能計(jì)算芯片和存儲(chǔ)產(chǎn)品形成持續(xù)需求。

中國或改變?nèi)蛐酒?yīng)格局

不過，與其他半導(dǎo)體領(lǐng)域相比，存儲(chǔ)芯片行業(yè)具有較強(qiáng)周期屬性。過去幾十年，行業(yè)多次經(jīng)歷繁榮與蕭條。上世紀(jì)90年代，該賽道尚有約20家玩家，如今全球僅存上述三大頭部供應(yīng)商。

雖然三巨頭未來投資計(jì)劃中的新建廠區(qū)大多要到2030年后才能投產(chǎn)，但未來15年整體擴(kuò)產(chǎn)投入巨大，市場擔(dān)憂新一輪產(chǎn)能過剩周期將至。

《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，近期全球主要存儲(chǔ)芯片企業(yè)的股價(jià)波動(dòng)，反映出市場對(duì)于行業(yè)未來供需關(guān)系的重新評(píng)估。部分投資者開始關(guān)注，人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投入是否能夠持續(xù)轉(zhuǎn)化為企業(yè)利潤，以及當(dāng)前擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃是否可能導(dǎo)致未來供應(yīng)壓力增加。

不過，有分析人士指出，本輪存儲(chǔ)芯片周期與過去存在一定差異。

麥格理首爾分析師金丹尼爾解釋道：HBM晶圓耗用成本持續(xù)走高，同時(shí)DRAM制程微縮技術(shù)難度不斷加大。生產(chǎn)AI核心的HBM芯片，需要消耗遠(yuǎn)多于普通DRAM的硅片。于是，在DRAM供不應(yīng)求的格局下，下游客戶已與三星、SK海力士、美光簽訂了多年長期協(xié)議，優(yōu)先鎖定產(chǎn)能供給。

在權(quán)錫俊看來，HBM高度定制化，出現(xiàn)供給過剩的概率更低，但通用DRAM或在2029年迎來產(chǎn)能過剩。未來幾年，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可能成為改變?nèi)虼鎯?chǔ)芯片供應(yīng)格局的最大變量。

“中國是決定行業(yè)周期走向的關(guān)鍵變量。韓國廠商表示會(huì)根據(jù)市場行情調(diào)整投資節(jié)奏，但如果中國企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)力度超出預(yù)期，韓企將很難把控全球供給總量?！睓?quán)錫俊說。

摩根士丹利測算，2028年前，中國新增DRAM晶圓產(chǎn)能將占全球增量的30%，規(guī)模僅次于韓國。