沖擊萬億市值！國產存儲龍頭長鑫科技正式啟動申購

今天上午 9 點 30 分，隨著上交所開盤，國產 DRAM 龍頭長鑫科技集團股份有限公司正式啟動科創板新股申購。這是 2026 年 A 股市場迄今規模最大的 IPO，也是科創板開板以來僅次于中芯國際的第二大 IPO 項目，發行價為 8.66 元/股。

由于機構詢價需求遠超預期，公司最終發行規模由原計劃募資 295 億元提升至約 579 億元，超募近一倍，創下科創板開板以來最大募資紀錄。按發行價計算，長鑫科技上市時總市值約 5,792 億元。多家機構預計，其上市交易后的市值有望突破萬億元，甚至達到 2 萬億元。

對半導體行業而言，長鑫科技還有一個更為人熟悉的名字——長鑫存儲。作為中國大陸目前唯一實現 DRAM 大規模量產的企業，也是全球第四大 DRAM 制造商，這家公司今天正式邁入資本市場，也成為中國存儲產業發展歷程中的一個重要節點。

十年四代工藝：從零到全球第四

DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器）是半導體產業技術門檻最高、市場集中度最高的細分領域之一，也是智能手機、PC、服務器、汽車等電子設備最核心的存儲芯片之一。長期以來，三星電子、SK 海力士和美光科技三家公司合計占據全球九成以上市場份額，形成了高度集中的競爭格局。在長鑫科技崛起之前，中國大陸在 DRAM 領域幾乎沒有實現規模化量產能力。

圖｜DRAM（來源：Wikipedia）

長鑫科技成立于 2016 年，總部位于安徽合肥，采用 IDM（Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造）模式，集芯片設計、制造和銷售于一體。目前，公司已在合肥和北京建成三座 12 英寸 DRAM 晶圓廠，產能接近滿產。

技術路線方面，長鑫科技選擇了業內少見的“跳代研發”策略。十年間，公司完成了從第一代到第四代工藝技術平臺的量產迭代，產品覆蓋 DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X 等主流 DRAM 品類，應用于消費電子、服務器、智能汽車和工業控制等多個領域。這意味著，長鑫科技已不再局限于中低端市場，而是在 DDR5、LPDDR5X 等新一代產品上，開始與國際頭部廠商展開競爭。

根據相關數據，截至 2025 年第四季度，長鑫科技全球 DRAM 市場份額達到 7.67%；Counterpoint 統計顯示，2026 年第一季度進一步提升至約 8%。SemiAnalysis 預測，到 2026 年底，長鑫科技的 DRAM 產能有望超過美光，成為全球第三大 DRAM 制造商；到 2028 年，其全球市場份額可能達到 17%。如果這一預測實現，持續二十余年的全球 DRAM“三強格局”或將迎來新的變化。

AI 拉開存儲產業新周期

長鑫科技選擇在此時登陸資本市場，恰逢存儲芯片行業迎來近年來最強勁的一輪上行周期。而這輪周期最大的變量，正是 AI。

過去，存儲行業的景氣波動更多由供給端主導：廠商集中擴產導致價格下跌，減產后價格回升，周期循環往復。而這一輪有所不同。隨著大模型訓練和推理快速發展，AI 對存儲容量、帶寬和能效提出了前所未有的要求，需求端開始成為推動行業增長的核心力量。

最直接的體現是 HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）的快速崛起。作為 AI 加速芯片的重要組成部分，HBM 已從相對小眾的產品成長為存儲行業最具戰略價值的賽道之一。英偉達新一代 GPU 持續增加 HBM 容量，而訓練萬億參數級大模型所需的存儲資源，已遠超傳統數據中心負載。與此同時，DDR5 和 LPDDR5X 在服務器、PC 和智能終端中的滲透率不斷提升，傳統 DRAM 產品同樣受益于 AI 基礎設施建設的持續擴張。

（來源：Acemagic）

從市場數據來看，這輪增長力度也明顯超過以往。IDC 預計，全球 DRAM 市場規模將在 2026 年繼續保持高速增長；Counterpoint 數據顯示，2026 年第一季度全球 DRAM 營收達到 970 億美元，環比增長約 80%，創下歷史新高。與此同時，三星、SK 海力士和美光紛紛提高資本開支，加碼 HBM、先進制程和新產線建設。不過，從投資到產能釋放通常需要較長時間，短期內供需偏緊的局面仍難以明顯緩解。

對于長鑫科技而言，這輪周期帶來的不僅是價格上漲和業績改善，更意味著新的市場機會。隨著三星、SK 海力士和美光將更多產能和研發資源投向 HBM 等高端產品，消費級和移動 DRAM 市場釋放出更多空間，為長鑫科技進一步拓展客戶、優化產品結構提供了機會。國產替代需求持續釋放，加上海外廠商資源向高附加值產品傾斜，共同推動了公司的增長。

不過，存儲行業的周期性并未消失。長鑫科技在招股書中提示，如果 AI 下游需求低于預期，或市場供需關系發生較大變化，行業仍可能重新進入下行周期。有分析認為，隨著全球新增產能在 2027 至 2028 年陸續投產，供需關系有望逐步改善，行業景氣度也可能隨之回落。對于存儲行業而言，AI 正在改變周期的驅動力，但并沒有消除周期。

國產存儲進入資本市場

長鑫科技不是近期唯一走向資本市場的存儲企業。幾乎同一時間，全球存儲產業正迎來新一輪資本化進程。

在國內，另一家國產存儲龍頭長江存儲也在加快上市步伐。2026 年 5 月 19 日，長江存儲控股股份有限公司在湖北證監局完成 IPO 輔導備案，正式啟動科創板上市程序。

長江存儲是國內唯一具備完整 3D NAND Flash 產業鏈能力的 IDM（Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造）企業。其自主研發的 Xtacking 架構已實現 232 層及以上產品量產，并于 2026 年推進至 300 層產品。根據市場機構數據，2026 年第一季度，長江存儲 NAND Flash 全球市場份額約 13%，營收同比實現翻倍增長，市場普遍預計其 IPO 估值約 3,000 億元。

如果說長鑫科技代表國產 DRAM，那么長江存儲則代表國產 NAND Flash。“兩存”相繼啟動 IPO，意味著中國存儲芯片產業正從技術突破邁向資本驅動的發展階段。招商證券認為，隨著兩家公司持續擴產，半導體設備、材料等產業鏈有望持續受益。

放眼全球，資本市場同樣看好存儲產業。7 月 10 日，全球第二大 DRAM 制造商 SK 海力士以每份 ADR 149 美元的發行價登陸納斯達克，募資 265 億美元，創下外國企業赴美 IPO 融資規模新紀錄。此前，憑借 HBM 業務的快速增長，SK 海力士市值一度超過三星電子，成為韓國 KOSPI 市值最高的上市公司，結束了三星連續 26 年的領先地位。

美東時間 7 月 14 日，就在長鑫科技開啟申購前。SK 海力士 ADR 單日上漲超過 27%，創上市以來新高，總市值達到 1.41 萬億美元，收盤價較韓國本土股票溢價約 51%。同一天，公司宣布正式啟動面向英偉達下一代 AI 平臺 Vera Rubin 的 12 層 HBM4 量產出貨。消息帶動美股存儲板塊整體走強，美光科技上漲近 5%，閃迪漲幅超過 5%。

圖｜SK 海力士在納斯達克敲鐘（來源：SK hynix）

一周之內，長鑫科技登陸 A 股，SK 海力士登陸美股，兩家全球重要存儲廠商幾乎同步完成資本市場的重要一步。這也從一個側面反映出，AI 驅動下的存儲產業仍處于高景氣周期，企業對未來幾年市場需求和技術投入保持較強信心。

1.https://www.yicai.com/news/103266564.html

2.https://www.21jingji.com/article/20260519/herald/15117f59da7b1e0460d48c49a8381362.html

3.https://www.eet-china.com/news/202605191506.html

4.https://www.stcn.com/article/detail/4010092.html

運營/排版：何晨龍

注：封面/首圖由 AI 輔助生成