北京
此次出貨的樣品是第十代BiCS FLASH 3D閃存技術打造的1Tb TLC存儲芯片。
鎧俠已啟動采用第十代BiCS FLASH 3D閃存技術打造的1Tb三級單元（TLC）存儲芯片樣品出貨。當前高端存儲需求持續攀升，全球廠商爭相為人工智能系統、數據中心及企業客戶供應更大容量、更低功耗的存儲產品，鎧俠此舉也凸顯了這場行業競爭。
該款芯片主要面向企業級與數據中心固態硬盤（SSD）市場，鎧俠表示，其能夠提升設備性能、擴容存儲容量并降低功耗。芯片目前在日本巖手縣北上市工廠第二廠區完成生產。
鎧俠介紹，第十代產品搭載CMOS直連陣列技術、柵極漏極同節距選擇門技術，兩項技術自第八代BiCS FLASH平臺起便已投入使用。該代閃存的NAND接口速率可達4.8吉比特每秒，較第八代提升33%。通過堆疊332層存儲單元并優化橫向存儲密度，芯片位密度提升59%；寫入功耗效率優化18%，讀取功耗效率提升30%，有助于降低數據中心與企業基礎設施的整體能耗。
鎧俠采用雙線并行研發策略：第九代產品主打以較低制造成本實現高性能；第十代技術則依托先進多層堆疊工藝，主攻超大容量與更強綜合性能。目前送出的樣品僅用于功能驗證，量產版本的規格參數或將存在調整。
鎧俠第十代BiCS閃存：CBA架構與讀取性能優化
隨著尺寸微縮的難度持續攀升，鎧俠不再單純依靠堆疊層數，而是將鍵合技術作為下一代NAND閃存的核心差異化競爭力。
性能提升的核心依托鎧俠CBA（CMOS直連存儲陣列）架構。該工藝對晶圓對位精度、互連集成度要求極高，但能效提升效果顯著。據日經新聞消息，鎧俠這款NAND閃存的讀寫速度相比競品高出約20%至30%。
CBA架構將存儲單元與外圍電路分制于兩片晶圓后再完成鍵合，實現更高效的電路布局與更高存儲密度。該思路與三星晶圓對晶圓（W2W）鍵合技術大體相似，但鎧俠自218層閃存世代起，便將CBA列為自家NAND技術路線圖的核心方案。
除存儲密度提升外，第十代BiCS閃存讀取延遲縮短4微秒，讀取功耗降低29%，單位容量讀取能耗從約100毫焦/GB降至75毫焦/GB左右。性能大幅優化主要源于對連續讀取過程中未選字線的調控優化。在332層超高堆疊結構中，大部分延遲與功耗損耗都來自長字線鏈路反復在地電位（VSS）與讀取電壓（VREAD）之間充放電。
鎧俠并未在每個讀寫周期內將字線電壓在地電位與讀取電壓間完全放電、重新充電，而是僅把電壓降至中間檔位，再回升至讀取電壓開啟下一輪讀取，大幅提升高堆疊層數NAND閃存的工作能效。
鎧俠敲定2027年第二季度赴美上市
近日，全球NAND閃存領軍企業鎧俠在年度股東大會上正式官宣上市規劃，鎧俠首席財務官河村芳彥表示，公司計劃于2027財年第二季度登陸美國主板市場，通過發行美國存托股份（ADS）完成正式掛牌，并且同步考量日本本土股票拆分事宜。
行業資料顯示，鎧俠目前僅以場外交易（OTC）形式流通美股存托憑證，交易流動性、市場關注度與主流主板標的存在明顯差距。本次赴美主板上市，意味著鎧俠將打通美國核心資本市場，無需依托場外交易體系，可直接對接全球機構投資者，大幅提升資本運作能力與國際品牌影響力。目前，公司已啟動承銷商篩選工作，各項上市籌備工作有序推進。
鎧俠此番沖刺美股，目的是結合行業周期、產業趨勢與自身戰略的深度布局，核心動因聚焦三大維度。首先，借力美股高估值賽道拓寬融資渠道，為3D NAND先進制程研發、產能擴建及技術迭代提供資金支撐，穩固自身在高端存儲領域的技術壁壘。其次，適配AI算力存儲爆發的產業趨勢，存儲行業正進入AI驅動的新一輪增長周期。鎧俠深耕3D堆疊閃存技術，赴美上市可精準對接北美AI產業鏈核心資源，深化與全球云廠商、算力企業的合作，搶占AI存儲增量市場。最后，推進獨立化、國際化戰略落地。長期以來，鎧俠背靠日系產業體系，此次赴美上市是其脫離傳統日系資本框架、走向全球化獨立運營的關鍵一步。
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