芯片散熱研究生學術論壇（第四期）

高功率芯片作為人工智能、 5G 通信、新能源汽車、航空航天等高端產業的核心算力支撐，是推動現代科技向高算力、高集成化方向發展的關鍵核心部件。但芯片集成度的飛速提升，也造成了芯片功率密度攀升和局部熱點形成，導致芯片散熱成為制約其性能發揮、運行穩定性的核心瓶頸。因此構建高效，穩定的芯片散熱體系已成為電子系統長期可靠運行的核心要求。

為了促進芯片散熱領域的知識傳播與成果分享，搭建國內外優秀研究生的高水平學術交流橋梁，拓寬學術視野，推動該領域的理論創新、技術突破與產學研融合，微信公眾平臺“芯片散熱”聯合《超越摩爾（英文）》期刊將定期舉辦關于芯片散熱專題的研究生學術論壇。該論壇將聚焦芯片散熱方案設計、高效散熱材料研發、微型散熱結構優化、微納尺度散熱技術突破等核心科學與工程問題，深入探討芯片散熱領域的學術前沿、技術瓶頸及應用前景，對促進相關技術的創新發展、加速成果轉化具有重要意義。

每一期論壇將安排3位研究生作報告，按照30分鐘左右PPT展示的方式進行，時間沒有嚴格限制，充分交流。在此，我們誠摯地邀請國內外優秀研究生報名參加。參與的研究生之后可以申請芯片散熱獎學金，每人5000元。詳細信息看下面的鏈接：

會議名稱：芯片散熱研究生學術論壇 (第四期)

會議時間：2026年6月6日 19:00-21:00

主持人：謝尚珍 湖北大學

點評專家：曹楨 華南理工大學

張天時 吉林大學

報告安排：

參會方式：

騰訊會議：233-602-180

寇享學術：https://www.koushare.com/live/details/52389

報告題目：

用于高功率電子器件的協同增強相變熱界面材料-實現低熱阻與長期可靠性

報告摘要：

隨著電子設備不斷小型化與集成化，傳統導熱界面材料（TIMs）在應對微處理器、IGBT等器件的高溫熱應力循環時，常面臨導熱不足、泵出效應、泄漏等問題。本研究提出了一種創新的協同增強策略，通過將氧化鋁、氧化鋅導熱填料與端羥基聚丁二烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物相結合，開發出一種兼具高導熱、形狀穩定和優異長期可靠性的軟質相變熱界面材料。該材料在95 wt%的高填充量下，導熱系數達到3.83 W/(m·K)，總熱阻低至0.10-0.14 K·cm2/W，并在超過250次熱循環中保持了穩定的界面浸潤性，為解決高功率電子器件的熱管理難題提供了新方案。

報告題目：

基于風冷輕量化三維熱虹吸散熱器實現千瓦級芯片熱管理-實驗與理論研究

報告摘要：

人工智能的快速發展使芯片功率密度達到前所未有的水平，亟需更高效的冷卻技術。受限于固有的熱物性瓶頸，傳統固態金屬散熱器已無法滿足當前的散熱需求；而常規準二維相變散熱器則受限于等效擴展面積小，導致可承受的散熱功率嚴重不足。針對上述問題，本研究提出一種輕量化風冷鋁基三維熱虹吸散熱器，顯著擴展了等效傳熱面積，實現了熱量傳導從二維到三維的躍遷。實驗結果表明：在風量不超過100 CFM的條件下，該裝置可穩定承受1200 W的散熱功率（熱阻0.068 K/W），并耐受128 W/cm2的熱流密度（熱阻0.117 K/W）。這一成果在保證設備輕量化與低加工成本的同時，以風冷方式成功解決了kW級散熱難題，為高熱流密度電子器件的冷卻提供了實驗依據與設計指導。

報告題目：

從單工況最優到多工況魯棒-面向GPU/AI芯片工況依賴型熱點分布的微通道熱沉多模式拓撲優化

報告摘要：

高性能GPU與AI加速器功能單元隨工況動態切換，芯片表面熱點位置隨負載顯著變化，呈現典型的熱點遷移特征。傳統微通道熱沉拓撲優化多基于單一固定熱邊界，所得結構在偏離設計工況時易出現冷卻液偏流與局部過熱，工程可用性嚴重受限。本研究提出多模式加權拓撲優化框架，將多種代表性穩態熱邊界嵌入設計過程，使微通道內部形成多支路互聯流道。在熱場變化時，實現冷卻液被動再分配，將微通道拓撲優化從"工況專屬最優"推進至"多工況魯棒"的設計范式。基于三維耦合熱-流體模型，在Re=400~850范圍內的評估表明：多模式耦合設計以僅1.24 K峰值溫升的極小代價，將基板溫度標準差降低17.5%，且在全流量區間持續逼近單工況最優Pareto前沿。針對常規綜合評價指標無法衡量等泵功下非均勻熱場的缺陷，提出綜合熱-水力-均勻性指數，準確量化了多模式設計的魯棒性優勢。場協同分析證實，耦合拓撲在熱邊界變化時仍維持較低全局協同角，無需主動控制即可實現工況自適應，為魯棒散熱設計提供了新的方法學路徑。

第五期 芯片散熱研究生學術論壇也在籌備當中，歡迎感興趣的學生報名參加！

報名方式：

請以郵件的形式將報告題目、中文摘要以及報告人信息（姓名、單位、碩士/博士、免冠照、指導老師）發送至郵箱chipheat@163.com，郵件主題請按照格式“單位+姓名”書寫。初選通過之后，將發郵件確認。

歡迎廣大研究生積極參與論壇報告與交流，分享最新研究成果，推動該領域的持續創新發展！

關于期刊

About Journal

《超越摩爾(英文)》(Moore and More, MaM) (CN: 31-2214/TN, pISSN: 2097-616X)，是全球首本專注于集成電路超越摩爾(泛摩爾技術)領域的英文期刊，于2023年創刊，入選中國科技期刊卓越行動計劃高起點新刊。由上海大學主辦，在Springer·Nature平臺開放獲取出版。MaM致力于推動集成電路領域的基礎創新與產業技術發展，涵蓋新材料、新器件、新系統、制造新原理及工藝新方法等前沿方向，發表研究論文、綜述、路線圖等多種文章形式，架起從基礎研究到工程技術的學術橋梁。作為鉆石開源(OA)期刊，MaM提供免費獲取、快速出版和語言潤色服務，助力學術成果全球傳播。MaM誠邀您投遞與Chiplet、SoC/SiP、異質集成、原子制造、微電子材料、智能感知芯片、人機交互器件與芯片、元宇宙芯片與顯示、MEMS與硅光芯片、能源器件與芯片、功率電子器件與芯片、半導體裝備等主題相關的論文，共同推動前沿研究與工業創新。

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