九年沉寂一朝爆發(fā)：長鑫科技半年賺回366億虧損

撰文 | 大衛(wèi)

編輯 | 茶茶

5月17日，國產(chǎn)DRAM龍頭企業(yè)長鑫科技集團(tuán)股份有限公司更新了科創(chuàng)板IPO招股說明書。一組數(shù)字，震動了整個資本市場。

2026年第一季度，長鑫科技實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入508億元，同比增長719.13%，實(shí)現(xiàn)凈利潤330.12億元，較去年同期虧損約28.25億元而言，凈增長近360億元。按90天計(jì)算，這家成立近十年的芯片公司，今年一季度日均凈利潤已接近4億元。半年度的預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)更為震撼：2026年上半年，公司預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入1100億元至1200億元，同比增長612%至677%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤500億元至570億元，同比增長超過22倍。

這樣的業(yè)績，讓長鑫科技以“一天賺近4個億”的姿態(tài)，超過了貴州茅臺的賺錢能力。而就在不到一年前，這家公司仍在虧損的泥潭中掙扎。

2016年，安徽省合肥市與兆易創(chuàng)新創(chuàng)始人朱一明聯(lián)手啟動長鑫存儲項(xiàng)目，一期總投資180億元。此后的近十年，這條道路走得極其艱難。截至2025年12月31日，長鑫科技累計(jì)虧損高達(dá)366.5億元。2023年虧損163.4億元，2024年虧損71.45億元，外界關(guān)于“燒錢無底洞”的嘲諷從未間斷。

轉(zhuǎn)機(jī)出現(xiàn)在2025年。這一年，長鑫科技實(shí)現(xiàn)營收617.99億元，同比增長約155%，歸母凈利潤首次轉(zhuǎn)正為18.75億元，較此前市場預(yù)期提前實(shí)現(xiàn)了盈利。進(jìn)入2026年，業(yè)績增速驟然換擋為火箭般的斜率，一季度營收超過2025年全年?duì)I收的八成。

01

從產(chǎn)能閑置到日賺四億，誰是背后的推手

如此驚人的業(yè)績反轉(zhuǎn)，根源在于“存儲超級周期”的到來。2025年以來，AI算力產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，大模型訓(xùn)練與推理需求爆炸式增長，對存儲芯片的需求呈現(xiàn)指數(shù)級飆升。據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2025年全球DRAM/NAND Flash市場規(guī)模首破2000億美元，2026年預(yù)計(jì)突破6000億美元，存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)入史詩級黃金周期。

AI服務(wù)器成為需求核心。群智咨詢的最新數(shù)據(jù)顯示，2026年全球AI服務(wù)器出貨量預(yù)計(jì)約為370萬臺，同比增長51.3%。一臺AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)倍，而HBM（高帶寬內(nèi)存）更是成為制約算力上限的關(guān)鍵資源。

需求暴漲之下，供給端卻出現(xiàn)了明顯的結(jié)構(gòu)性錯配。三星、SK海力士等國際存儲巨頭將大量先進(jìn)制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM產(chǎn)品，大幅壓縮了常規(guī)DRAM的產(chǎn)能供給，市場上通用DRAM供給缺口迅速擴(kuò)大。供給緊張導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)暴漲——64GB DDR5 RDIMM的現(xiàn)貨價(jià)格從200多美元飆升至2500美元以上，暴漲超過10倍。業(yè)內(nèi)人士普遍預(yù)計(jì)，本輪行業(yè)景氣周期有望延續(xù)至2027年年中。

對長鑫科技而言，這無疑踩中了歷史性的窗口。公司長期積累的技術(shù)能力在超級景氣周期中迎來了價(jià)值兌現(xiàn)：采取 “跳代研發(fā)”策略，已完成四代工藝平臺量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋 DDR4 到 DDR5/LPDDR5X 全系列，核心產(chǎn)品達(dá)國際先進(jìn)水平。其全球市場份額從 2025 年第二季度的 3.97% 躍升至第四季度的 7.67% ，半年翻倍，躍居全球第四。產(chǎn)能方面，公司在合肥、北京布局 3 座 12 英寸晶圓廠，是中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的存儲 IDM 企業(yè)。

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沖刺科創(chuàng)板重塑全球存儲格局

在業(yè)績爆發(fā)的同步，長鑫科技正加速沖刺科創(chuàng)板IPO。此次IPO由中金公司、中信建投聯(lián)合保薦，是科創(chuàng)板首單適用“預(yù)先審閱”制度的IPO項(xiàng)目，擬募資295億元。從募資規(guī)模來看，有望成為科創(chuàng)板開板以來規(guī)模第二大的IPO，僅次于中芯國際。

此次募資中，130億元用于長鑫存儲二期晶圓制造項(xiàng)目，90億元用于下一代DRAM前瞻技術(shù)研究與開發(fā)，75億元用于存儲器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級改造。產(chǎn)能擴(kuò)建計(jì)劃明確：長鑫計(jì)劃將月產(chǎn)能從當(dāng)前20余萬片提升至30萬片以上，預(yù)計(jì)2026年現(xiàn)有三廠產(chǎn)能全部達(dá)產(chǎn)。

在估值層面，市場的想象空間已經(jīng)打開。有分析認(rèn)為，若2026年全年利潤達(dá)到1000億元規(guī)模，按50倍市盈率估算，長鑫科技IPO估值或接近5萬億元，有望刷新A股“股王”。即便保守估計(jì)，市場普遍認(rèn)為其估值將超過2萬億元。今年一季度，長鑫科技的歸母凈利潤規(guī)模在全部A股公司中已排名第13，僅次于工商銀行、中國移動、貴州茅臺等傳統(tǒng)巨頭。

從盈虧逆轉(zhuǎn)的速度來看，這種估值想象并非空中樓閣。 2026 年一季度單季歸母凈利潤達(dá) 247.62 億元，而公司截至 2025 年底的累計(jì)虧損僅為 366.5 億元——僅僅一個季度就收回了三分之二的“歷史欠賬”，上半年預(yù)計(jì)歸母凈利潤 500 億元至 570 億元，意味著半年即可全面抹平近十年的巨額虧損。這樣的盈利能力，在近二十年的中國資本市場中極為罕見。

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沖刺科創(chuàng)板重塑全球存儲格局

長鑫科技的業(yè)績爆發(fā)，固然是AI時代存儲超級周期賦予的時代紅利，但狂歡背后，三個維度的挑戰(zhàn)仍不容忽視。

第一是周期性風(fēng)險(xiǎn)。存儲行業(yè)本質(zhì)上是強(qiáng)周期性行業(yè)，其價(jià)格波動幅度遠(yuǎn)超其他半導(dǎo)體品類。若未來供需格局逆轉(zhuǎn)、價(jià)格回落，當(dāng)前的高增長態(tài)勢將面臨劇烈收縮。長鑫科技2025年毛利率為41.02%，而三星等巨頭的毛利率水平遠(yuǎn)高于此。當(dāng)潮水退去，盈利能力的韌性將面臨真正考驗(yàn)。

第二是技術(shù)代差。盡管長鑫科技已將技術(shù)與國際頭部廠商的差距縮短至不到三年，但代差依然存在。長鑫最先進(jìn)制程為19nm DDR5，而三星等巨頭已量產(chǎn)10nm級芯片。HBM領(lǐng)域，長鑫2024年才量產(chǎn)HBM2，HBM3計(jì)劃2026年投產(chǎn)，與三星、SK海力士合計(jì)占據(jù)HBM市場90%以上份額的格局相比，短期內(nèi)追趕難度依然巨大。

第三是外部環(huán)境的不確定性。美國對華半導(dǎo)體設(shè)備出口管制持續(xù)收緊，EUV光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備獲取受限。核心技術(shù)產(chǎn)品的國產(chǎn)替代雖在推進(jìn)，但高純度前驅(qū)體、光刻膠等上游材料仍有約60%依賴進(jìn)口。這將直接影響產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)迭代的節(jié)奏。

不過，從更長遠(yuǎn)的時間維度來看，AI驅(qū)動的存儲需求增長具有不可逆性。據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，全球DRAM市場規(guī)模有望從2025年的1505億美元增至2030年的5710億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)30.56%。長鑫科技能否將這一輪爆發(fā)式的周期紅利轉(zhuǎn)化為長期的研發(fā)投入、產(chǎn)能儲備和市場地位，將決定它未來在全球存儲產(chǎn)業(yè)版圖上的真正坐標(biāo)。從“國產(chǎn)替代”到“全球玩家”，這條道路才剛剛邁出第一步。

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