河南
快科技7月22日消息，據報道，SK海力士CEO郭魯正近日發出警告，稱2027年將是存儲行業歷史上供應最嚴峻的一年，當前由內存漲價引發的市場震蕩可能還遠未見頂。
Business Times稱，2027至2028年間存儲相關晶圓產能預計每年增長約12%，但其中約一半將被HBM占據。
其中三星2026年HBM出貨量約為120億Gb，2027年將增至200億Gb；SK海力士2026年為180億Gb，2027年將達240億Gb。HBM對晶圓的吞噬效應直接擠壓了常規DRAM的產能空間。
由此帶來的結果是，2027至2028年非HBM DRAM位元增長率將被限制在年化15%，而同期需求預計增長22%，供應缺口達7個百分點。
產能擴容方面，三星P5 Fab 1將于2027年7月投產，P5 Fab 2和龍仁另一座工廠要到2029年才能開始量產。SK海力士龍仁Y1工廠計劃2027年2月投產，Y2工廠預計2028年下半年才能上線。這意味著短期內新增產能難以有效緩解供應緊張。
長鑫存儲向DDR6的轉型計劃可能是一個緩解因素，但目前其量產時間表尚不確定，且是否向中國以外市場供貨仍不確定。
日前威剛董事長陳立白在采訪期間也駁斥AI泡沫論，稱未來十年最缺電力和內存，三大原廠理性擴產不會無序擴張，內存價格下半年將繼續上漲。
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