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三星似乎正籌備一款入門級PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤（SSD），其設(shè)計(jì)移除了傳統(tǒng)驅(qū)動器中常見的板載DRAM緩存。這款未正式發(fā)布的型號近期曾在三星官網(wǎng)短暫亮相，隨后頁面下架，公司官方至今未予確認(rèn)。
曝光的規(guī)格顯示，該驅(qū)動器容量為1TB，順序讀取速度高達(dá)7,150 MB/s，寫入速度可達(dá)6,450 MB/s。
以HMB技術(shù)彌補(bǔ)無DRAM短板
傳統(tǒng)SSD依賴專用DRAM存儲閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）數(shù)據(jù)，以便控制器高效定位NAND閃存中的數(shù)據(jù)。然而，在全球“內(nèi)存荒”持續(xù)惡化的背景下，各大供應(yīng)商正尋求降低對DRAM的依賴。缺失DRAM可能導(dǎo)致驅(qū)動器在持續(xù)負(fù)載或繁重多任務(wù)處理時出現(xiàn)更高延遲和性能下滑。
為解決這一問題，三星采用了NVMe主機(jī)內(nèi)存緩沖（HMB）功能，通過PCI Express通道預(yù)留少量系統(tǒng)內(nèi)存作為替代。這部分借用的內(nèi)存僅用于保存映射元數(shù)據(jù)，將邏輯地址直接連接至物理NAND位置，而非存儲用戶文件。盡管HMB的響應(yīng)速度不及專用DRAM，但相比完全無緩存機(jī)制的驅(qū)動器，其性能仍有顯著提升。
此外，該驅(qū)動器的耐久度評級為400 TBW。對于當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)下的1TB SSD而言，這一數(shù)字相對保守，暗示其可能采用了四層單元（QLC）NAND閃存技術(shù)。QLC每個存儲單元可存四位數(shù)據(jù)，雖能降低成本，但也犧牲了部分耐用性。不過，三星尚未公開披露這款驅(qū)動器內(nèi)部具體使用的NAND閃存技術(shù)。
組件成本上漲重塑SSD設(shè)計(jì)
三星此舉正值全球NAND閃存和DRAM價(jià)格今年持續(xù)大幅攀升之際。移除DRAM封裝不僅能直接降低組件成本、簡化PCB設(shè)計(jì)，還有助于在主流SSD市場保持價(jià)格競爭力。
雖然QLC NAND在持續(xù)寫入性能和長期耐久度上落后于三層單元（TLC），且遠(yuǎn)低于企業(yè)級產(chǎn)品中常用的多層單元（MLC）和單層單元（SLC），但其更高的存儲密度和更低的制造成本優(yōu)勢明顯。
盡管存在上述權(quán)衡，高達(dá)7,150 MB/s的讀取速度和6,450 MB/s的寫入速度，仍使該產(chǎn)品躋身許多配備專用DRAM緩存的主流PCIe 4.0 SSD行列。目前，三星尚未公布該產(chǎn)品的定價(jià)、上市時間、官方名稱及具體NAND技術(shù)細(xì)節(jié)。在更多信息揭曉前，泄露的規(guī)格指向一款旨在平衡性能與成本的低價(jià)PCIe 4.0 SSD，以應(yīng)對內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲的市場環(huán)境。
【星途科訊 圖文丨Patrick 首發(fā)于ZAKER科技，轉(zhuǎn)載請注明出處】
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