2026年中產業觀察丨AI驅動超級周期 國產存儲雙雄享受漲價紅利

　　新華社北京7月9日電　《經濟參考報》7月9日刊發文章《2026年中產業觀察丨AI驅動超級周期　國產存儲雙雄享受漲價紅利》。文章稱，今年上半年，全球存儲行業迎來AI算力需求驅動的超級景氣周期。長鑫科技從年虧百億元到日賺3億元、長江存儲以1600億元估值沖刺IPO……國內存儲領域兩大龍頭依托本輪行情實現業績與市值攀升，以存儲雙雄為核心的產業集群也在加速成型，清晰勾勒出國產存儲產業崛起的輪廓。

　　供需缺口擴大　漲價仍將持續

　　根據集邦咨詢現貨與合約價跟蹤報告，2026年上半年全球存儲芯片行業處于十五年一遇的超級景氣周期，DRAM（動態隨機存取內存）、NAND閃存合約價格連續兩個季度大幅上漲，并完整傳導至消費端。監測數據顯示，上半年16GB　DDR5內存、1TB固態硬盤終端價格較2025年同期漲幅均超130%，供需失衡局面貫穿上半年。

　　本輪漲價并非簡單的周期性反彈，而是AI算力需求主導下的結構性變革。全球大模型訓練、推理需求持續攀升，AI服務器單機內存搭載量為傳統數據中心服務器的10倍以上，機構預測2026年AI相關DRAM需求占比將突破53%。在供給端，三星、SK海力士、美光等海外巨頭將先進產能優先投向高附加值AI存儲產品，壓縮通用存儲產能投放。高盛、集邦咨詢等機構一致判斷，當前存儲供需緊張格局至少延續至2027年下半年。

　　從更宏觀的視角看，存儲芯片正從傳統電子元器件轉變為算力基礎設施核心稀缺資源，行業周期性波動邏輯被AI長期需求重構。這意味著，本輪景氣周期不再是過往消費電子驅動的短期脈沖，而是進入結構性緊平衡階段。對于國產存儲廠商而言，這既是難得的歷史窗口期，也是檢驗其產能爬坡、技術迭代與供應鏈管理能力的關鍵時刻。

　　業績拐點顯現　資本化進程提速

　　在行業超級周期的催化下，國產存儲雙雄迎來業績爆發與資本化進程的雙重拐點。

　　作為國內唯一實現規模化量產的DRAM垂直整合制造企業，長鑫科技2026年上半年業績實現跨越式反轉，徹底扭轉此前連續虧損態勢。根據公司更新后的科創板IPO招股書業績預告，今年1至6月公司預計實現營業收入1100億元至1200億元，歸母凈利潤區間500億元至570億元，盈利同比增幅最高達2544.19%。以上半年業績中位數測算，企業日均盈利接近3億元，創下國內晶圓制造企業半年度盈利新高。

　　長鑫科技產能與產品結構同步優化，DDR5、LPDDR5X高端存儲產品出貨占比持續抬升，疊加國產服務器、AI終端替代訂單集中落地，共同支撐營收與利潤同步放量。從全球競爭格局看，今年一季度長鑫DRAM全球市場份額達7.7%至8%，穩居中國大陸第一、全球第四大DRAM原廠，打破海外巨頭長期壟斷格局。

　　在DRAM賽道實現突破的同時，國內3D　NAND閃存龍頭長江存儲也在加速資本化進程。5月19日，證監會公示信息顯示，長江存儲控股股份有限公司已在湖北證監局完成IPO輔導備案，輔導券商為中信證券、中信建投。公開資料顯示，長江存儲2016年在武漢成立，是國內唯一具備3D　NAND閃存自主研發、全流程量產能力的IDM企業，業務覆蓋芯片設計、制造、封測及系統解決方案。2025年，其全資子公司長江存儲科技有限責任公司以1600億元估值入選《胡潤全球獨角獸榜》，位列全球第21位、中國十大獨角獸，成為國內半導體領域估值最高的頭部科創企業。

　　值得注意的是，國產存儲雙雄的跨越式發展，是行業周期紅利與國產化邏輯共振的必然結果。國內云廠商、AI算力企業加速導入本土供應鏈，國產存儲產能優先保障區域訂單，出貨規模持續攀升。

　　業界認為，雙雄相繼資本化，標志著國產存儲產業徹底告別長期燒錢研發階段，邁入良性循環的自我造血周期。行業景氣高位登陸資本市場，將助力企業以更高估值募資擴產，為技術攻關與產能爬坡筑牢資本基礎。

　　龍頭牽引集群　產業生態躍遷

　　國產存儲雙雄的突圍，并非孤立的企業個案，而是中國半導體產業從單點技術突破向全域生態構建躍遷的縮影。依托兩大龍頭牽引，合肥、武漢兩大產業集群錯位布局、協同發力，共同打造具備全球競爭力的存儲產業高地。

　　扎根合肥的長鑫科技，依托長三角完善的半導體產業配套，走出了一條穩健的DRAM突圍路徑。企業以17nm成熟工藝為根基，采取“先穩后進、以量提質”的發展策略，在通用存儲市場夯實基本盤后，穩步向DDR5、LPDDR5X高端產品迭代升級。疊加本土算力終端訂單加持，產能消化確定性增強，在本輪行業上行周期中充分釋放盈利潛力。

　　位于武漢光谷的長江存儲，以鏈主身份帶動區域存算產業集群協同發展。據湖北省經信廳介紹，當地聚焦存算一體芯片、下一代閃存、先進封裝等核心賽道，強化高端芯片研發創新，遵循“鞏固新優勢、開辟新領域、布局新賽道”思路優化產業布局，全力建設世界級存算一體化產業基地。

　　龍頭牽引之下，國內光電子與存儲相關領域創新成果密集涌現：國家信息光電子創新中心研制250GHz帶寬光子集成芯片，芯動科技推出全球首款120通道PCIe　Gen5交換芯片，光谷實驗室聯合華中科技大學研發360TB超大容量玻璃硬盤……一系列“全球首創”成果落地，印證我國信息產業正從跟跑為主，加速向并跑、領跑階段跨越。

　　同濟大學國家創新發展研究院研究員宮超表示，本輪存儲超級周期由AI算力剛性需求、供應鏈自主可控兩大核心因素共振驅動，為國產存儲原廠及配套產業鏈帶來歷史性成長窗口。相關支撐要素具備長期性，行業高景氣周期有望持續。在此背景下，國產存儲企業將加快資本積累與技術迭代，本土產業鏈協同效率持續提升，上游材料、設備等配套環節國產化進程進一步提速。

　　業內專家同時提示，國產存儲產業仍面臨多重現實挑戰。技術層面，HBM等高端存儲市場仍由海外三家巨頭壟斷，國內在先進工藝、高端架構上存在技術壁壘；市場層面，不排除海外巨頭后續通過集中擴產、發動價格戰擠壓本土企業生存空間；產業層面，全鏈條一體化運營能力仍有短板，頭部企業產業鏈統籌調度效能有待提升；人才層面，HBM、高速固件等高端領域核心研發人才集中于海外，國內人才供給缺口制約高端產品產業化落地。

　　業內人士表示，把握本輪AI存儲超級周期機遇，持續補齊技術、人才、產業鏈短板，深化集群協同創新，將是國產存儲產業鞏固崛起態勢、躋身全球第一梯隊的關鍵。

來源：新華網