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本周一,韓國拋出2000萬億韓元的AI基建計劃, 但資本市場真正尋找的,可能不是下一個三星和SK海力士。
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韓國AI“大基建”,受益的是誰?
先看一下這場投資,究竟有多激進:把存儲半導體、物理AI、AI數據中心列為三大重心。三大項目總投資規模逾1800萬億韓元(約合7.92萬億元人民幣)。
政府有雄心,大企業自然全力配合,從三星和SK集團披露的方案看,其整體AI投資額遠超政府公布的數據,半導體自然首當其沖。
根據方案,僅僅在半導體方面,三星電子和SK海力士將在韓國西南地區(全南光州統合特別市等)共投資800萬億韓元(約合人民幣3.53萬億元),分別興建2座存儲晶圓制造廠,投資規模創韓國民企之最,更是超出韓國政府今年全年預算(約728萬億韓元,合人民幣3萬億元)。
單單就SK海力士而言,其宣布,將原定2045年完成的龍仁半導體集群建設提前12年推進,并加快DRAM、NAND擴產。其中,龍仁項目投資約600萬億韓元,清州NAND擴產約100萬億韓元。同時,公司還計劃在韓國西南地區新建半導體集群,投資約400萬億韓元,以應對AI帶動的存儲芯片需求增長——這正是前文所述“800萬億韓元”計劃的一部分。
韓國瘋狂押注的背后,是現在存儲行情的火熱,絲毫沒有停下來的跡象:根據高盛近期研報,當前存儲上行周期的“更高更久”特征尚未被市場充分定價。2027年DRAM/NAND供需將比2026年更緊,短缺延續至2028年——看來下游應用廠商的“苦日子”還得延續一兩年!
韓國如此激進的擴產,資本市場最先想到的自然是設備、晶圓廠這些最顯眼的標的。但問題在于——所有人都在第一時間盯著同一塊蛋糕,往往在消息公布之前,市場早已完成了對預期的消化——近一年多來,半導體企業上漲幾倍早已不稀奇。
更何況,晶圓廠從動工到投產需要兩到三年,設備訂單兌現節奏、地緣干擾、甚至電力和水資源能否支撐如此大規模的擴產,都讓“確定性”打了折扣——三星和SK海力士幾百萬億韓元的投資,究竟多少能變成真金白銀的利潤,現在沒人能打包票。
換個角度看,設備訂單還是“將來時”,晶圓廠投產時間點尚不確定,但有些東西,是產線一旦運轉就必須持續消耗的耗材——正如打印機的硒鼓和碳粉一般。
怎么理解靶材這個“繞不過去的坎”?要先看芯片是怎么“長”出來的。
一枚芯片的誕生,不全是光刻機的功勞。在光刻之前,有一個同樣關鍵的步驟叫“物理氣相沉積”,可以理解為在晶圓表面“種”一層金屬薄膜——這層膜,就是芯片內部布線的物理基礎。而“種”這層膜所需的“種子”,就是靶材。
一枚先進制程的芯片,內部有幾十層這樣的薄膜堆疊在一起,每一層都需要經歷一次沉積、一次消耗。
更關鍵的是,隨著3D NAND層數突破300層、DRAM線寬微縮逼近物理極限,一枚芯片所需的薄膜層數還在不斷增加——靶材的消耗量,幾乎是跟存儲密度同步增長的。
靶材不是設備那種投一次管十年的資本開支,而是產線一轉就持續消耗、持續采購的耗材。只要產線在跑,它就得跟著轉。
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國內企業,正在悄悄切入
半導體耗材并不是簡單的“量增邏輯”。芯片廠真正愿意付高價的,從來不是普通靶材,而是那些決定良率和性能的高純材料。而且一旦切入供應鏈,芯片廠并不會輕易切換供應商——生產的穩定性,遠遠比價格的稍許波動重要!
也正因為如此,全球靶材高端產品長期被日本的日礦金屬(市占率約30%-50%)、東曹(約20%)和美國霍尼韋爾(約20%)等少數巨頭壟斷,四家企業合計占據約80%的市場份額,國內企業多年來只能在邊緣徘徊。直到最近幾年,局面才開始出現裂縫——其中,存儲芯片靶材,很大程度上是國內廠商進軍高端的“跳板”。
很多財友可能會問,為什么偏偏是存儲?難道因為存儲芯片的制程要求(目前主流十幾個nm)比邏輯芯片(已經做到2~3nm)低嗎?應該說,這種推測不能說沒道理,但只對了一半。
先澄清一個常見的誤解。存儲芯片不是“低端貨”。3D NAND堆疊層數突破300層、DRAM線寬微縮到10nm級別,對靶材的純度、均勻性要求同樣苛刻。所以準確的說法是:存儲芯片的“天花板”低于邏輯芯片,但“地板”已經很高了。
這意味著,AI時代對半導體材料的要求也在升級。過去存儲芯片需要的材料,未來可能要面對接近先進邏輯芯片的工藝挑戰。高端靶材的重要性正在提升。
具體而言,邏輯芯片追求的是線寬極限——3nm、5nm,對靶材的純度和工藝一致性要求處于金字塔尖,國內企業想切入頂級供應鏈,等于直接挑戰日礦、霍尼韋爾的最強防線。而存儲芯片的競爭核心是單位面積的存儲密度和成本,它對靶材品類的要求更多元,不全是“最尖端”的那幾種。
關鍵就在這里:鎢靶、鋁靶等“門檻相對沒那么極致”的品類,在存儲芯片制造中的用量極大,特別鎢靶,在存儲芯片的需求占絕大部分。這些品類,恰恰是國內企業率先突破的方向。
這就形成了一個清晰的錯位競爭路徑:國產企業先在存儲芯片大量使用的鎢靶、鋁靶、鉬靶上站穩腳跟,積累產線經驗和客戶信任,再逐步向更尖端的銅靶、鈷靶、鉭靶延伸。存儲芯片不是終點,而是通往更高端市場的跳板。
但這輪AI存儲擴張,還有一個更深層的變化。
過去的HBM,本質上還是把多層DRAM芯片堆疊在一起,核心競爭仍然圍繞存儲制造展開。但隨著HBM4時代到來,底部負責連接和控制的基礎晶圓,開始更多采用先進邏輯芯片的制造工藝。
簡單來說,HBM正在發生一個變化:它不再只是“把存儲疊得更高”,而是在向“存儲+邏輯”的方向融合,意味著基礎晶圓層面需要更多先進邏輯芯片專屬的尖端耗材。國產企業如果還停留在鎢和鋁的舒適區,就可能錯失這輪AI存儲升級中最有價值的一塊蛋糕。
當然,靶材并不是一個剛剛被發現的新賽道。隨著半導體國產替代推進,國內頭部靶材企業同樣經歷了一輪上漲。
但市場真正需要重新評估的,并不是“有沒有需求”,而是,這輪AI驅動的擴產,能否讓部分半導體材料企業擺脫過去周期股的標簽。
過去,半導體材料更多跟隨晶圓廠資本開支周期波動;而AI時代,HBM、高端存儲和先進封裝帶來的不只是芯片數量增加,更是制造復雜度提升。材料環節的重要性正在從“伴隨擴產”走向“決定產線競爭力”。
從這些角度重新審視,國內靶材三劍客手里的籌碼,性質已經變了。
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三家企業,三條突圍路徑
目前和韓系存儲巨頭供應鏈有強關聯的國內靶材企業,主要有三家:一家已經站上了全球牌桌,一家正從國產替代的深水區奮力突圍,還有一家在細分賽道上撕開了口子。
江豐電子:已經站上全球牌桌
江豐電子是國內靶材行業唯一真正進入全球第一梯隊的企業。2025年,公司超高純靶材出貨量穩居全球第一。
客戶層面,江豐電子已成為臺積電、SK海力士、中芯國際等全球頭部晶圓廠的核心供應商。在技術制程上,公司已批量供應7nm、5nm靶材,并進入尖端3nm技術節點。靶材產品覆蓋鋁、鈦、鉭、銅、鎢等全品類,構建了從材料提純到精密加工、焊接封裝的一體化平臺。2025年,公司靶材營收達到28.50億元,占總營收比重61.9%,同比增長超22%。
與韓系存儲巨頭的關聯,江豐電子也是最深的一家。公司明確表示,其生產的超高純金屬濺射靶材廣泛應用于包括高性能存儲芯片在內的半導體芯片制造中。
更重要的是,江豐電子正在韓國建設先進制程靶材生產基地,境外產能將重點覆蓋三星、SK海力士等境外客戶。該基地投資3.5億元,計劃年產1.23萬個靶材。這不是“計劃供貨”,而是把工廠建到了客戶門口——這是全球頂級供應商才有的待遇。
這步棋,在HBM4語境下尤其關鍵。當先進制程靶材需要屬地化供應時,誰產能落地最早,誰就占先手。
有研新材:從國產替代向上游突圍
如果說江豐電子回答“國產靶材能做到多高”,有研新材則回答“國產替代能做多深”:在靶材領域,有研新材同樣建立了獨特的壁壘。
有研新材最核心的競爭力在鈷靶。鈷靶是5/7nm邏輯芯片、HBM存儲、AI GPU這些“高精尖”領域的核心耗材,而據市場分析,公司是全球極少數可量產12英寸鈷靶的企業之一。公司2026年一季度營收29.57億元,同比增長60.72%,2025年半導體靶材業務同比增長超50%,已成為拉動業績增長的第一引擎。
在韓系客戶方面,有研新材進展同樣明確。公司已確認“持續推進與韓國三星及SK海力士的業務合作”。這意味著,公司正在從國內存儲芯片的“主力供應商”向全球存儲巨頭的“供應商”邁進。而公司在鎢靶上同樣先手布局,疊加當前日本供給收縮產業背景,其戰略價值值得關注。
鈷靶的爆量邏輯或許不在過去,而在HBM堆疊層數突破12層之后,先進封裝中的金屬互連線為了防止電子遷移,可能開始大量引入鈷工藝。有研新材手里的鈷靶,賭的是HBM向更高維度堆疊時的工藝剛性需求。
隆華科技:在細分賽道上撕開口子
與前兩家相比,隆華科技的體量最小——2025年電子新材料業務收入8.21億元,占營收26.72%——但它在三星顯示面板鉬靶上,實現了國內唯一的突破。
2026年,隆華科技已成功導入三星供應鏈并批量供貨。公司兩款靶材產品通過三星品質稽核和產品驗證,進入供應商名錄并開始批量供貨。但目前批量供貨的產品主要應用于三星顯示面板產線。至于是否已同步供貨三星半導體產線,公司尚未明確確認。
不過,這并不削弱隆華科技在鉬靶細分賽道的地位。公司在高純鉬及鉬合金靶材領域深耕多年,已是京東方、TCL華星、LGD等全球主流面板企業的核心供應商。從面板到半導體,技術路徑存在延伸可能,當然還需要跨越純度等多座大山。
在A股靶材企業中,隆華科技是唯一在三星顯示面板鉬靶領域實現“從0到1”批量供貨的廠商——體量雖小,但“撕開口子”的意義不容忽視。
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尾聲
AI時代的半導體競爭,正在從過去單純比拼算力和產能,逐漸深入到材料、工藝和供應鏈能力的較量。韓國的巨額投資,或許只是新一輪芯片擴張的開始。在這場競賽中,真正長期受益者未必只是造芯片的人,也可能是那些提供“血液”的材料企業。
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