基本半導(dǎo)體：碳化硅國(guó)產(chǎn)替代的“全鏈條樣本”，也是一場(chǎng)仍在爬坡的硬仗

在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代敘事中，碳化硅是一個(gè)很特殊的賽道。它不像先進(jìn)制程那樣被光刻機(jī)牢牢鎖住，也不像GPU那樣被軟件生態(tài)高度綁定，但它同樣不是“有產(chǎn)品就能替代”的行業(yè)。真正的門檻在于材料、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、車規(guī)認(rèn)證、長(zhǎng)期可靠性、客戶導(dǎo)入和成本曲線。

基本半導(dǎo)體的價(jià)值，正在這個(gè)位置上。

根據(jù)招股書，基本半導(dǎo)體成立于2016年，專注于碳化硅功率器件的研發(fā)、制造和銷售，主要產(chǎn)品包括車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、碳化硅分立器件以及功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)。公司產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、可再生能源系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)及服務(wù)器中心、軌道交通等領(lǐng)域。更關(guān)鍵的是，公司稱其已經(jīng)實(shí)現(xiàn)覆蓋晶圓制造、模塊封裝、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與測(cè)試的自主量產(chǎn)能力。

一、基本半導(dǎo)體的核心看點(diǎn)：不是單顆SiC器件，而是“芯片—晶圓—模塊—驅(qū)動(dòng)”的系統(tǒng)能力

碳化硅功率器件的國(guó)產(chǎn)替代，不能只看“有沒有SiC MOSFET”或“有沒有車規(guī)模塊”。因?yàn)樵谡鎸?shí)應(yīng)用中，新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、工業(yè)電源等系統(tǒng)，對(duì)器件的要求不是單一參數(shù)，而是效率、耐壓、導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、熱管理、壽命、可靠性和失效一致性的組合。

基本半導(dǎo)體最值得關(guān)注的地方，是它不是單純Fabless，也不是單純封裝廠，而是試圖走IDM路線。招股書披露，公司于2020年采用IDM模式，形成從晶圓制造、模塊封裝到柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與測(cè)試的自主量產(chǎn)能力，同時(shí)也與國(guó)內(nèi)外碳化硅材料供應(yīng)商和代工廠合作，把內(nèi)部工藝能力與外部產(chǎn)能平臺(tái)結(jié)合起來。

從產(chǎn)業(yè)鏈安全角度看，這種模式意義很大。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上游涉及襯底、外延、離子注入、高溫退火、柵氧可靠性、金屬化、封裝互連、測(cè)試篩選等多個(gè)難點(diǎn)。單點(diǎn)產(chǎn)品突破并不等于供應(yīng)鏈安全，只有把芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝模塊和驅(qū)動(dòng)控制協(xié)同起來，國(guó)產(chǎn)SiC才有可能從“可用”走向“好用”。

二、市場(chǎng)很大，但競(jìng)爭(zhēng)并不溫和

碳化硅賽道的長(zhǎng)期邏輯清楚：新能源汽車高壓平臺(tái)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電機(jī)、數(shù)據(jù)中心電源，都在追求更高效率、更小體積和更低損耗。招股書援引弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)稱，中國(guó)碳化硅功率器件市場(chǎng)銷售收入從2020年的11億元增長(zhǎng)至2024年的69億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率59.7%；預(yù)計(jì)2025年至2029年仍將以47.1%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到2029年達(dá)到428億元。

但這不是一個(gè)國(guó)產(chǎn)廠商輕松收割的市場(chǎng)。按2024年收入計(jì)，基本半導(dǎo)體在中國(guó)碳化硅功率模塊市場(chǎng)排名第六，市場(chǎng)份額2.9%；在中國(guó)碳化硅分立器件市場(chǎng)和功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)均排名第九，份額分別為2.7%和1.7%。與此同時(shí)，國(guó)際前三大廠商在中國(guó)碳化硅功率模塊和分立器件市場(chǎng)的份額均超過50%。

這說明基本半導(dǎo)體已經(jīng)進(jìn)入國(guó)內(nèi)SiC第一梯隊(duì)觀察名單，但還遠(yuǎn)不是全球龍頭。它面對(duì)的是安森美、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆、Wolfspeed等多年積累的國(guó)際廠商。國(guó)產(chǎn)替代空間很大，但競(jìng)爭(zhēng)強(qiáng)度同樣很高。

三、車規(guī)級(jí)模塊：最有戰(zhàn)略價(jià)值，也最難賺錢

基本半導(dǎo)體最具戰(zhàn)略意義的產(chǎn)品，是車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊。新能源汽車主驅(qū)逆變器是SiC最核心的應(yīng)用之一，直接關(guān)系整車能耗、續(xù)航、熱管理和高壓平臺(tái)效率。

招股書披露，公司車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊的design-win車型數(shù)量從2023年的13個(gè)增加到2024年的20個(gè)、2025年的30個(gè)；采用公司車規(guī)級(jí)模塊量產(chǎn)的新能源車型數(shù)量從2個(gè)增加到8個(gè)、9個(gè)；對(duì)應(yīng)的新能源汽車制造商數(shù)量從2家增加到6家、7家。

這組數(shù)據(jù)很重要。它說明基本半導(dǎo)體不是只有樣品，而是已經(jīng)進(jìn)入部分新能源車量產(chǎn)體系。但車規(guī)SiC的商業(yè)化并不等于“拿到定點(diǎn)就賺錢”。招股書也提示，碳化硅功率器件領(lǐng)域通常需要1至2年、投入700萬至1000萬元，才能把design-win轉(zhuǎn)化為量產(chǎn)。

這正是車規(guī)國(guó)產(chǎn)替代的真實(shí)難度：客戶驗(yàn)證長(zhǎng)、成本高、責(zé)任重、價(jià)格壓力大。基本半導(dǎo)體2025年車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊收入為8908.7萬元，毛利率仍為-46.3%；公司解釋車規(guī)模塊平均售價(jià)下降，既有維持長(zhǎng)期客戶關(guān)系的策略性降價(jià)，也有以競(jìng)爭(zhēng)性價(jià)格加快市場(chǎng)滲透的考慮。

所以，對(duì)基本半導(dǎo)體不能簡(jiǎn)單理解為“車規(guī)SiC龍頭即將盈利”。它更像是在用虧損和價(jià)格讓渡換取車規(guī)客戶體系、量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和規(guī)模曲線。

四、工業(yè)級(jí)模塊可能成為更現(xiàn)實(shí)的利潤(rùn)突破口

相比車規(guī)市場(chǎng)，工業(yè)級(jí)SiC模塊更分散，客戶議價(jià)結(jié)構(gòu)不同，認(rèn)證周期也不完全一樣。基本半導(dǎo)體2025年開始放量交付工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊，銷量達(dá)到13.04萬件，收入3328.6萬元，毛利率達(dá)到36.0%。這與車規(guī)產(chǎn)品形成鮮明對(duì)比。

招股書解釋，工業(yè)級(jí)模塊應(yīng)用于工業(yè)電力和儲(chǔ)能領(lǐng)域，客戶群更分散，公司議價(jià)能力相對(duì)更強(qiáng)，行業(yè)毛利率通常優(yōu)于車規(guī)級(jí)模塊。

這對(duì)投資判斷很關(guān)鍵。基本半導(dǎo)體的長(zhǎng)期天花板或許在車規(guī)主驅(qū)，但短中期利潤(rùn)修復(fù)的關(guān)鍵，可能反而在工業(yè)、電源、儲(chǔ)能、焊接機(jī)、感應(yīng)加熱、電鍍等場(chǎng)景。招股書還披露，截至最后實(shí)際可行日期，公司已累計(jì)獲得超過12萬個(gè)用于工業(yè)應(yīng)用的工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊銷售訂單，覆蓋焊接機(jī)、感應(yīng)加熱、電鍍等場(chǎng)景。

如果工業(yè)級(jí)模塊持續(xù)放量，基本半導(dǎo)體的毛利結(jié)構(gòu)可能會(huì)比單押車規(guī)更健康。

五、碳化硅分立器件：從SBD轉(zhuǎn)向SiC MOSFET，是必要但艱難的升級(jí)

基本半導(dǎo)體的第二條產(chǎn)品線是碳化硅分立器件，包括SiC MOSFET和SiC肖特基二極管。2025年，該業(yè)務(wù)收入5838.9萬元，毛利率仍為-65.4%，雖然相比2023年的-184.1%、2024年的-96.5%已有明顯改善。

為什么改善？招股書給出的解釋很有代表性：公司減少了部分技術(shù)門檻較低、銷量大但價(jià)格低的SiC肖特基二極管供應(yīng)，把資源轉(zhuǎn)向技術(shù)門檻更高、平均售價(jià)更高、應(yīng)用更廣的SiC MOSFET，包括焊接機(jī)和光伏逆變器等場(chǎng)景；同時(shí)通過優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程、提高良率、使用成本較低的國(guó)內(nèi)設(shè)備與材料來改善毛損率。

這說明基本半導(dǎo)體正在從低門檻SBD切入，向更高價(jià)值的SiC MOSFET遷移。但也要看到，分立器件仍處于虧損狀態(tài)，說明公司在良率、規(guī)模、價(jià)格和成本控制上還有較大爬坡空間。

六、柵極驅(qū)動(dòng)：容易被低估，但可能是基本半導(dǎo)體的差異化能力

碳化硅器件不是單獨(dú)工作。SiC MOSFET和模塊要實(shí)現(xiàn)高效率、高可靠運(yùn)行，離不開柵極驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)決定開關(guān)速度、過壓保護(hù)、短路保護(hù)、EMI表現(xiàn)、熱管理和系統(tǒng)可靠性。

基本半導(dǎo)體的功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)是目前最成熟、盈利最穩(wěn)定的板塊。2023年至2025年，該業(yè)務(wù)收入從6683.2萬元增長(zhǎng)到8009.2萬元、1.026億元；毛利率分別為45.5%、46.4%、33.9%。

這類業(yè)務(wù)的價(jià)值不只是貢獻(xiàn)毛利，更在于增強(qiáng)公司“器件+模塊+驅(qū)動(dòng)”的系統(tǒng)解決方案能力。很多國(guó)產(chǎn)SiC企業(yè)容易停留在器件層，但客戶真正關(guān)心的是整機(jī)效率、故障保護(hù)、熱設(shè)計(jì)和可靠性。基本半導(dǎo)體如果能把驅(qū)動(dòng)與模塊深度綁定，就有機(jī)會(huì)提高客戶粘性，而不是只陷入裸器件價(jià)格戰(zhàn)。

七、財(cái)務(wù)現(xiàn)實(shí)：技術(shù)含量高，但仍未證明盈利模型

基本半導(dǎo)體的硬科技屬性很強(qiáng)，但財(cái)務(wù)狀態(tài)必須嚴(yán)肅看待。

2023年至2025年，公司收入分別為2.21億元、2.99億元和3.11億元；同期毛損分別為1.32億元、2898.1萬元和3386.0萬元，凈虧損分別為3.42億元、2.37億元和3.35億元；經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流出凈額分別為1.20億元、2406.8萬元和1.12億元。

招股書解釋，公司毛損主要來自市場(chǎng)化定價(jià)策略、高昂原材料成本以及新產(chǎn)線初期折舊。 這正是SiC國(guó)產(chǎn)替代的現(xiàn)實(shí)：技術(shù)上往高端走，商業(yè)上卻要承受價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)、材料成本、折舊、研發(fā)費(fèi)用和客戶驗(yàn)證周期。

從科技投資顧問視角看，基本半導(dǎo)體不是一個(gè)已經(jīng)跑通盈利模型的成熟公司，而是一家處于“規(guī)模化驗(yàn)證—成本下降—毛利轉(zhuǎn)正”關(guān)鍵階段的特專科技公司。它的估值不能只按收入倍數(shù)講故事，更要看毛利率、產(chǎn)能利用率、客戶結(jié)構(gòu)和現(xiàn)金消耗。

八、產(chǎn)能利用率透露出的信號(hào)：測(cè)試端緊，模塊端仍有壓力

截至2025年，公司光明生產(chǎn)基地年產(chǎn)能8625片，產(chǎn)量5943片，利用率68.9%；無錫生產(chǎn)基地年產(chǎn)能12萬件，產(chǎn)量48022件，利用率40.0%；坪山測(cè)試基地年產(chǎn)能75萬件，產(chǎn)量685875件，利用率91.5%。

這組數(shù)據(jù)說明兩件事。

第一，公司確實(shí)有自有制造與測(cè)試體系，尤其測(cè)試基地利用率較高，表明產(chǎn)品驗(yàn)證、篩選和交付環(huán)節(jié)已有較強(qiáng)負(fù)荷。

第二，無錫模塊基地利用率從2024年的52.6%降至2025年的40.0%，主要與客戶需求變化、特別是車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)量下降有關(guān)。 這意味著固定資產(chǎn)折舊壓力仍然存在，若車規(guī)模塊放量不及預(yù)期，會(huì)繼續(xù)拖累利潤(rùn)。

九、供應(yīng)鏈安全：核心還在襯底、外延和設(shè)備

基本半導(dǎo)體雖然強(qiáng)調(diào)IDM能力，但它并不是全鏈條完全自主。招股書披露，公司主要供應(yīng)商包括碳化硅晶圓、碳化硅外延片以及生產(chǎn)設(shè)備和機(jī)器供應(yīng)商；2023年至2025年，前五大供應(yīng)商采購(gòu)額占比分別為52.4%、43.9%和38.2%。

這意味著，基本半導(dǎo)體在芯片、模塊和驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)具備較強(qiáng)整合能力，但上游襯底、外延和高端設(shè)備仍是產(chǎn)業(yè)鏈安全的關(guān)鍵變量。對(duì)于SiC行業(yè)來說，真正的自主可控不是某一家器件公司獨(dú)立完成，而是襯底、外延、設(shè)備、工藝、封裝、測(cè)試和下游客戶共同成熟。

基本半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義，在于它可以作為下游應(yīng)用和上游材料設(shè)備之間的“牽引型平臺(tái)”：通過量產(chǎn)需求反向推動(dòng)國(guó)產(chǎn)襯底、外延、設(shè)備和封裝材料迭代。

十、IPO募資方向：繼續(xù)押注產(chǎn)能、研發(fā)和全球渠道

按招股書披露，若以每股29.56港元的中位價(jià)計(jì)算，基本半導(dǎo)體預(yù)計(jì)全球發(fā)售所得款項(xiàng)凈額約7.125億港元。其中約60%用于未來四年擴(kuò)大晶圓和模塊生產(chǎn)能力、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備；約20%用于未來五年新碳化硅產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新；約10%用于拓展全球分銷網(wǎng)絡(luò)；約10%用于營(yíng)運(yùn)資金和一般公司用途。

這說明公司仍處于重投入階段。擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)是SiC公司必須走的路，但也會(huì)繼續(xù)帶來折舊、現(xiàn)金流和規(guī)模化驗(yàn)證壓力。對(duì)投資者而言，募資不是盈利拐點(diǎn)本身，而只是為下一階段爬坡提供燃料。

結(jié)語：基本半導(dǎo)體的價(jià)值與風(fēng)險(xiǎn)都很“硬科技”

如果用一句話概括基本半導(dǎo)體：它是中國(guó)碳化硅功率器件國(guó)產(chǎn)替代中少數(shù)具備“芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與測(cè)試”一體化特征的公司，但仍處于商業(yè)化和盈利能力的艱難爬坡期。

從產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略看，它的價(jià)值很高。碳化硅關(guān)系新能源汽車高壓平臺(tái)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心電源和軌道交通，是能源轉(zhuǎn)換效率提升的重要材料基礎(chǔ)。

從國(guó)產(chǎn)替代看，它已經(jīng)不只是樣品階段，而是進(jìn)入車規(guī)design-win、部分車型量產(chǎn)、工業(yè)級(jí)模塊放量和驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品盈利的階段。

從投資視角看，它仍有明顯不確定性：公司尚未實(shí)現(xiàn)整體毛利轉(zhuǎn)正，凈虧損較大，車規(guī)模塊價(jià)格壓力明顯，部分產(chǎn)能利用率偏低，上游材料和設(shè)備仍需供應(yīng)鏈協(xié)同成熟。

未來觀察基本半導(dǎo)體，重點(diǎn)看五個(gè)指標(biāo)：車規(guī)design-win向量產(chǎn)收入轉(zhuǎn)化的速度；工業(yè)級(jí)SiC模塊能否保持較高毛利并擴(kuò)大收入占比；SiC MOSFET能否持續(xù)改善毛損率；無錫模塊基地利用率能否提升；上游襯底、外延、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和成本下降能否真正兌現(xiàn)。

基本半導(dǎo)體的故事，不是“國(guó)產(chǎn)SiC已經(jīng)全面勝利”，而是中國(guó)第三代半導(dǎo)體從技術(shù)突破走向工程化、規(guī)模化、車規(guī)化和全球化競(jìng)爭(zhēng)的一場(chǎng)硬仗。它值得關(guān)注，但也必須用更長(zhǎng)周期、更嚴(yán)苛的產(chǎn)業(yè)鏈眼光來觀察。

以上僅為產(chǎn)業(yè)研究分析，不構(gòu)成投資建議。

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