你可以把晶圓制造理解成:在一片圓形硅片上,用光刻、沉積、刻蝕、摻雜、清洗、檢測等步驟,一層一層“蓋出”數十億個微型開關和電路。
一、基礎概念
晶圓 Wafer
制造芯片的圓形硅片,像一張“芯片大餅”,上面能做出很多顆芯片。芯片 Chip / Die
晶圓切割后得到的一小塊電路,像從大餅上切下來的一小片。裸片 Die
還沒有封裝的芯片本體,像還沒穿外殼的發動機。硅 Silicon
最常用的半導體材料,是芯片制造的“地基”。半導體 Semiconductor
導電能力介于導體和絕緣體之間的材料,像一個可以被控制開關的水龍頭。集成電路 IC
把大量晶體管、電阻、電容等做在一小片芯片上,像一座微型電子城市。晶圓廠 Fab
制造晶圓芯片的工廠,像芯片世界里的超級精密工廠。制程 Process Node
常說的 28nm、7nm、5nm、3nm 等,代表芯片制造技術代際。納米 nm
長度單位,1 納米等于十億分之一米,用來形容芯片結構很小。摩爾定律 Moore’s Law
芯片上的晶體管數量長期不斷增加,像同樣面積的城市里樓越蓋越密。
晶體管 Transistor
芯片里最基本的開關,控制電流通不通。MOSFET
經典晶體管結構,可以理解為用電壓控制電流的微型開關。源極 Source
晶體管中電流進入的一端,像水管的進水口。漏極 Drain
晶體管中電流流出的一端,像水管的出水口。柵極 Gate
控制晶體管開關的部位,像水龍頭的閥門。溝道 Channel
電流在晶體管里通過的路徑,像水流經過的小水道。FinFET 鰭式晶體管
把溝道做成立體鰭片,像把平房改成立體樓房,提高控制能力。GAA 環繞柵晶體管
柵極從四周包圍溝道,像手把水管四面握住,控制更強。N 型半導體
電子較多的半導體,像負電荷更活躍的材料。P 型半導體
空穴較多的半導體,可以理解為“正電空位”更活躍。
前段 FEOL
主要制造晶體管本體的階段,像先蓋好城市里的樓房。中段 MOL
把晶體管連接到上層金屬線的過渡階段,像樓房接入城市道路。后段 BEOL
制造多層金屬互連線的階段,像給城市修立交橋和電網。流片 Tape-out
芯片設計完成后交給晶圓廠制造,像建筑圖紙正式送進工廠施工。投片 Wafer Start
晶圓正式開始進入生產線,像原材料開始上流水線。掩膜版 Mask / Reticle
光刻時用的“圖案模板”,像把電路圖刻在膠片上。批次 Lot
一組一起生產的晶圓,像同一批進廠加工的零件。工藝步驟 Process Step
制造芯片的一道工序,先進芯片可能有上千道步驟。循環工藝 Loop
光刻、刻蝕、沉積等步驟反復進行,像一層一層蓋樓。工藝整合 Integration
把所有工藝組合起來穩定制造芯片,像協調整個建筑工程。
光刻 Lithography
用光把電路圖案“印”到晶圓上,像給晶圓拍一張超精密照片。光刻膠 Photoresist
對光敏感的材料,像晶圓表面的“感光膠片”。涂膠 Spin Coating
把光刻膠均勻甩涂在晶圓上,像轉動盤子把蜂蜜攤平。曝光 Exposure
用光照射掩膜版,把圖案轉移到光刻膠上。顯影 Development
把曝光后的圖案顯現出來,像照片沖洗。DUV 深紫外光刻
用深紫外光制造芯片,成熟制程和部分先進制程都大量使用。EUV 極紫外光刻
用波長更短的光做更精細圖案,像用更細的筆畫電路。ArF 光刻
一種常見 DUV 光刻技術,可用于先進制程多重曝光。多重曝光 Multi-patterning
一次畫不夠細,就分多次畫,像用多張網格拼出更細圖案。套刻 Overlay
多層圖案之間要精準對齊,像多層地圖必須嚴絲合縫。
刻蝕 Etching
把不需要的材料去掉,留下想要的圖形,像雕刻微型城市。干法刻蝕 Dry Etch
用等離子體刻蝕材料,像用“氣體刀”雕刻晶圓。濕法刻蝕 Wet Etch
用化學液體腐蝕材料,像用藥水洗掉不需要的部分。等離子體 Plasma
被激發的帶電氣體,刻蝕中像一群高速小刀。選擇比 Selectivity
刻蝕時只刻目標材料、不傷其他材料的能力,像只切蛋糕不切盤子。各向異性刻蝕 Anisotropic Etch
主要往垂直方向刻,像筆直往下挖井。各向同性刻蝕 Isotropic Etch
各個方向都會刻,像水滴向四周擴散。殘膠 Residue
工藝后殘留的膠或雜質,像施工后留下的灰塵。刻蝕停止層 Etch Stop Layer
防止刻蝕過頭的保護層,像挖地時提前埋好的警戒板。溝槽 Trench
晶圓上刻出來的凹槽,后續可填入材料形成結構。
沉積 Deposition
在晶圓上覆蓋一層材料,像給地面鋪一層新材料。薄膜 Thin Film
晶圓表面的超薄材料層,可能是金屬、絕緣體或半導體。CVD 化學氣相沉積
用氣體反應生成薄膜,像讓材料“長”在晶圓表面。PVD 物理氣相沉積
把材料打出來再沉積到晶圓上,像給晶圓噴金屬霧。ALD 原子層沉積
一層原子一層原子地沉積,像用原子級刷子刷墻。外延 Epitaxy
在晶圓上繼續生長高質量晶體層,像在地基上長出同結構的新樓層。氧化 Oxidation
讓硅表面生成二氧化硅,像給硅穿上一層絕緣外衣。氮化 Nitride Deposition
沉積氮化硅等材料,常用于隔離、保護或硬掩膜。介質層 Dielectric Layer
絕緣材料層,像電路之間的隔墻。金屬層 Metal Layer
用來連接電路的導電層,像芯片里的道路和電線。
摻雜 Doping
往硅里加入少量雜質,改變導電特性,像給清水加調料改變味道。離子注入 Ion Implantation
把帶電原子高速打進硅里,像用“原子子彈”改造材料。擴散 Diffusion
摻雜原子在高溫下擴散進入硅中,像墨水慢慢滲進紙里。退火 Annealing
高溫處理修復晶格損傷并激活摻雜,像金屬加工后的回火。快速熱退火 RTA
短時間快速加熱,像快速烘烤讓材料恢復狀態。離子束 Ion Beam
用來注入或加工材料的離子流,像微型粒子噴槍。閾值電壓 Vt
晶體管開始導通所需電壓,像水龍頭打開需要的力度。結 Junction
P 型和 N 型區域交界處,是很多器件工作的關鍵邊界。漏電 Leakage
晶體管關著時仍有小電流流過,像水龍頭沒關緊還滴水。擊穿 Breakdown
電壓太高導致材料失效,像水壓太大把管道沖破。
互連 Interconnect
芯片內部連接晶體管的線路,像城市交通網。銅互連 Copper Interconnect
用銅做芯片內部連線,導電性能好。鋁互連 Aluminum Interconnect
早期常用金屬互連材料,部分成熟制程仍可見。通孔 Via
連接不同金屬層的小孔,像樓層之間的電梯井。接觸孔 Contact
晶體管與金屬層之間的連接孔,像樓房接入道路的入口。低 k 介質 Low-k Dielectric
降低線路之間電容的絕緣材料,像減少道路之間互相干擾。阻擋層 Barrier Layer
防止金屬擴散的材料層,像防止水管漏水的內襯。種子層 Seed Layer
電鍍金屬前先鋪的一層薄金屬,像種莊稼前先鋪好土壤。電鍍 Electroplating
用電化學方式填充銅,像把金屬“長”進溝槽里。雙鑲嵌 Damascene
先挖溝和孔,再填銅形成線路,像先挖路槽再澆銅路。
CMP 化學機械拋光
把晶圓表面磨平,像給地面打磨找平。平坦化 Planarization
讓晶圓表面更平整,方便繼續疊下一層。清洗 Cleaning
去除顆粒、金屬污染和化學殘留,像給晶圓洗澡。顆粒 Particle
晶圓上的微小灰塵,可能毀掉芯片,像地圖上掉了一粒沙子卻擋住道路。污染 Contamination
不該出現的雜質,會影響芯片性能和良率。缺陷 Defect
制造中的錯誤點,比如斷線、短路、顆粒、圖形偏差。刮傷 Scratch
晶圓表面的劃痕,像精密玻璃上被劃了一道。空洞 Void
材料內部沒有填滿形成的空隙,像墻里有氣泡。橋連 Bridge
兩條不該連的線連在一起,像兩條馬路錯誤打通導致短路。斷線 Open
該連的線路斷了,像道路中間斷橋。
量測 Metrology
測量尺寸、厚度、形貌等參數,像給晶圓做精密體檢。檢測 Inspection
找缺陷和異常,像用顯微鏡查施工質量。CD 關鍵尺寸
圖形中最關鍵的線寬或間距,像城市道路最窄處的寬度。膜厚 Thickness
薄膜層的厚度,必須控制得非常精確。良率 Yield
做出來的芯片里有多少是合格的,良率越高,成本越低。晶圓測試 Wafer Probe
晶圓還沒切割前先測試每顆芯片,像考試前先批改每個小格子。缺陷密度 Defect Density
單位面積內有多少缺陷,越低越好。SPC 統計過程控制
用數據監控生產是否穩定,像工廠里的健康監測系統。潔凈室 Cleanroom
超干凈的生產環境,空氣里的灰塵數量被嚴格控制。黃光區 Yellow Room
光刻區域常用黃光,避免普通光影響光刻膠,像給感光材料準備的安全燈環境。
一句話理解:晶圓制造就是在一片硅片上“微縮蓋城市”:晶體管是樓房,金屬互連是道路,光刻是畫地圖,刻蝕是雕刻地形,沉積是鋪材料,摻雜是改變土地性質,CMP 是把地面磨平,檢測和良率決定這座微型城市能不能正常運行。
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