北京
2026年6月18日，印度國防新聞網站defence.in報道，印度正在研制的光輝 Mk2中型戰斗機，在隱身性能上取得重大突破。
據防務分析人士評估，該機正面雷達反射截面積（RCS）預計僅為0.1-0.2平方米，與法國“陣風”戰機相當。相比之下，現役的光輝Mk1A約為0.5平方米，Mk2的雷達信號降低約75%，隱身能力提升4倍。
更難得的是，Mk2比Mk1A大得多，機身加長、最大起飛重量達17.5噸、可掛載6.5噸武器。
通常體型越大雷達回波越強，但印度工程師通過巧妙設計逆轉了這一規律。
之所以能如此，是因為印度突破三項主要技術：
一是大量使用復合材料。機身超過90%的表面（機翼、鴨翼、機身）采用碳纖維復合材料，比傳統金屬蒙皮更能吸收雷達波；
二是隱身進氣道設計。采用扭曲的S形進氣道，遮擋住發動機風扇葉片這一強反射源。
三是雷達吸波涂層。機身涂有國產吸波材料，座艙蓋還加了特殊鍍層，防止雷達波照到飛行員頭盔產生反射。
不過稍微有點遺憾的是，Mk2沒有內置彈艙，武器需掛在外部，掛載導彈和副油箱后會削弱隱身效果。工程師正通過給外掛物也涂上吸波材料等方式來應對。
總體而言，光輝Mk2雖未達到五代機的隱身水準，但已邁入“準隱身”戰機的行列。這是印度國防工業發展史上的重大突破，有可能放假3天隆重慶祝，或者對外派出成果宣講團！
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