被中國“封殺”的美光，正在積極號召美國政府對中國企業(yè)實(shí)施制裁

前沿導(dǎo)讀

據(jù)聯(lián)合早報新聞指出，美國此前提議的MATCH法案已進(jìn)入投票推進(jìn)階段，美國本土存儲芯片制造商美光正在積極支持該法案的推進(jìn)，并要求政府采取更多措施遏制中國在存儲芯片領(lǐng)域的市場發(fā)展。

存儲芯片

美光是繼韓國三星、SK海力士之后排名第三的存儲芯片供應(yīng)商，也是美國本土唯一具備先進(jìn)技術(shù)研發(fā)的存儲芯片企業(yè)。

2023年3月31日，中國部門依法對美光制造的存儲芯片進(jìn)行安全審查。

2023年5月21日，中國部門宣布美光制造的存儲芯片存在網(wǎng)絡(luò)安全隱患，按照法規(guī)要求國內(nèi)的信息基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)營者停止采購美光的產(chǎn)品。

據(jù)觀察者網(wǎng)新聞指出，從2018年至2022年之間，美光逐年加大對政府的游說力度，5年內(nèi)支出954萬美元游說政府官員，讓其對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)施限制，壓縮中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

美光重點(diǎn)針對的中國企業(yè)有4家，分別是福建晉化、臺灣聯(lián)電、長江存儲、長鑫存儲。并且中國大陸地區(qū)還有三星、SK海力士建設(shè)的合資晶圓工廠，而美光只在中國西安建設(shè)了一座封測廠。無論是中韓合資建設(shè)的存儲工廠，還是中國本土品牌的存儲工廠，都與美光形成了競爭關(guān)系。

參考資料：
美光被審查背后，中國存儲市場要變天了？

• https://www.guancha.cn/economy/2023_04_04_686958_s.shtm

ai產(chǎn)業(yè)的發(fā)展推高了存儲芯片的市場需求，導(dǎo)致全球存儲芯片產(chǎn)能都優(yōu)先滿足于ai產(chǎn)業(yè)的需求，這極大擠壓了消費(fèi)級存儲芯片的產(chǎn)能，也順勢推高了消費(fèi)級存儲芯片的市場價格。

目前長江存儲正在積極擴(kuò)產(chǎn)，其閃存芯片的產(chǎn)能已經(jīng)占據(jù)了全球總市場10%的份額，正在對海外巨頭實(shí)現(xiàn)快速追趕。

并且長江存儲將在2026年已建成一座新廠的基礎(chǔ)上，再建設(shè)兩座工廠，新工廠內(nèi)部的制造設(shè)備有很大一部分來自于國內(nèi)供應(yīng)鏈體系。一旦工廠產(chǎn)能全部跑滿，其單工廠的產(chǎn)能有望達(dá)到10萬片，可以緩解國內(nèi)消費(fèi)級存儲芯片短缺的現(xiàn)狀。

而內(nèi)存制造商長鑫存儲的市場表現(xiàn)亮眼，2025年前三季度營收達(dá)320.84億元，同比增長97.79%，毛利率從上半年的12.72%躍升至35%，市場份額從約3.97%提升至約5%，穩(wěn)居全球第四大DRAM供應(yīng)商。

閃存芯片與內(nèi)存芯片的制造方式有差別，閃存芯片需要多層數(shù)垂直的顆粒堆疊，每層的堆疊圖案樣式一致，不太依賴于EUV這種最尖端的設(shè)備，更多則是依賴于先進(jìn)的刻蝕和沉積工藝。

而內(nèi)存芯片每層的圖案不一致，其存儲單元由1個晶體管加上1個電容構(gòu)成，所以對高分辨率的光刻機(jī)以及高深寬比的刻蝕機(jī)有需求。

制裁法案

美國現(xiàn)在所推動的MATCH法案，重點(diǎn)針對華為、中芯國際、華虹、長鑫存儲、長江存儲這5家中國企業(yè)實(shí)施全面的出口管制。

禁止美國企業(yè)向這些中國企業(yè)繼續(xù)制造設(shè)備，哪怕是制造成熟芯片也不可以。同時還要求荷蘭ASML、日本東京電子等盟友國企業(yè)在150天內(nèi)對齊美國的制裁標(biāo)準(zhǔn)，無論是制造先進(jìn)芯片所需的設(shè)備，還是制造成熟芯片所需的設(shè)備，均不允許繼續(xù)出口給這5家中國企業(yè)。

ASML制造的DUV光刻機(jī)，東京電子制造的低溫刻蝕機(jī)是此次法案的重點(diǎn)管制設(shè)備。

美國此前已經(jīng)封鎖了制造先進(jìn)芯片所需的先進(jìn)浸潤式光刻機(jī)，新法案則是在之前的基礎(chǔ)上，將范圍擴(kuò)大到了制造成熟芯片的光刻機(jī)上面。試圖將對華制裁的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)從之前的14nm節(jié)點(diǎn)， 擴(kuò)大到28nm節(jié)點(diǎn)。

東京電子制造的低溫刻蝕機(jī)，則是應(yīng)用于制造更高規(guī)格的3D NAND閃存芯片。

封鎖這兩種設(shè)備的對華出口，直接影響的就是中國企業(yè)在邏輯芯片以及存儲芯片上面的產(chǎn)能擴(kuò)充。

并且針對中國企業(yè)手中此前采購的設(shè)備，MATCH法案也會對其實(shí)施更加嚴(yán)格的售后限制政策。禁止相關(guān)的設(shè)備供應(yīng)商向中國企業(yè)提供技術(shù)支持，也不允許向中國企業(yè)提供相應(yīng)的耗材零件。

7nm及以下邏輯芯片、DRAM內(nèi)存芯片對于尖端光刻機(jī)有著技術(shù)需求，3D NAND閃存芯片則是對于較差一些的浸潤式光刻機(jī)以及先進(jìn)刻蝕機(jī)有著技術(shù)需求，這些所需的技術(shù)設(shè)備都是美國此次MATCH法案重點(diǎn)針對的產(chǎn)品。

美光是一家集閃存和內(nèi)存技術(shù)于一體的芯片制造商，三星、SK海力士這種韓國企業(yè)的存儲芯片產(chǎn)能依賴于中國大陸工廠，但是大陸工廠被美國施加了出口管制，無法獲得最尖端的設(shè)備，這阻礙了韓國企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)充。

如今的存儲芯片市場格局已經(jīng)從美韓企業(yè)雙寡頭的局面，演變成了中國企業(yè)的三方競爭，中國企業(yè)成為了撬動存儲芯片產(chǎn)業(yè)的杠桿。一旦中國企業(yè)將存儲芯片的技術(shù)和產(chǎn)能提升上來，身處三星、SK海力士之后全球市場排名第三的美光，將會是中國企業(yè)首要超過的對象。