聯電入局玻璃封裝

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AI帶動先進封裝技術快速演進，聯電積極布局硅中介層（Interposer）之外，也投入下世代TGV（玻璃穿孔）封裝技術，全面搶食先進封裝商機。

業界分析，TGV并非單一制程，而是涵蓋玻璃基板加工、重布線層（RDL）、玻璃載板貼合、薄化及后段封裝等多道制程。

其中，聯電布局重點并非前段玻璃穿孔或鍍銅填孔，而是聚焦玻璃基板完成TGV后的關鍵整合制程，包括Front-side RDL、Temporary Bond（暫時貼合）、研磨（Grinding）、化學機械研磨（CMP）及后續玻璃載板處理等技術，屬于先進封裝的重要環節。

法人指出，相較于傳統硅中介層，玻璃基板具備低訊號損耗、高平坦度及尺寸穩定等優勢，更有利于高頻、高速傳輸及大尺寸封裝，被視為下一世代AI芯片封裝的重要發展方向，因為在AI GPU、高頻寬記憶體（HBM）及大型芯片封裝需求持續增加趨勢下，玻璃基板有望逐步導入高效能運算（HPC）及AI伺服器應用。

聯電聚焦的RDL、玻璃載板貼合及薄化等制程，均屬玻璃基板進入封裝前的核心技術，也是決定封裝良率與可靠度的重要關鍵。

業界認為，若聯電后續完成相關制程布局，意謂已提前卡位玻璃基板供應鏈，未來可望隨AI封裝技術演進，進一步拓展特殊制程業務版圖，為成熟制程開創新成長動能。

接單爆滿，評估南科擴廠

受惠高通、英特爾、閃迪（Sandisk）等美系大客戶訂單強勁，硅中介層（Interposer）、深溝槽電容（DTC）、硅光子等先進封裝與AI特殊制程訂單爆滿，聯電傳出評估擴建南科12AP7廠區，大啖AI商機。

高通、英特爾等美系大客戶持續加單之余，聯電同步搭上AI帶來的電源管理芯片（PMIC）需求熱潮，PMIC代工接單同步暢旺，呼應臺積電董事長魏哲家上周于法說會指出，目前成熟制程真正供不應求的產品，主要集中在與AI相關的應用，尤其是PMIC與感測器（Sensors）等兩大領域的說法。

聯電昨（19）日不評論市場傳聞，強調目前AI需求確實相當強勁，正持續評估客戶未來需求，不僅臺灣廠區具備擴充空間，新加坡及日本生產基地亦仍有發展空間，將依市場需求審慎規劃后續產能布局。

消息人士透露，聯電順利搭上這波由AI需求熱潮帶動的成熟制程需求列車，正積極深化與美系大廠合作，逐步由傳統成熟制程代工，延伸至前段晶圓制造與先進封裝整合。

聯電已切入高通AI資料中心及邊緣運算生態系，提供硅中介層、DTC及晶圓對晶圓混合鍵合等整合制造技術。

聯電并與英特爾采共同開發模式，攜手打造12奈米鰭式場效電晶體（FinFET）制程平臺，鎖定WiFi、物聯網、網通及行動通訊基礎建設等應用，結合英特爾在美國亞利桑那州的制造資源，以及聯電在成熟及特殊制程的量產經驗，預計2026年交付制程設計套件，目標2027年量產。

晟碟方面，聯電合作重點在采用混合鍵合技術的記憶體堆疊架構。業界說明，Hybrid Bonding可在不使用傳統微凸塊的情況下，直接進行晶圓或晶粒間的銅對銅互連，具備縮小接點間距、提高互連密度、降低訊號延遲及功耗等優勢，有助提升記憶體堆疊后的頻寬、容量與傳輸效率。

因應AI相關應用接單熱潮，供應鏈透露，聯電正規劃南科12AP7廠區擴建方案，新增月產能上看5萬片，主要鎖定55、65奈米以上特殊制程，并強化DTC、硅中介層、TGV及硅光子等AI相關應用。據了解，12AP7現階段有三種擴建方案，除擴充既有P7廠區外，也預留P8發展空間，業界認為，主要就是為了因應AI伺服器、高速運算及先進封裝需求快速成長。

業界分析，聯電積極強化在硅中介層、DTC、Hybrid Bonding及硅光子等技術量能，將成熟制程能力延伸至AI封裝供應鏈，伴隨相關訂單持續放量，若12AP7擴產計劃順利推進，可望提高高附加價值特殊制程比重，并成為未來營運成長重要新動能。

（來源：編譯自經濟日報 ）

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