電源能效新國標臨近，五大芯片套片方案完成先行驗證！

電源產品的競爭，正在從快充功率、體積和協議兼容性，進一步延伸至轉換效率與待機功耗。

國家標準 GB 20943-2025《交流-直流和交流-交流電源能效限定值及能效等級》已于2025年1月發布，將于2027年2月1日正式實施，并全面替代 GB 20943-2013。

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新版標準將適用范圍由傳統單路輸出式外部電源，拓展至多路輸出、可調電壓輸出及部分嵌入式電源等更多應用類型，對平均效率、空載功耗以及功率因數等提出了更系統的要求。

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充電頭網獲悉，為幫助產業鏈提前銜接新版能效要求，廣東省終端快充行業協會近期組織開展 GB 20943-2025 首批專項摸底測試。

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測試圍繞能效限定值、空載功耗、轉換效率等核心項目展開，首批共有昂寶、晶豐明源、英集芯、智融科技以及南芯半導體5家芯片企業的5套芯片及待機低功耗方案完成測試并通過摸底驗證。

2026（秋季）亞洲充電大會將于9月11日在深圳前海國際會議中心舉辦。屆時也將有新版電源能效國標解讀、低待機快充方案及高效電源設計等相關分享。

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新國標實施進入倒計時，快充電源方案提前迭代

與舊版標準相比，GB 20943-2025 不再僅聚焦傳統外部電源，而是進一步適配多口輸出、USB 快充、可調電壓等新型電源應用，同時將筆電適配器、PC 電源、服務器電源等更多品類納入更廣泛的能效管理框架。

對于快充充電器、插座、電源適配器等產品而言，高功率輸出只是基礎。如何在輕載、滿載以及空載待機等不同工作狀態下實現穩定的能效表現，正成為芯片設計、電源拓撲、磁性元件、功率器件與整機調校共同面對的新課題。

尤其是在多口快充逐步普及的背景下，產品不僅需要兼顧高壓平臺下的轉換效率，也需要應對單口輕載、多口動態分配、待機識別及協議喚醒等實際使用工況。新版標準落地后，低待機功耗與全負載區間效率表現將進一步成為電源方案的重要競爭維度。

5套芯片方案完成首批摸底測試

本次公布的首批通過摸底測試方案如下，涵蓋了芯片廠商面向高效轉換與低待機功耗推出的不同套片組合。

On-Bright 昂寶

OB2659 + OB2669

昂寶此次通過摸底測試的是由 OB2659 與 OB2669 組成的 GaN PD 快充套片方案。方案采用多模式 QR 原邊控制與副邊高集成協議、同步整流控制相結合的架構，面向高功率密度 USB-C 快充適配器應用。

其中，OB2659 可根據負載狀態在 QR、PFM、Burst 等模式間切換：滿載時采用谷底開通 QR 模式提升轉換效率，輕載時通過降頻運行降低損耗，極輕載或空載狀態則進入擴展 Burst 模式抑制待機功耗。同時，芯片還具備強制谷底開通和頻率抖動設計，用于改善 EMI 表現。

配合支持 USB PD3.2 PPS/AVS、集成同步整流及 CV/CC 控制的 OB2669，整套方案可實現快充協議、功率變換和低待機控制協同。在 230Vac 輸入、USB 線纜未連接條件下，OB2659 搭配 OB2669 的待機功耗可低于 5mW。

BPS 晶豐明源

BP87600D+BP62600D+BP63030N

晶豐明源此次通過摸底測試的 BP87600D、BP62600D、BP63030N 三芯套片，是一套面向 65W 快充適配器的零待機高頻 QR 方案。

方案采用原邊高頻 QR 控制、副邊磁耦通信控制與 PD 協議控制相結合的架構，支持 90-264Vac 寬范圍交流輸入，輸出覆蓋 5V、9V、15V、20V 固定電壓檔位，以及 5-21V/3.25A 寬電壓輸出，可用于 USB PD、QC 等快充適配器開發。

該方案的特點在于，利用磁耦通信反饋與芯片深度睡眠機制，將整機待機功耗控制在 5mW 以下，同時兼顧高頻工作、高效率輸出和動態響應速度。

方案還支持直驅 GaN 器件，最高開關頻率為 140kHz，并集成原邊多重保護、副邊同步整流及輸出電容放電等功能，適合用于追求小型化、低待機功耗與高集成度的 45W、65W 快充產品。

INJOINIC 英集芯

IP2017+IP2028+IP2766G

英集芯此次參與測試的 IP2017、IP2028 與 IP2766G，是一套面向65W筆電適配器及USB-C快充電源的三芯方案，覆蓋原邊反激控制、次級側同步整流以及快充協議控制。

該方案采用 QR 反激架構，支持90-264VAC寬范圍輸入及5V至20V多檔輸出。方案在230VAC輸入下空載功耗低于5mW，并滿足七級能效要求。

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ISMARTWARE 智融科技

SW1192H+SW1609+SW3578

智融科技此次參與摸底的 SW1192H、SW1609 與 SW3578，覆蓋原邊PWM控制、ZVS同步整流以及高集成快充輸出控制等環節，方案重點在于降低高壓功率變換損耗，并兼顧快充協議與輸出管理需求。

其中，SW1192H 采用高頻準諧振控制方式，支持直驅 SiC 功率器件，并具備谷底鎖定、頻率抖動及輕載降頻、Burst 等設計；配合 SW1609 的 ZVS 同步整流技術，可降低高壓工況下的開關損耗和溫升。

再結合 SW3578 的快充輸出控制能力，這套方案適合面向高效率、高功率密度及多協議輸出需求的快充適配器開發。

SOUTHCHIP 南芯半導體

SCV3059AQ1+SC3501+SC2151A

南芯半導體此次采用 SCV3059AQ1、SC3501 和 SC2151A 三芯套片參與摸底測試，方案覆蓋快充電源的功率變換、次級同步整流和 Type-C/PD 協議控制等關鍵環節。

其中，SC3501 用于驅動反激電源次級同步整流 MOSFET，可降低次級整流損耗并改善散熱表現；SC2151A 則集成 Type-C/PD 與 DPDM 快充控制、反饋補償及相關保護功能，可簡化適配器輸出側設計。

充電頭網總結

從首批通過摸底的五套方案可以看到，快充電源應對新版能效要求的路徑已經較為清晰：一方面通過 QR、ZVS、同步整流等技術降低開關和導通損耗；另一方面通過深度睡眠、Burst 控制、低靜態電流和協議協同，進一步壓低空載待機功耗。

對品牌廠商和電源企業來說，芯片套片通過摸底測試，更多是提供了一個經過驗證的方案方向。真正落到產品端，仍需結合實際進行優化。

尤其是多口快充產品，既要保證高負載下的轉換效率，也要控制空載和輕載狀態下的額外損耗，后續圍繞測試方法、設計細節和量產一致性的優化，仍將是行業適配新標準的關鍵。