湖南
其實全行業(yè)都認為，浸潤式DUV光刻機最多也就制造出7nm的芯片，而再往下走，就必須用到EUV光刻機了。
哪怕是臺積電，之前第一代7nm也確實是用DUV光刻機制造的，但第二代7nm芯片，就換上了EUV。
因為就算用DUV能夠制造出來，其實用DUV來制造7nm芯片，需要多次曝光，涉及到工序復雜，耗時久，良率低，成本高等原因。
至于用DUV來制造5nm、3nm等芯片，理論上是可行的，但實際上并不太可行。
因為需要曝光的次數(shù)會非常多，制造難度大增，帶來的后果就是良率更低，成本根本不可控，采用之前的所謂的晶體管微縮的老路子，想用DUV來制造5nm、3nm，就算能制造出來，也沒企業(yè)用的起，成本高到不可想象。
而這也是美國為何要禁售EUV的原因，因為他根本就不怕你用DUV光刻機來制造5nm、3nm芯片，如果你能造出來，能用得起，那你就用唄，他也在不乎，因為這樣的芯片毫無競爭力的。
但美國萬萬沒有想到的是，我們沒有按照他的設想去干。
華為提出了韜定律，這個韜定律，是華為過去6年時間381顆芯片量產(chǎn)的經(jīng)驗的總結，華為認為，用EUV來微縮晶體管確實是一個方向。
但是如果沒有EUV，晶體管微縮受限的情況下，則會有另外一套辦法，那就是從底層器件，到頂層系統(tǒng)，優(yōu)化、縮短信號傳輸和處理的時間，來優(yōu)化芯片的性能。
在整個系統(tǒng)中，可以通過壓縮各層級時延，來提高信號傳輸效率，達到性能提升的目的。
為此，華為提出了邏輯折疊技術，將晶體管立體排列，這樣也能與微縮晶體管實現(xiàn)的效果一樣，讓性能提升，讓晶體管密度的提升。
在華為的計劃中，2026年度旗艦機將搭載的“Kirin 2026”芯片，其性能將是達到了采用EUV光刻機下，3nm芯片的同等水平。
然后在2031年，不采用EUV光刻機，華為的麒麟芯片，晶體管密度會高達400MTr/mm2+，達到采用EUV光刻機之下，1.4nm的水平。
可見，芯片的道路千萬種，EUV并不是萬能的，美國的逼迫，會讓我們不斷的突破，探索出更多的路來，這應該是美國萬萬沒有想到的吧。
接下來就讓我們期待一下，韜定律會不會讓讓中國芯片改寫全球的格局，我想很多人都想知道這個答案，也期待這個答案。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
