存儲(chǔ)的繁榮，能夠持續(xù)多久？

山越高，谷越深。

半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是存儲(chǔ)器市場(chǎng)，目前正經(jīng)歷著一場(chǎng)非同尋常的擴(kuò)張，只能用“爆炸式增長(zhǎng)”來形容。“蓬勃發(fā)展”之類的詞語(yǔ)根本無(wú)法充分描述這種現(xiàn)象。只需看一眼圖表，任何人都會(huì)被其規(guī)模之大所震撼。

圖1顯示了1991年至2026年5月期間，基于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）數(shù)據(jù)的各類半導(dǎo)體三個(gè)月移動(dòng)平均出貨量。過去30年間，盡管經(jīng)濟(jì)環(huán)境有所波動(dòng)，但四大主要類別：微器件、存儲(chǔ)器、邏輯器件和模擬器件，總體呈現(xiàn)穩(wěn)步上升的趨勢(shì)。這代表了半導(dǎo)體行業(yè)的“正常發(fā)展歷程”。

圖1.半導(dǎo)體產(chǎn)品按類型劃分的三個(gè)月移動(dòng)平均出貨值（截至2026年4月）來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)制作

然而，自2024年左右以來，邏輯電路，尤其是最近興起的存儲(chǔ)器，呈近乎垂直的增長(zhǎng)勢(shì)頭，完全顛覆了人們的傳統(tǒng)認(rèn)知。特別是存儲(chǔ)器的增長(zhǎng)尤為驚人，幾乎突破了圖表的峰值。這種增長(zhǎng)速度如此之快，以至于過去30年積累的增長(zhǎng)歷史似乎只是熱身而已。

根據(jù)我多年密切觀察半導(dǎo)體市場(chǎng)的經(jīng)驗(yàn)，我可以肯定地說，存儲(chǔ)器市場(chǎng)從未出現(xiàn)過如此陡峭的增長(zhǎng)。這堪稱一次歷史性的異常現(xiàn)象，正在撼動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的根本結(jié)構(gòu)。

大約10年內(nèi)增長(zhǎng)了10倍，年增長(zhǎng)率高達(dá)285%，令人震驚。圖2展示了這一爆發(fā)式增長(zhǎng)，重點(diǎn)關(guān)注2016年及以后的時(shí)期。2016年MOS存儲(chǔ)器的月出貨量約為56億美元。在2017-2018年“存儲(chǔ)器泡沫”期間短暫繁榮之后，到2023年初的經(jīng)濟(jì)衰退時(shí)，出貨量暴跌至僅58億美元。這標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)衰退的最低點(diǎn)。

圖2.半導(dǎo)體產(chǎn)品三個(gè)月移動(dòng)平均出貨值（按類型劃分）（2016年4月至2026年4月）來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)制作

然而，此后的復(fù)蘇，或者更確切地說是激增。截至2026年5月，存儲(chǔ)月出貨量已飆升至633億美元。與2016年的水平相比，短短十年間增長(zhǎng)了11倍以上。與2023年初的低谷相比，短短幾年內(nèi)就增長(zhǎng)了約10.7倍。

同樣，圖2顯示，包含NVIDIA GPU在內(nèi)的邏輯業(yè)務(wù)規(guī)模也從133億美元增長(zhǎng)到316億美元，這清晰地展現(xiàn)了“NVIDIA GPU效應(yīng)”和“AI效應(yīng)”。然而，即使是邏輯業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)，與存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的爆炸式增長(zhǎng)相比也顯得較為溫和。

從增長(zhǎng)率來看，這種異常現(xiàn)象更加明顯。圖3顯示了相同數(shù)據(jù)的同比增速，存儲(chǔ)最近的同比增速高達(dá)285%，創(chuàng)歷史新高。

圖3.各類型半導(dǎo)體三個(gè)月移動(dòng)平均出貨量同比增速（截至2026年4月）來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)制作

作為參考，即使在上一次“存儲(chǔ)器泡沫”的頂峰時(shí)期（大約在2017年），年增長(zhǎng)率也達(dá)到了60%左右。相比之下，您就能看出當(dāng)前的增長(zhǎng)率有多么驚人。觀察圖3中的其他三個(gè)類別，即使是邏輯電路也只有40%左右，而微控制器和模擬電路則只有14%—19%左右。換句話說，只有存儲(chǔ)器的增長(zhǎng)真正達(dá)到了“另一個(gè)層次”。

DRAM和NAND正在爆炸式增長(zhǎng)

從存儲(chǔ)器市場(chǎng)來看，推動(dòng)其爆發(fā)式增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿碜詢纱蟠鎯?chǔ)器產(chǎn)品：DRAM和NAND閃存（以下簡(jiǎn)稱NAND）。圖4顯示了基于TrendForce數(shù)據(jù)的全球DRAM和NAND市場(chǎng)季度概況。

圖4全球DRAM和NAND市場(chǎng)（TrendForce對(duì)2026年第二季度的預(yù)測(cè)）來源：作者根據(jù)TrendForce的DataTrack數(shù)據(jù)創(chuàng)建

2023年初，正值半導(dǎo)體行業(yè)衰退之際，DRAM價(jià)格跌至谷底，僅為97億美元，NAND價(jià)格也跌至87億美元。這是一段黑暗時(shí)期，所有存儲(chǔ)器制造商都陷入虧損，被迫削減產(chǎn)量。

然而，預(yù)計(jì)到2026年第二季度，DRAM市場(chǎng)規(guī)模將躍升至1450億美元，NAND市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到810億美元。與2023年初的低點(diǎn)相比，DRAM市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)了約15倍，NAND市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)了約9倍。如果將兩者加起來，季度總額將達(dá)到2260億美元，年總額將超過9000億美元，這個(gè)規(guī)模乍一看令人難以置信。

曾經(jīng)被認(rèn)為是“廉價(jià)標(biāo)準(zhǔn)”或“商品”的產(chǎn)品：存儲(chǔ)器，現(xiàn)在正準(zhǔn)備從微型計(jì)算機(jī)（如邏輯和MPU）手中奪取半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

原因是存儲(chǔ)和晶圓價(jià)格異常飆升

為什么存儲(chǔ)市場(chǎng)會(huì)擴(kuò)張到如此規(guī)模？關(guān)鍵在于，這種爆發(fā)式增長(zhǎng)并非僅僅源于出貨量增加，最大的因素是存儲(chǔ)價(jià)格本身的異常飆升。

圖5顯示了DRAM（DDR516Gb2Gx8）現(xiàn)貨價(jià)格和NAND（1TbTLC晶圓）晶圓價(jià)格的趨勢(shì)。2025年初，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格僅為4.70美元。近期，價(jià)格飆升至46.00美元，漲幅約為10倍。NAND晶圓價(jià)格也從2.40美元躍升至25.00美元，同樣漲幅約為10倍。

圖5：DRAM（DDR516Gb2Gx8）和NAND（1TbTLC晶圓）現(xiàn)貨價(jià)格飆升來源：作者根據(jù)TrendForce的DataTrack數(shù)據(jù)制作

換句話說，市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)十倍的主要原因并非出貨量增長(zhǎng)十倍，而是因?yàn)椤皢蝺r(jià)”飆升了近十倍。即使存儲(chǔ)銷量不變，收入也會(huì)增長(zhǎng)十倍。這就是存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模爆炸式增長(zhǎng)背后的機(jī)制。

對(duì)于存儲(chǔ)制造商而言，這是一個(gè)理想的環(huán)境。畢竟，價(jià)格無(wú)需大幅增加資本投入即可自動(dòng)上漲，從而顯著提高利潤(rùn)率。正如后文將要討論的，存儲(chǔ)制造商股價(jià)飆升也是由于這種異常的價(jià)格上漲帶來的利潤(rùn)快速增長(zhǎng)所致。

價(jià)格飆升的原因

那么，存儲(chǔ)價(jià)格為何飆升？這是因?yàn)樾枨筮h(yuǎn)遠(yuǎn)超過供應(yīng)，但追溯這種需求的根源，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)這要?dú)w功于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商進(jìn)行的驚人巨額投資。

圖6顯示了四大超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商（亞馬遜、谷歌、微軟和Meta）的資本支出趨勢(shì)。2015年，這四家公司的總資本支出僅為210億美元。即便如此，這在當(dāng)時(shí)也被認(rèn)為是一筆“巨款”。

圖6：前4大超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商的資本支出來源：作者根據(jù)各公司財(cái)務(wù)報(bào)告和TrendForce數(shù)據(jù)等制作。

然而，自O(shè)penAI于2022年11月發(fā)布ChatGPT以來，生成式人工智能領(lǐng)域便迎來了一波熱潮，資本投資曲線也隨之急劇攀升。預(yù)計(jì)到2025年，這四家公司的總投資額將達(dá)到3550億美元，而到2026年，這一數(shù)字預(yù)計(jì)將達(dá)到驚人的7550億美元。這代表著一場(chǎng)前所未有的投資熱潮，自2015年以來短短十余年間，投資額就增長(zhǎng)了約36倍。

7550億美元遠(yuǎn)超120萬(wàn)億日元。僅僅四家公司就計(jì)劃在一年內(nèi)投入相當(dāng)于日本國(guó)家預(yù)算（一般賬戶）的資金用于數(shù)據(jù)中心和人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。由此可見，這種情況有多么非同尋常。

人工智能數(shù)據(jù)中心就像“黑洞”

這項(xiàng)巨額投資的最終目的地是人工智能數(shù)據(jù)中心。圖7以示意圖的形式展示了當(dāng)前情況。

圖7：DRAM和NAND閃存價(jià)格為何飆升？

隨著超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心競(jìng)相投資人工智能數(shù)據(jù)中心，人工智能學(xué)習(xí)和推理所必需的半導(dǎo)體：即英偉達(dá)等公司的GPU、GPU中使用的高帶寬存儲(chǔ)（HBM）以及配備NAND閃存的大容量存儲(chǔ)SSD，正一個(gè)接一個(gè)地被吸入人工智能數(shù)據(jù)中心這個(gè)“黑洞”中。

存儲(chǔ)器制造商優(yōu)先生產(chǎn)高利潤(rùn)率的HBM以及用于數(shù)據(jù)中心的高性能DRAM和NAND閃存。這是一種自然的商業(yè)決策。因此，生產(chǎn)線產(chǎn)能被轉(zhuǎn)移到人工智能領(lǐng)域，導(dǎo)致可用于其他應(yīng)用的產(chǎn)能大幅減少。

受此影響最嚴(yán)重的行業(yè)是用于個(gè)人電腦、智能手機(jī)和游戲機(jī)等數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品的DRAM和NAND閃存。這些產(chǎn)品的存儲(chǔ)嚴(yán)重短缺，已經(jīng)到了“完全不足”的地步。

由于供應(yīng)能力有限，如果需求僅集中在人工智能數(shù)據(jù)中心，那么消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)必然會(huì)耗盡。這將導(dǎo)致對(duì)有限供應(yīng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，進(jìn)而推高價(jià)格。這與前文提到的存儲(chǔ)價(jià)格異常飆升直接相關(guān)。

事實(shí)上，個(gè)人電腦和智能手機(jī)制造商已經(jīng)開始發(fā)出求救信號(hào)，稱他們無(wú)法獲得所需的存儲(chǔ)，采購(gòu)成本飆升，迫使他們將這些成本轉(zhuǎn)嫁到產(chǎn)品價(jià)格上。諷刺的是，在人工智能崛起的陰影下，我們每天使用的數(shù)字設(shè)備卻變得越來越昂貴，甚至越來越稀缺。

半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)“完全錯(cuò)誤”

2023年，我曾對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)至2032年的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行過預(yù)測(cè)，如圖8所示。通過分析半導(dǎo)體行業(yè)的歷史，并結(jié)合“個(gè)人電腦效應(yīng)”、“互聯(lián)網(wǎng)效應(yīng)”、“智能手機(jī)效應(yīng)”以及即將到來的“人工智能半導(dǎo)體效應(yīng)”，我預(yù)測(cè)半導(dǎo)體市場(chǎng)將以大約“每十年翻一番”的速度增長(zhǎng)。該預(yù)測(cè)預(yù)計(jì)到2032年，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約1.2萬(wàn)億美元。當(dāng)時(shí)，我認(rèn)為這是一個(gè)相當(dāng)樂觀的預(yù)測(cè)。

圖8：2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)。數(shù)據(jù)來源：基于WSTS數(shù)據(jù)和作者預(yù)測(cè)制作。

然而，事實(shí)證明這個(gè)預(yù)測(cè)完全錯(cuò)誤。實(shí)際上，它之所以錯(cuò)誤，是因?yàn)樗^于保守。請(qǐng)參見圖9。根據(jù)WSTS（世界半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)）2026年春季預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將在2024年達(dá)到6305億美元，2025年達(dá)到7956億美元，并在2026年突破1.5萬(wàn)億美元，達(dá)到1.5112萬(wàn)億美元。此外，預(yù)計(jì)到2027年將快速增長(zhǎng)至1.9137萬(wàn)億美元，接近2萬(wàn)億美元。

圖9：由于人工智能的蓬勃發(fā)展，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速擴(kuò)張，預(yù)測(cè)嚴(yán)重失準(zhǔn)來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)和WSTS2026年春季半導(dǎo)體預(yù)測(cè)制作。

短短幾年內(nèi)，市場(chǎng)規(guī)模就輕松超過了作者此前預(yù)測(cè)的2032年1.2萬(wàn)億美元的水平。2032年的預(yù)測(cè)在2026年就已實(shí)現(xiàn)。這并非意味著之前的預(yù)測(cè)“過于樂觀”，而是人工智能熱潮的顛覆性力量徹底顛覆了半導(dǎo)體行業(yè)以往的所有慣例。

圖10清晰地表明，這種快速增長(zhǎng)是由存儲(chǔ)器（包括DRAM和NAND）以及邏輯電路（包括GPU）驅(qū)動(dòng)的。存儲(chǔ)器有望在2027年突破1萬(wàn)億美元，這反映了前文所述的DRAM+NAND的爆炸式增長(zhǎng)。邏輯電路市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將超過5000億美元。

圖10：存儲(chǔ)器（包括DRAM和NAND）和邏輯（包括GPU）的快速增長(zhǎng)來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)和WSTS2026年春季半導(dǎo)體預(yù)測(cè)創(chuàng)建。

另一方面，模擬電路和微半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎保持平穩(wěn)。換句話說，半導(dǎo)體市場(chǎng)整體增長(zhǎng)并不均衡；相反，只有這兩個(gè)與人工智能相關(guān)的領(lǐng)域以前所未有的速度增長(zhǎng)，拉動(dòng)了整個(gè)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。這是一種極其扭曲的增長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。

這波繁榮能持續(xù)多久？

現(xiàn)在，讓我們來解答大家最關(guān)心的問題：“人工智能的蓬勃發(fā)展及其帶來的增長(zhǎng)會(huì)持續(xù)多久？”

理解這一點(diǎn)的關(guān)鍵在于了解存儲(chǔ)器市場(chǎng)的悠久歷史。圖11顯示了自1991年以來近35年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)年增長(zhǎng)率。該圖反映了半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷的無(wú)數(shù)次起伏。

圖11：存儲(chǔ)器市場(chǎng)年增長(zhǎng)率來源：作者根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)和WSTS2026年春季半導(dǎo)體預(yù)測(cè)創(chuàng)建。

從1995年Windows95發(fā)布帶來的繁榮，到2000年的IT泡沫及其隨后的破裂，再到2017-2018年的存儲(chǔ)泡沫、2008年的雷曼兄弟倒閉，以及2020年以來的COVID-19疫情帶來的繁榮，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了過山車般的繁榮與蕭條。

這里值得關(guān)注的并非單個(gè)峰值的高度，而是正增長(zhǎng)持續(xù)的“時(shí)長(zhǎng)”。仔細(xì)分析圖11可以發(fā)現(xiàn)一個(gè)關(guān)鍵事實(shí)：在任何歷史時(shí)期，存儲(chǔ)器市場(chǎng)保持年均正增長(zhǎng)的最長(zhǎng)時(shí)期僅為五年。過去35年中，從未出現(xiàn)過連續(xù)六年或七年正增長(zhǎng)的情況。

為什么五年后市場(chǎng)會(huì)趨于平穩(wěn)？因?yàn)榇鎯?chǔ)器市場(chǎng)本質(zhì)上受“硅周期”的影響，該周期包括需求激增、價(jià)格上漲、企業(yè)增加生產(chǎn)投資、供應(yīng)過剩和價(jià)格暴跌。

如果經(jīng)濟(jì)持續(xù)繁榮，企業(yè)必然會(huì)爭(zhēng)相投資設(shè)備，最終導(dǎo)致供過于求，價(jià)格暴跌。這是存儲(chǔ)器作為一種產(chǎn)品，其本質(zhì)決定了其必然的運(yùn)行機(jī)制。

當(dāng)前的人工智能熱潮預(yù)計(jì)將推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)，從2023年的低谷開始，并在2024年達(dá)到頂峰。按照歷史規(guī)律，這波熱潮最遲應(yīng)在2028年結(jié)束，甚至可能在2027年就達(dá)到頂峰。

雖然不可避免地會(huì)有人說，“這次不一樣了”或者“人工智能很特別”，但我們不能忘記，過去每一次泡沫經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)時(shí)，同樣的說法都曾出現(xiàn)過。

山越高，谷越深

半導(dǎo)體行業(yè)的歷史還告訴我們另一條不容置疑的規(guī)律：“高峰越高，隨之而來的低谷就越深。”

如果你再看一下圖11，這條規(guī)律就顯而易見了。IT泡沫在2000年達(dá)到了超過50%的年增長(zhǎng)率峰值，但緊隨其后的2001年，卻暴跌至-49.5%的深淵。同樣，2017-2018年的存儲(chǔ)泡沫也經(jīng)歷了超過60%的峰值，隨后在2019年急劇下跌了33%。在這個(gè)行業(yè)，繁榮的峰值越高，隨后的衰退往往就越嚴(yán)重、持續(xù)時(shí)間越長(zhǎng)。

讓我們?cè)賮韺徱曇幌庐?dāng)前的AI熱潮。285%的年增長(zhǎng)率是一個(gè)前所未有的峰值，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過以往任何泡沫。它的漲幅如此之高，以至于IT泡沫和存儲(chǔ)泡沫的峰值與之相比都顯得微不足道。

運(yùn)用這一原則，結(jié)論顯而易見。這場(chǎng)前所未有的繁榮之后，隨之而來的“低谷”很可能比半導(dǎo)體行業(yè)以往經(jīng)歷的任何低谷都更加深邃、更加嚴(yán)峻。我們應(yīng)該做好準(zhǔn)備，迎接預(yù)計(jì)從2027-2028年開始的極其嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)衰退，而這種衰退絕非三心二意就能克服的。

存儲(chǔ)器制造商股價(jià)飆升及“億萬(wàn)富翁”

目前，存儲(chǔ)制造商的股價(jià)全面飆升。這完全在意料之中，因?yàn)閮r(jià)格上漲導(dǎo)致它們的利潤(rùn)大幅增長(zhǎng)。

一個(gè)具有象征意義的例子是鎧俠。該公司股價(jià)上漲，使得600名投資者，可以說是“億萬(wàn)富翁”，從其持有的股票中獲得了超過10億日元的未實(shí)現(xiàn)收益。整個(gè)行業(yè)都沉浸在前所未有的慶祝氛圍中。

然而，我們現(xiàn)在需要保持冷靜。股價(jià)就像一面鏡子，反映著人們對(duì)未來的預(yù)期。當(dāng)這些預(yù)期過高時(shí)，如果現(xiàn)實(shí)哪怕略低于預(yù)期，股價(jià)都會(huì)瞬間崩盤。

山越高，谷越深。這個(gè)道理同樣適用于股票價(jià)格，而不僅僅是市場(chǎng)規(guī)模。過去每一次泡沫破裂，都會(huì)出現(xiàn)這樣的景象：在泡沫頂峰暴富的億萬(wàn)富翁，隨著經(jīng)濟(jì)衰退的到來，不得不大幅減持資產(chǎn)。

現(xiàn)在正值經(jīng)濟(jì)繁榮時(shí)期，正是為經(jīng)濟(jì)衰退做好切實(shí)準(zhǔn)備的時(shí)候。這種繁榮不會(huì)永遠(yuǎn)持續(xù)下去。歷史表明，存儲(chǔ)器市場(chǎng)的正增長(zhǎng)最多只會(huì)持續(xù)五年，之后便會(huì)迎來一段低谷期（至少表面看來如此）。高峰越高，低谷也越深。因此，我強(qiáng)烈呼吁目前正享受繁榮的公司：“趁著繁榮還在繼續(xù)，你們應(yīng)該為經(jīng)濟(jì)衰退做好切實(shí)準(zhǔn)備。”

*聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個(gè)人觀點(diǎn)，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認(rèn)同，如有異議，請(qǐng)聯(lián)系后臺(tái)。