北京
杭州鎵仁半導體表示，其新建的晶圓生產線有望加速氧化鎵功率半導體的商業化進程。
中國企業杭州鎵仁半導體有限公司宣布，已建成全球首條兼容6英寸和8英寸同質外延氧化鎵晶圓的量產線。該公司稱，這一里程碑有望加快下一代功率半導體的商業應用。
該公司宣布，已向頭部芯片制造商交付6英寸（100）晶向同質外延氧化鎵晶圓，并表示這標志著穩定批量生產和供應的開始。
氧化鎵的應用探索范圍涵蓋電動汽車、高壓電網、光伏儲能系統以及先進射頻通信等領域。其超寬帶隙特性使器件能夠承受比傳統硅更高的電壓和溫度，因此成為下一代電力電子器件極具吸引力的候選材料。如果該公司的制造能力在商業量產中得到驗證，更大尺寸的晶圓將有助于推動這種材料向廣泛的工業應用邁進。
據該公司介紹，目前市場上大多數氧化鎵晶圓的直徑在2英寸至4英寸之間，這使得先進功率器件的大規模生產變得困難。
晶圓生產規?；?/strong>
鎵仁半導體聲稱，其新產線通過將專有的鑄造法單晶生長工藝與優化的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）外延工藝相結合，突破了這些制造壁壘。
該公司表示，其晶體生長技術可生產超厚氧化鎵晶體，而超薄襯底工藝則使襯底產出量比傳統方法提升三到四倍。
據鎵仁半導體稱，該制造方案還降低了銥耗，使每片晶圓的襯底成本降低80%以上，并為器件制造商減少了材料成本。
該公司公布的鑒定數據顯示，6英寸同質外延晶圓的外延層厚度大于10微米，厚度不均勻性低于1%。公司表示，這種均勻性水平可提高面向高壓、高頻和高溫應用的功率器件的制造良率。
商業應用拓展
鎵仁半導體表示，公司已建成覆蓋單晶生長、襯底加工和同質外延的完整制造鏈。該公司還聲稱，該產線可同時支持6英寸和8英寸晶圓，并保持批間質量穩定。
除與國內芯片制造商簽署長期供貨協議外，鎵仁半導體稱，海外企業和研究機構也已開始下單，表明市場對該技術的興趣日益增長。
更大尺寸的晶圓被認為是降低半導體制造成本的重要一步。8英寸晶圓可產出的芯片數量約是4英寸晶圓的四倍，從而提升生產效率并降低單顆器件成本。
生產質量一致的大尺寸晶圓，一直是氧化鎵面臨的最大制造挑戰之一。如果制造商能夠可靠地實現規模化生產，這種材料將在商業功率電子領域變得更加實用。
氧化鎵的應用探索范圍涵蓋電動汽車、高壓電網、光伏儲能系統以及先進射頻通信等領域。如果該公司的制造能力在商業量產中得到驗證，更大尺寸的晶圓將有助于推動這種材料向廣泛的工業應用邁進。
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