從刻蝕到薄膜、CMP：中微公司正在沖擊半導體設備平臺化的下一關

中微公司：AI 基礎設施背后的“微觀加工平臺”，從刻蝕龍頭走向設備集團化

過去兩年，AI 基礎設施投資的顯性主線是 GPU、HBM、先進封裝、光模塊、硅光子、液冷和數據中心電力。

但如果繼續向產業鏈上游追問，所有這些環節最終都會落到一個更基礎的問題：先進芯片、先進存儲、先進封裝和光電器件能不能被穩定制造出來。

中微公司正處在這個底層位置。

它不是 AI 芯片公司，不是硅光子公司，也不是光模塊公司。它真正的產業位置，是半導體微觀加工設備平臺：刻蝕設備、薄膜設備、MOCVD 設備，以及正在通過外延并購補齊的 CMP 等濕法設備能力。

從投資視角看，中微公司的核心命題已經不只是“國產替代”。更重要的是：中國半導體設備公司能不能從單項設備突破，升級為覆蓋先進邏輯、先進存儲、先進封裝、化合物半導體和未來硅光工藝的高端設備平臺。

一、事件表層：2025 年高增長，2026 年一季度繼續放量

先看業績。

2025 年，中微公司實現營業收入約 123.85 億元，同比增長約 36.62%；歸母凈利潤約 21.11 億元，同比增長約 30.69%；扣非歸母凈利潤約 15.50 億元，同比增長約 11.64%。其中，刻蝕設備銷售約 98.32 億元，同比增長約 35.12%；以 LPCVD 為代表的薄膜設備銷售約 5.06 億元，同比增長約 224.23%。

2026 年第一季度，公司繼續保持增長：營業收入 29.15 億元，同比增長 34.13%；歸母凈利潤 9.30 億元，同比增長 197.20%；扣非歸母凈利潤 4.78 億元，同比增長 60.09%；研發支出 9.08 億元，占收入比例 31.14%。不過，一季度歸母凈利潤大幅增長中包含出售部分拓荊科技股票帶來的約 3.97 億元稅后收益，因此更應關注扣非利潤和主業毛利擴張。

這組數據說明兩件事。

第一，中微公司的主業已經不再是小規模驗證，而是規模化量產設備公司。 公司累計已有超過 8300 個反應臺在國內外 180 余條客戶芯片及 LED 生產線量產。

第二，公司正在從“刻蝕單強”走向“刻蝕+薄膜+MOCVD+量檢測+濕法”的平臺化階段。 這才是中微公司估值體系可能上臺階的核心。

二、核心命題：AI 算力競爭，最終會傳導為設備能力競爭

AI 基礎設施最直接的需求是 GPU、HBM、DRAM、NAND、先進封裝和高速互聯。但這些產品背后的制造環節，對設備能力的要求正在急劇提高。

大模型訓練和推理帶動先進邏輯芯片需求；HBM 和高容量 DRAM 帶動先進存儲擴產；Chiplet、2.5D/3D 封裝和 TSV 帶動先進封裝設備需求；CPO、硅光子和光電集成帶動更高精度的刻蝕、薄膜、外延和檢測工藝需求。

中微公司的主力產品正好卡在這些制造節點上。

公司年報披露，其 CCP 高能等離子體和 ICP 低能等離子體刻蝕兩大類、二十幾種細分刻蝕設備，已覆蓋大多數刻蝕應用，并廣泛用于國內外一線客戶從 65 納米到 3 納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用；同時，公司近十年重點開發 LPCVD、ALD、EPI 等導體和半導體化學薄膜設備，并在 MOCVD 設備上保持全球氮化鎵基 LED 領域領先地位。

這意味著，中微公司并不是只受益于國內晶圓廠擴產，而是受益于一個更大的結構性變化：AI 芯片制造復雜度提升后，刻蝕、薄膜、外延、量檢測、CMP 等設備的價值量和工藝重要性都會上升。

三、技術邏輯：刻蝕和薄膜不是配角，而是先進制程的“二次光刻”

很多人把半導體設備簡單理解為“光刻機最重要，其他設備次之”。這個理解在先進制程和先進存儲時代已經不夠準確。

光刻定義圖形，但真正把圖形轉移到材料結構里，依賴刻蝕；在多層結構、高深寬比結構、3D NAND、DRAM、GAA、先進封裝中，刻蝕和薄膜的工藝難度會顯著提高。

中微公司年報也指出，微觀器件縮小和存儲器從 2D 到 3D 的轉換，使等離子體刻蝕和薄膜制程成為關鍵核心步驟；由于光刻機波長限制，先進微觀結構需要依靠刻蝕和薄膜組合形成“雙重模板”“四重模板”等工藝，刻蝕機和薄膜設備的重要性持續提高。

中微的技術路線可以分三層看：

第一層是刻蝕基本盤。
CCP 刻蝕主要面向介質刻蝕、高深寬比刻蝕等關鍵工藝；ICP 刻蝕則更多用于邏輯、存儲、金屬、硅和化合物材料等更復雜刻蝕場景。2026 年一季報披露，公司下一代 90:1 超高深寬比低溫刻蝕設備已運付客戶端驗證；第二代 ICP 刻蝕設備 Primo Angnova 在 3D DRAM 應用中取得 140:1 高深寬刻蝕結果和形貌控制能力；化學氣相刻蝕設備 Primo Domingo 實現大于 700:1 的 SiGe/Si 高選擇比，并面向 GAA 和 3D DRAM 關鍵工藝驗證。

第二層是薄膜設備第二曲線。
公司在 LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS、PECVD 等薄膜設備上新增付運量快速增長。2026 年一季報提到，2025 年薄膜設備營收同比大幅增長約 224.23%，成為業績增長的重要新引擎；ALD 產品面向先進邏輯和先進存儲金屬柵應用，核心金屬薄膜沉積產品也在開發中。

第三層是泛半導體和先進封裝延展。
公司用于 2.5D、3D 先進封裝硅通孔的 Primo TSV 300E 持續服務客戶并獲得重復訂單；該產品還在 12 英寸高深寬比深槽電容刻蝕和 SoIC WoW 工藝上完成開發，并在國內頭部客戶產線上驗證。

從硅光子角度看，中微不是直接的硅光芯片或光模塊公司，但硅光工藝同樣需要刻蝕、薄膜沉積、外延和檢測能力。中微的相關性在于：它具備進入硅光和光電子制造工藝鏈的設備基礎，但附件材料尚未證明硅光已成為其明確收入主線。 因此，不能把中微簡單包裝成“硅光子標的”，更準確的定位是：硅光、CPO、光電融合未來若產業化加速，中微屬于上游工藝設備的潛在受益者。

四、產業鏈位置：中微是 AI 芯片制造的“上游賣鏟人”

中微公司位于晶圓制造設備和泛半導體設備環節，客戶包括集成電路、LED 外延片、功率器件、先進封裝、MEMS 等制造企業。其商業模式是銷售刻蝕設備、薄膜設備、MOCVD 設備，并提供配件和服務。

這個位置有三個特點。

第一，設備壁壘極高。 設備不是交付硬件就結束，而是要進入客戶產線，完成工藝調試、良率驗證、穩定運行和長期服務。2025 年專用設備銷售收入約 105.27 億元，占當年營業收入約 85%，收入確認需要設備安裝、調試并經客戶確認驗收。

第二，客戶粘性強。 半導體制造產線一旦導入某類設備，后續復購往往與工藝一致性、設備穩定性、良率數據和服務能力綁定。中微累計數千個反應臺量產，本質上是長期客戶數據資產。

第三，平臺化擴張空間大。 公司已不滿足于刻蝕設備，而是在薄膜設備、量檢測設備、MOCVD、先進封裝設備以及 CMP 等方向擴張。2025 年年報披露，公司開發的設備包括刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD 設備及其他設備，并已形成 37 種成熟設備產品系列。

這就是中微區別于普通設備公司的地方：它不是單點國產替代，而是有機會成為中國半導體設備平臺型公司。

五、商業化路徑：從刻蝕龍頭，到“干法+濕法”平臺

中微公司的商業化路徑可以分為三段。

第一階段：刻蝕設備構成現金牛

刻蝕設備仍是公司收入核心。2025 年刻蝕設備銷售約 98.32 億元，同比增長約 35.12%。這說明公司在先進邏輯和先進存儲關鍵刻蝕工藝上的新增付運量正在轉化為收入。

這部分業務的價值在于確定性高、客戶基礎深、復購能力強，是中微公司現金流和研發投入的基礎。

第二階段：薄膜設備打開第二增長曲線

薄膜設備是中微未來三到五年最值得跟蹤的變量之一。2025 年，以 LPCVD 為代表的薄膜設備收入約 5.06 億元，同比增長約 224.23%；2026 年一季報也繼續強調 LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS、PECVD 等產品在先進存儲和先進邏輯市場新增付運量保持快速增長。

如果中微能在薄膜設備上形成類似刻蝕設備的客戶驗證和復購曲線，它就不再只是刻蝕龍頭，而是更接近國際設備平臺公司的雛形。

第三階段：收購杭州眾硅，補齊 CMP 濕法能力

2026 年 4 月的重組報告書顯示，中微擬通過發行股份及支付現金購買杭州眾硅 64.69% 股權，交易價格 15.76 億元；杭州眾硅主要從事 CMP 設備研發、生產與銷售，屬于上市公司的同行業或上下游，并與中微主營業務具有協同效應。

這筆交易的戰略意義不在財務規模，而在設備版圖。

刻蝕、薄膜屬于典型“干法”工藝，CMP 屬于平坦化和濕法相關的重要設備環節。中微年報也明確提到，購買杭州眾硅控股權是從“干法”向“干法+濕法”整體解決方案跨越，填補上市公司在濕法設備領域的空白，并提升先進制程系統級解決方案能力。

這意味著中微正在從“產品公司”向“設備集團”演進。

六、投資判斷：長期結構性機會成立，但不是簡單高景氣線性外推

我的判斷是：

中微公司已經從國產刻蝕設備龍頭，進入高端半導體設備平臺化驗證期。

短期看，公司受益于國內晶圓廠擴產、先進存儲和先進邏輯設備需求、國產設備導入加速。2025 年收入突破百億，2026 年一季度延續高增，說明訂單和交付能力仍在兌現。

中期看，關鍵變量是薄膜設備能否持續放量。刻蝕設備已經證明了中微的客戶驗證能力和量產能力；薄膜設備如果繼續高增長，公司的收入結構和估值邏輯會明顯變化。

長期看，更大的變量是平臺化。中微正在向 MOCVD、EPI、ALD、PVD、PECVD、量檢測、CMP、先進封裝設備等方向延伸。若未來形成“刻蝕+薄膜+平坦化+量檢測”的組合，公司有機會從國產替代龍頭變成中國少數具備設備平臺能力的硬科技公司。

從 AI 基礎設施投資角度，中微公司的優勢在于三點：

第一，它位于 AI 算力產業鏈最上游。 GPU、HBM、DRAM、NAND、Chiplet、CIS、功率器件、光電器件的擴產，最終都會傳導到設備需求。

第二，它擁有真實客戶驗證和量產數據。 半導體設備最難的是進入客戶產線并長期穩定運行，而不是發布新品。

第三，它的產品矩陣具備橫向擴張潛力。 刻蝕是基本盤，薄膜是第二曲線，CMP 和量檢測是平臺化期權。

但投資上不能過度線性外推。設備公司收入受客戶資本開支、驗收節奏、產線擴建周期影響很大。公司 2026 年一季度經營活動現金流為 -1.59 億元，同比下降，說明設備交付、采購、驗收和回款節奏仍可能造成波動。

七、風險與反例：設備平臺化不是“多買幾家公司”就能完成

中微公司的風險主要有六類。

第一，行業周期風險。 半導體和 LED 設備行業受下游市場及終端需求波動影響，具有周期性。若宏觀經濟疲軟、終端需求下滑，客戶可能減少設備采購。

第二，國際競爭風險。 全球高端設備仍由 Applied Materials、Lam Research、TEL、KLA 等國際巨頭主導。中微在國內市場取得突破，但先進制程和全球客戶導入仍需持續驗證。

第三，研發投入壓力。 2025 年研發投入約 37.44 億元，同比增長約 52.65%，占營業收入比例約 30.23%；這說明公司持續投入強，但也意味著新產品導入不及預期時，利潤彈性會受到壓制。

第四，收入確認和驗收節奏風險。 專用設備銷售收入需要客戶驗收確認，審計報告也將專用設備收入確認列為關鍵審計事項。這意味著設備發貨不等于收入確認，收入節奏可能波動。

第五，并購整合風險。 杭州眾硅并購補齊 CMP 很有戰略意義，但重組報告書提示，若標的未來經營狀況惡化，存在商譽減值風險；同時其 2026—2028 年收入承諾分別不低于 2.8 億元、4.3 億元和 5.8 億元，但補償覆蓋率約 14.77%，無法覆蓋全部交易對價。

第六，硅光敘事過度外推風險。 中微的刻蝕、薄膜、外延能力確實與硅光和光電集成制造相關，但目前附件材料沒有顯示硅光已成為公司收入主線。因此，硅光相關性應視為長期工藝期權，而不是當期業績基礎。

八、最終結論：中微公司的核心變量，是能否從“刻蝕龍頭”進化為“設備平臺”

中微公司最值得關注的，不是某一個季度利潤增長，也不是國產替代標簽，而是它是否正在完成一次公司定位升級：

從刻蝕設備龍頭，升級為中國高端半導體微觀加工設備平臺。

它的基本盤是刻蝕設備；增長盤是 LPCVD、ALD、EPI、PVD、PECVD 等薄膜設備；長期期權是 MOCVD、量檢測、先進封裝設備、CMP，以及未來硅光和光電融合制造工藝需求。

未來需要重點跟蹤五個硬指標：

第一，刻蝕設備在先進邏輯、先進存儲關鍵工藝中的新增驗證和復購；
第二，薄膜設備收入占比能否持續提升；
第三，杭州眾硅 CMP 并購能否順利整合并兌現收入承諾；
第四，研發投入能否轉化為 20 款以上新設備的真實訂單和客戶驗收；
第五，硅光、先進封裝、功率器件等泛半導體場景能否從工藝覆蓋走向規模收入。

中微公司不是 AI 概念股，而是 AI 基礎設施上游最核心的設備資產之一。

如果 AI 算力繼續擴張，先進邏輯、HBM、DRAM、3D NAND、Chiplet、先進封裝和硅光工藝都將提高對刻蝕、薄膜、平坦化、外延和檢測設備的需求。中微公司押注的，正是這場硬科技長期競爭中最底層、最難、也最有平臺價值的環節。

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