英特爾德國(guó)晶圓廠迎來(lái)新競(jìng)逐者，歐洲存儲(chǔ)制造能否借FMC重啟？

英特爾放棄德國(guó)晶圓廠計(jì)劃后，一家專注鐵電存儲(chǔ)技術(shù)的德國(guó)初創(chuàng)企業(yè)FMC，正計(jì)劃在此建設(shè)歐洲新的存儲(chǔ)芯片制造基地，為歐洲重建本土存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的可能。

在持續(xù)推進(jìn)歐洲制造布局的同時(shí)，英特爾對(duì)兩座歐洲晶圓廠給出了截然不同的發(fā)展路徑。一方面，英特爾宣布將投資50億歐元，進(jìn)一步擴(kuò)大愛(ài)爾蘭Fab 34工廠Intel 3工藝產(chǎn)能；另一方面，此前規(guī)劃投資約300億歐元的德國(guó)馬格德堡（Magdeburg）晶圓廠項(xiàng)目則正式終止。隨著項(xiàng)目取消，這塊原本為英特爾預(yù)留的土地也開(kāi)始吸引新的投資者關(guān)注。

據(jù)報(bào)道，目前已有至少三家公司對(duì)該地塊表達(dá)興趣，其中最受關(guān)注的是總部位于德國(guó)德累斯頓（Dresden）的無(wú)晶圓廠鐵電儲(chǔ)存器公司（FMC）。德國(guó)薩克森-安哈爾特州財(cái)政部長(zhǎng)Michael Richter表示，關(guān)于FMC是否將在馬格德堡落地建廠，預(yù)計(jì)將在今年夏末作出決定。雖然真正建成一座大規(guī)模存儲(chǔ)芯片制造基地仍需要較長(zhǎng)時(shí)間，但如果項(xiàng)目最終落地，意味著歐洲在多年之后再次迎來(lái)本土存儲(chǔ)芯片制造能力的建設(shè)。

根據(jù)公開(kāi)信息，F(xiàn)MC目前主要通過(guò)晶圓代工廠生產(chǎn)小批量產(chǎn)品，同時(shí)正計(jì)劃建設(shè)屬于自己的大型晶圓廠，而擬建地點(diǎn)正是英特爾此前規(guī)劃建廠的位置。與英特爾獨(dú)立建設(shè)工廠不同，F(xiàn)MC計(jì)劃采用合資模式，與合作伙伴共同建設(shè)并運(yùn)營(yíng)該工廠。這一模式與臺(tái)積電在德國(guó)德累斯頓建設(shè)首座歐洲晶圓廠時(shí)采用的合作方式較為類似。

不過(guò)，該項(xiàng)目仍面臨資金方面的挑戰(zhàn)。報(bào)道稱，整座工廠預(yù)計(jì)投資約30億歐元，F(xiàn)MC希望依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）獲得德國(guó)聯(lián)邦政府和地方政府約一半資金支持，其余資金則需要通過(guò)合作伙伴及其他融資渠道解決。

事實(shí)上，F(xiàn)MC已經(jīng)開(kāi)始為這一計(jì)劃進(jìn)行準(zhǔn)備。今年年初，公司宣布完成約1億歐元新一輪融資，同時(shí)進(jìn)一步完善管理團(tuán)隊(duì)，邀請(qǐng)英飛凌（Infineon）前首席執(zhí)行官Reinhard Ploss擔(dān)任顧問(wèn)委員會(huì)主席，為后續(xù)產(chǎn)業(yè)化布局提供支持。

相比工廠建設(shè)，市場(chǎng)更加關(guān)注的還是FMC所研發(fā)的新型存儲(chǔ)技術(shù)。FMC成立于2016年，起源于德國(guó)德累斯頓工業(yè)大學(xué)（TU Dresden）的研究體系，其核心技術(shù)源自納米電子材料實(shí)驗(yàn)室（NaMLab）在鐵電存儲(chǔ)領(lǐng)域的研究成果。NaMLab曾與德國(guó)DRAM廠商奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）開(kāi)展合作，而后者于2009年申請(qǐng)破產(chǎn)，也使歐洲本土DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸退出市場(chǎng)。

FMC希望借助鐵電存儲(chǔ)技術(shù)，為歐洲重新建立自主存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈。目前，公司主要布局兩類產(chǎn)品，分別是DRAM+和CACHE+。其中，DRAM+定位于傳統(tǒng)DRAM的潛在替代方案。該技術(shù)最大的特點(diǎn)是在保留高速訪問(wèn)能力的同時(shí)，引入了非易失性（Non-volatile）特性，使數(shù)據(jù)在斷電后仍可保存，從而兼具存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)設(shè)備的部分特性，有望降低系統(tǒng)功耗，并提升器件耐久性。另一款產(chǎn)品CACHE+則瞄準(zhǔn)SRAM市場(chǎng)。根據(jù)公開(kāi)資料，該產(chǎn)品存儲(chǔ)密度可達(dá)到傳統(tǒng)SRAM的10倍，同時(shí)待機(jī)功耗降低約90%，并同樣具備非易失性。

從制造角度來(lái)看，F(xiàn)MC技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)在于能夠兼容現(xiàn)有CMOS制造工藝。其技術(shù)通過(guò)利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造設(shè)備，將傳統(tǒng)CMOS工藝中的晶體管和電容分別轉(zhuǎn)換為鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FeFET）和鐵電電容（FeCAP），無(wú)需重新建立全新的制造體系，這也降低了未來(lái)產(chǎn)業(yè)化導(dǎo)入的門檻。

不過(guò)，制造兼容并不意味著市場(chǎng)導(dǎo)入同樣容易。相比工藝實(shí)現(xiàn)，更大的挑戰(zhàn)在于產(chǎn)業(yè)鏈能否接受這種新型存儲(chǔ)技術(shù)。作為一種新的存儲(chǔ)架構(gòu)，DRAM+若希望替代傳統(tǒng)DRAM，不僅需要芯片廠商采用相關(guān)方案，還需要服務(wù)器平臺(tái)、操作系統(tǒng)以及軟件生態(tài)進(jìn)行相應(yīng)適配。對(duì)于CACHE+而言，同樣需要獲得產(chǎn)業(yè)鏈上下游的廣泛支持，才能真正實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。

可以看到，F(xiàn)MC能否最終接手英特爾留下的德國(guó)晶圓廠，目前仍存在較大不確定性。但如果項(xiàng)目順利推進(jìn)，不僅有望推動(dòng)歐洲重新建立本土存儲(chǔ)芯片制造能力，也將為鐵電存儲(chǔ)等新型存儲(chǔ)技術(shù)提供產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)。從這一角度來(lái)看，這場(chǎng)圍繞德國(guó)晶圓廠的新競(jìng)爭(zhēng)，關(guān)注的不僅是一座工廠的歸屬，更是歐洲存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展的新嘗試。

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