上海
ASML宣布，英特爾正在Intel 18A工藝上采用High-NA EUV光刻技術，生產部分代號“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra系列處理器，成為了業界首個采用High-NA EUV光刻技術大規模生產邏輯芯片的企業。目前英特爾位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的Intel 18A生產線已完成High-NA EUV雙重認證，良品率達到了現有NXE EUV平臺的水平。
ASML表示，過去數十年里，與英特爾一直保持緊密合作推動光刻技術的發展，并支持半導體的持續擴展。High-NA EUV是極紫外光刻技術發展歷程里非常重要的下一步，旨在為先進芯片制造提供更精確的圖案化能力。未來雙方將在High-NA EUV技術準備方面繼續展開密切合作，并根據客戶需求靈活將其整合到未來制程節點中。
2023年末，ASML向英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。英特爾將其作為試驗機，于2024年4月在美國俄勒岡州希爾斯伯勒的Fab D1X完成安裝。提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高分辨率的圖案化，以實現更小的晶體管特征。
去年末，英特爾安裝了新的TWINSCAN EXE:5200B系統，屬于第二代High-NA EUV，是目前全球最先進的光刻機。新系統還提升了套刻精度，達到了0.7nm，這是建立在英特爾之前一年多對High-NA EUV光刻機使用經驗之上。
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