陜西
7月8日，記者從省國(guó)資委獲悉，近日，高功率1060納米超輻射發(fā)光二極管（SLD）芯片在陜西研制成功。該芯片由陜西投資集團(tuán)下屬企業(yè)西安立芯光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“立芯光電”）研制，打破了國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口的局面，將為國(guó)內(nèi)脈沖光纖激光器廠商提供穩(wěn)定、可靠的國(guó)產(chǎn)核心器件供應(yīng)，有力支撐我國(guó)高端激光產(chǎn)業(yè)鏈的安全可控發(fā)展。
立芯光電芯片生產(chǎn)車(chē)間。受訪單位供圖
“高功率1060納米超輻射發(fā)光二極管芯片是光纖激光器的理想種子源。寬譜超輻射發(fā)光二極管（SLD）型工作模式使其在注入光纖激光系統(tǒng)時(shí)，能有效抑制放大過(guò)程中的受激布里淵散射效應(yīng)，突破系統(tǒng)峰值功率的上限，適用于高端精密制造、科學(xué)研究及工業(yè)檢測(cè)等應(yīng)用場(chǎng)景。”立芯光電技術(shù)負(fù)責(zé)人介紹，該芯片長(zhǎng)期被國(guó)外企業(yè)壟斷，制約了我國(guó)高端激光裝備的自主發(fā)展。
立芯光電研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)深入攻關(guān)，攻克了外延材料生長(zhǎng)、波導(dǎo)彎曲角度優(yōu)化、腔面鍍膜等一系列關(guān)鍵工藝難題，成功制備出高功率1060納米超輻射發(fā)光二極管芯片。經(jīng)測(cè)試，該芯片在CW（連續(xù)波）模式下，某些重要性能優(yōu)于國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品。
陜投新興立芯光電始終堅(jiān)持“研以致用”，近年來(lái)積極推動(dòng)科技成果從技術(shù)儲(chǔ)備向市場(chǎng)變現(xiàn)跨越。公司聚焦磷化銦激光器核心賽道，完成多波段產(chǎn)品研發(fā)、工藝優(yōu)化、可靠性驗(yàn)證及客戶(hù)認(rèn)證，深化產(chǎn)學(xué)研合作，打通技術(shù)落地長(zhǎng)效通道。今年以來(lái)，公司陸續(xù)實(shí)現(xiàn)980納米、788納米、水下光通信OPSL（光泵半導(dǎo)體激光器）等新芯片的研發(fā)突破。（群眾新聞）
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