到2026年，300mm存儲設備投資將超過500億美元

全球300mm存儲器產能預計也將增長，到2026年達到每月410萬片晶圓，到2027年達到每月420萬片晶圓。

據SEMI發布的最新《300mm晶圓廠展望》報告顯示，全球存儲器領域300mm晶圓廠設備投資預計將在2026年首次突破500億美元大關，增長29%至520億美元，并在2027年再增長11%至570億美元。這一增長反映了人工智能驅動的對先進存儲器的持續需求，以及人工智能基礎設施、數據中心和下一代計算系統投資的不斷增長。

展望未來，預計2024年至2029年全球300mm晶圓廠設備在存儲器領域的支出將以19%的復合年增長率增長。全球300mm存儲器產能預計也將增長，到2026年達到每月410萬片晶圓，到2027年達到每月420萬片晶圓。

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“對高帶寬存儲器和其他先進存儲器技術的強勁需求正在重塑整個半導體供應鏈的投資重點。隨著人工智能基礎設施的擴展，存儲器制造商正在加快產能和技術遷移方面的投資，以支持下一波數據密集型應用。”

SEMI發布的2026年第二季度300mm晶圓廠展望報告預測，在領先的云服務提供商持續增加資本支出計劃以及對人工智能加速器的強勁需求的推動下，存儲器領域300mm晶圓廠設備的支出將有所增加。受GPU和其他人工智能加速器對HBM和DDR5的強勁需求的支撐，DRAM設備的支出預計將在2026年增長29%，達到370億美元。此外，受人工智能部署帶來的數據存儲需求增長的推動，3D NAND設備的支出預計也將在2026年增長28%，達到140億美元。

對先進工藝節點DRAM和更高層數3D NAND的持續投資支撐了更強勁的內存容量前景，SEMI發布的2026年第二季度300mm晶圓廠展望報告已上調了這一預期。然而，技術遷移和工藝復雜性，包括先進工藝節點DRAM、HBM和更高層數NAND的過渡，仍然抑制了有效產能的增長。

此前，SEMI報告2026年第一季度全球半導體設備出貨金額同比增長14%，達到365.5億美元，環比增長1%。SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“2026年的強勁開局反映了行業對支持AI驅動半導體增長所需的產能和基礎設施的持續投資，創紀錄的第一季度銷售額凸顯了先進制造和先進封裝領域的持續勢頭。”

全球半導體市場規模今年或超10萬億元

世界半導體貿易統計組織近期發布預測稱，受AI熱潮拉動，2026年全球半導體市場規模將超1.5萬億美元，創歷史新高。半導體行業正圍繞AI需求加速重構。

在存儲芯片市場，行業研究機構的報告顯示，今年第一季度主要品類“動態隨機存取存儲器”，也就是DRAM的市場營收規模達970億美元，同比增長260%，創歷史新高。其中三星電子占據約38%市場份額，位居第一；SK海力士和美光科技位列其后。據了解，三星電子已連續兩個季度位居DRAM市場首位。

邏輯芯片是半導體市場的另一大品類，涵蓋CPU、GPU、AI加速器等各類用于執行邏輯運算的芯片。在AI加速器與數據中心賽道，英偉達憑借GPU主導訓練市場。博通與美滿科技在專業集成電路ASIC定制推理芯片領域占據主導地位。而在通用計算領域，英特爾在服務器CPU市場仍具有傳統優勢，但面臨AI算力需求向GPU和ASIC轉移的挑戰。

世界半導體貿易統計組織本月初發布的報告預測，今年全球半導體市場規模將較2025年增長近90%，達到1.51萬億美元，約合人民幣10.2萬億元，2027年將進一步增長26.6%，市場規模升至1.914萬億美元，約合人民幣13萬億元。

晶盛機電：8.61億元募資擬投向半導體設備精密零部件等項目

最近，晶盛機電公告，公司擬將12英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目的募集資金投資金額調整為1.78億元，并將該項目剩余募集資金及已終止項目“年產80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產制造項目”剩余募集資金共計8.6141億元（含利息及理財收益）投資于新項目“半導體裝備精密零部件智能化生產項目”和“高端半導體設備碳化硅零部件產業化項目”。

12英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目為研發項目，計劃總投資7.50億元，擬建設涵蓋半導體12英寸集成電路大硅片長晶、滾磨、截斷、切片、倒角、研磨、減薄、拋光工序的設備測試線。截至2025年12月31日，已投入資金8597.14萬元，主要為潔凈室裝修及設備投入。本次投資額度調整，是基于國內半導體產業鏈發展的實際情況做出的審慎決策，通過國產化的技術創新，在不改變項目預期效果的同時，大幅節省項目投入成本。

高端半導體設備碳化硅零部件產業化項目預計總投資2.0610億元，由全資子公司浙江晶誠新材料有限公司實施，本項目將購置一批先進的生產、檢測及配套設備（包括CNC機加工設備、燒結爐、氧化爐、CVD爐以及配套的清洗烘干設備和三坐標檢測設備等），形成年產碳化硅外延爐石墨腔體及配套耗材、硅外延爐石墨基座、碳化硅氧化爐專用爐管、刻蝕設備專用刻蝕環共計2.035萬套/件。

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