最近被一則消息刷屏了。
6月8日,中國(guó)科學(xué)院金屬研究所對(duì)外公布:孫東明、劉馳團(tuán)隊(duì)聯(lián)合多家科研單位,成功研制出國(guó)際上首款實(shí)現(xiàn)射頻測(cè)試的硅-石墨烯-鍺勢(shì)壘晶體管。
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中國(guó)科學(xué)院金屬研究所
相關(guān)成果已于北京時(shí)間6月6日發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》。
這不是一次普通的科研進(jìn)展,而是直接關(guān)系到未來(lái)通信產(chǎn)業(yè)格局的重大突破。
一、傳統(tǒng)晶體管走到了物理天花板
要理解這次突破的重量,得先搞清楚一個(gè)問(wèn)題:為什么我們需要新型晶體管?
5G已經(jīng)在全國(guó)鋪開,6G預(yù)研正在加速推進(jìn)。物聯(lián)網(wǎng)、超高速傳感、智能通信系統(tǒng),這些東西對(duì)晶體管的運(yùn)行速度提出了前所未有的要求——工作頻率必須突破1太赫茲。
傳統(tǒng)的高頻晶體管,比如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管,它們的性能受限于電子在材料里跑得太慢,根本滿足不了太赫茲頻段的需求。
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傳統(tǒng)晶體管
后來(lái)科學(xué)家們想到了一個(gè)新思路:用石墨烯這種二維材料來(lái)做晶體管的基區(qū)。因?yàn)槭┲挥性蛹?jí)厚度,電子穿過(guò)去的時(shí)間極短,理論上很適合做高頻器件。
但這條路也不好走。量子隧穿勢(shì)壘和界面缺陷問(wèn)題一直解決不了,導(dǎo)致電子到處亂撞,電流增益和高頻性能上不去。
這就是整個(gè)行業(yè)的“卡脖子”難題。誰(shuí)能解決這個(gè)問(wèn)題,誰(shuí)就能搶占下一代通信技術(shù)的制高點(diǎn)。
二、中國(guó)人的解決方案:硅-石墨烯-鍺“三明治”
聯(lián)合團(tuán)隊(duì)想出了一個(gè)新架構(gòu):硅-石墨烯-鍺勢(shì)壘晶體管。
怎么做出來(lái)的?他們先在鍺襯底上用化學(xué)氣相沉積長(zhǎng)出一層晶圓級(jí)單晶單層石墨烯,再把單晶硅膜精確堆疊上去,形成一個(gè)高質(zhì)量的“三明治”垂直異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
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硅-石墨烯-鍺勢(shì)壘晶體管結(jié)構(gòu)示意圖
這個(gè)結(jié)構(gòu)有多厲害?
利用石墨烯與硅、鍺界面形成的不對(duì)稱肖特基勢(shì)壘,再結(jié)合石墨烯的量子電容效應(yīng)來(lái)調(diào)控功函數(shù),鍺端的電流變化幅度遠(yuǎn)大于硅端,產(chǎn)生的共射極電流增益高達(dá)1.8×10?——這是目前所有已報(bào)道晶體管中的世界最高紀(jì)錄。
在射頻實(shí)測(cè)中,這款晶體管的本征截止頻率達(dá)到了132GHz,超越了此前所有垂直二維基區(qū)晶體管的最高水平
更讓人振奮的是下一步:團(tuán)隊(duì)通過(guò)器件建模與仿真分析發(fā)現(xiàn),只要優(yōu)化材料摻雜濃度、降低接觸電阻、縮減寄生效應(yīng),這款器件的理論工作頻率有望突破1THz,真正進(jìn)入太赫茲應(yīng)用頻段。
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這就是為什么業(yè)界把這則消息稱為“刷屏級(jí)”的重大突破。
三、這次突破帶來(lái)的三個(gè)確定性變化
第一,技術(shù)路線打開了新通道。目前的射頻高頻器件主流路線要么是化合物半導(dǎo)體,要么依賴先進(jìn)制程。而硅-石墨烯-鍺勢(shì)壘晶體管走的是異質(zhì)材料集成路線,不依賴7nm/5nm這樣的先進(jìn)制程,為我國(guó)在“后摩爾時(shí)代”探索自主可控的高頻芯片技術(shù)提供了新路徑。
第二,6G通信的關(guān)鍵器件基礎(chǔ)已經(jīng)夯實(shí)。太赫茲頻段被公認(rèn)為6G的“黃金頻段”,但缺少能工作在該頻段的晶體管一直是瓶頸。現(xiàn)在,一款理論工作頻率能突破1THz的晶體管已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室走了出來(lái)。
2026年1月,我國(guó)已正式啟動(dòng)6G第二階段技術(shù)試驗(yàn),累計(jì)突破300多項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù),持續(xù)至2027年底。這款晶體管如果順利產(chǎn)業(yè)化,將直接為6G通信提供“心臟”。
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石墨烯電子器件概念圖
第三,石墨烯電子器件從“論文”走向“產(chǎn)線”邁出了標(biāo)志性一步。長(zhǎng)期以來(lái),石墨烯被稱為“神奇材料”,但始終沒能真正進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用。這次是全球首款實(shí)現(xiàn)射頻測(cè)試的勢(shì)壘晶體管,意味著它不再只是實(shí)驗(yàn)室里的概念,而是真正可以被測(cè)試、被驗(yàn)證、被工程化的實(shí)物。
四、行業(yè)洗牌:誰(shuí)在受益,誰(shuí)在焦慮
這次突破的影響正在產(chǎn)業(yè)鏈上快速傳導(dǎo)。
原材料端,高質(zhì)量石墨烯的需求將大幅增長(zhǎng)。CVD法石墨烯制備設(shè)備也被推到聚光燈下,有望成為行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。射頻代工端,太赫茲通信和6G射頻前端正是目標(biāo)市場(chǎng),相關(guān)制造平臺(tái)將迎來(lái)新機(jī)遇。設(shè)備國(guó)產(chǎn)化主線同樣受益。
要知道,2026年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約21%,相比2021年的9%已大幅提升,但仍有很大空間。此次晶體管雖然目前還是實(shí)驗(yàn)室階段的驗(yàn)證,但它驗(yàn)證的技術(shù)路線——異質(zhì)材料集成——有望繞開高端光刻機(jī)封鎖,對(duì)依賴傳統(tǒng)制程的國(guó)際巨頭形成挑戰(zhàn)。
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全球市場(chǎng)也在同步關(guān)注。2025年全球石墨烯射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約1.279億美元,預(yù)計(jì)到2032年將增長(zhǎng)至2.843億美元。全球石墨烯芯片市場(chǎng)規(guī)模2025年為32.5億美元,預(yù)計(jì)到2035年將增長(zhǎng)至211.5億美元。
但要注意,任何新技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向規(guī)模化商用,都需要2-3年的工程化迭代。從晶圓級(jí)均勻性控制、大規(guī)模良率提升,到配套封裝工藝開發(fā),每一步都是硬骨頭。
五、不只是晶體管,更是一個(gè)時(shí)代的信號(hào)
就在這款晶體管發(fā)布的前幾天,工信部已經(jīng)批準(zhǔn)6GHz頻段用于6G技術(shù)試驗(yàn)。此前,中興通訊聯(lián)合紫金山實(shí)驗(yàn)室發(fā)布了業(yè)界首個(gè)面向6G光子太赫茲的實(shí)時(shí)全息沉浸式通信系統(tǒng)原型。日本團(tuán)隊(duì)也在560GHz頻段實(shí)現(xiàn)了100G級(jí)無(wú)線通信。
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6G通信應(yīng)用場(chǎng)景概念圖
太赫茲通信這條賽道,全球都在搶跑。太赫茲頻段被視為6G通信、超高分辨率成像、無(wú)損檢測(cè)、深空通信等前沿領(lǐng)域的“黃金頻段”。
6G預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)每秒1太比特的數(shù)據(jù)速率,相當(dāng)于1秒就能傳輸250GB的文件,是5G峰值速率的100倍以上。
要跑出這個(gè)速度,天線、發(fā)射端、接收端,每個(gè)環(huán)節(jié)都需要突破。晶體管是其中最基礎(chǔ)、最核心的一環(huán)。
中科院金屬所這次打響了第一槍。但132GHz到1THz之間,還有很長(zhǎng)的路要走。
我們既要為這次突破感到振奮,也要清醒地看到差距。
你覺得這款硅-石墨烯-鍺勢(shì)壘晶體管,在5年內(nèi)能實(shí)現(xiàn)規(guī)模化商用嗎?最有可能率先落地在哪個(gè)場(chǎng)景——6G基站、汽車?yán)走_(dá)、還是可穿戴設(shè)備?
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