遼寧
7月20日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺積電A14制程，也就是1.4nm級工藝，研發(fā)進(jìn)度已經(jīng)明顯快于當(dāng)年處于類似階段的N2工藝。
按照規(guī)劃，A14預(yù)計(jì)將在2027年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)或預(yù)生產(chǎn)階段，并于2028年下半年開始量產(chǎn)。
與此同時(shí)，臺積電將進(jìn)一步投資1000億美元(約合7200 億元人民幣)擴(kuò)建在美國的晶圓廠。
據(jù)悉在美國亞利桑那州的第一座晶圓廠已經(jīng)投入運(yùn)營，公司表示其良率已經(jīng)可以媲美中國臺灣的晶圓廠。
圖源：湯姆硬件
A14是臺積電繼N2之后的下一代先進(jìn)制程，屬于14埃級節(jié)點(diǎn)，也常被稱為1.4nm級工藝。
與臺積電2nm N2工藝相比，A14在相同功耗下性能可提升10%至15%；或者在相同速度下，功耗可降低25%至30%。同時(shí)，邏輯密度也有望提升約20%。
據(jù)臺積電CEO魏哲家表示，A14技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，內(nèi)部產(chǎn)品樣機(jī)的器件性能已經(jīng)接近90%，256Mb SRAM良率也接近90%。
這個(gè)進(jìn)展速度非常快。
今年4月，臺積電曾披露，A14節(jié)點(diǎn)的晶體管性能已達(dá)到目標(biāo)值的85%以上，256Mb SRAM良率超過80%。大約3個(gè)月后，這兩個(gè)數(shù)字都已經(jīng)接近90%。
也就是說，A14的器件性能又提升了約5個(gè)百分點(diǎn)，SRAM良率也提升了接近10個(gè)百分點(diǎn)。
圖源：湯姆硬件
N2是臺積電首個(gè)采用GAA環(huán)繞柵納米片晶體管的制程。當(dāng)時(shí)臺積電在GAA納米片晶體管上的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)還比較有限，需要從器件結(jié)構(gòu)、工藝控制到良率爬坡一步步摸索。
而A14采用的是臺積電第二代納米片晶體管技術(shù)，可以直接繼承N2研發(fā)和量產(chǎn)過程中積累下來的經(jīng)驗(yàn)，包括晶體管設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化、制造流程和良率控制。
簡單來說，N2是臺積電第一次真正把GAA做進(jìn)先進(jìn)制程量產(chǎn)；A14則是在這條路上繼續(xù)升級。
需要注意的是，1.4nm并不代表晶體管的某個(gè)物理尺寸真的只有1.4納米。
現(xiàn)在的制程節(jié)點(diǎn)，更多代表一代工藝平臺的綜合能力，包括晶體管結(jié)構(gòu)、密度、性能、功耗、互連和制造成熟度，而不是一個(gè)簡單的線寬數(shù)字。
圖源：wccftech
與此同時(shí)，臺積電也在繼續(xù)擴(kuò)大美國亞利桑那州布局。
據(jù)報(bào)道，臺積電將進(jìn)一步投資1000億美元擴(kuò)建亞利桑那州工廠，使其在亞利桑那州的總投資額達(dá)到2650億美元（約合19080 億元人民幣）。
目前，臺積電在亞利桑那州的第一座晶圓廠已經(jīng)投入運(yùn)營，公司表示其良率已經(jīng)達(dá)到與臺灣旗艦晶圓廠一樣好的水平。
第二座晶圓廠即將開始搬入設(shè)備，第三座晶圓廠正在建設(shè)中，第四座晶圓廠以及該園區(qū)首座先進(jìn)封裝設(shè)施的準(zhǔn)備工作也已經(jīng)啟動。
按照最新規(guī)劃，臺積電亞利桑那州項(xiàng)目最終將包括10座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝設(shè)施，以及1個(gè)研發(fā)中心。
當(dāng)然臺積電仍在持續(xù)加碼中國臺灣本土投資。未來幾年，公司還將在中國臺灣建設(shè)13座領(lǐng)先制程和先進(jìn)封裝相關(guān)工廠。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
